一种推挽转开漏输出驱动的电路制造技术

技术编号:32091717 阅读:21 留言:0更新日期:2022-01-29 18:20
本实用新型专利技术公开了一种推挽转开漏输出驱动的电路,包括:第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一电源、电源输入端、电源输出端;所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极、第一电阻连接,所述第一三极管的集电极与所述电源输出端连接,所述第一三极管的发射极接地;所述第二三极管的基极与所述电源输入端连接,所述第二三极管的发射极接地;所述第一电阻与所述第一电源连接。本实用新型专利技术将芯片内部的推挽信号在外部电路转换为开漏信号,减小芯片内部损耗,并通过外部电阻调节电平转换速度,可以多引脚短接用同一个上拉电阻实现与非关系,开漏输出的电平取决于上拉电阻所接电压,与芯片电源没有直接关联。与芯片电源没有直接关联。与芯片电源没有直接关联。

【技术实现步骤摘要】
一种推挽转开漏输出驱动的电路


[0001]本技术涉及电路
,尤其涉及一种推挽转开漏输出驱动的电路。

技术介绍

[0002]目前通用型输入输出接口会有两种模式:开漏(open

drain)和推挽(push

pull);推挽输出实际上内部就是两个三极管分别受互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个三极管截止,在电路工作时两个对称的功率开关管每次只有一个开关管导通,所以导通损耗小,效率高,输出既可以向负载灌电流也可以从负载抽取电流;开漏输出就是指从MOS管的漏级输出电路,典型做法是在漏极外部的电路添加上拉电阻到电源。但是,现有技术的推挽输出在CMOS电路里一条总线只有一个推挽输出器件,输出能力看IC内部晶体管的面积,相对于开漏输出而言,推挽输出需要消耗更多的电流更大的功耗,而且推挽电路输出的高低电平是一个定值,取决于IC的电源。
[0003]因此,现有技术需要改进。

技术实现思路

[0004]本技术实施例所要解决的技术问题是:提供一种推挽转开漏输出驱动的电路,以解决现有技术中存在的问题。
[0005]根据本技术实施例的一个方面,公开一种推挽转开漏输出驱动的电路,包括:
[0006]第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一电源、电源输入端、电源输出端;
[0007]所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极、第一电阻连接,所述第一三极管的集电极与所述电源输出端连接,所述第一三极管的发射极接地;
[0008]所述第二三极管的基极与所述电源输入端连接,所述第二三极管的发射极接地;
[0009]所述第一电阻与所述第一电源连接。
[0010]在另一个实施例中,所述第一电源为+5伏。
[0011]与现有技术相比,本技术具有如下优点:
[0012]本技术的推挽转开漏输出驱动的电路将芯片内部的推挽信号在外部电路转换为开漏信号,减小芯片内部损耗,并通过外部电阻调节电平转换速度,可以多引脚短接用同一个上拉电阻实现与非关系,而且开漏输出的电平取决于上拉电阻所接电压,与芯片电源没有直接关联,通过外部的上拉电阻可以调整逻辑电平转换的速度,通过外部的开漏电路可以实现与逻辑功能。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是本技术的推挽转开漏输出驱动的电路的一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0015]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例只是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0016]下面结合附图和实施例对本技术提供的一种推挽转开漏输出驱动的电路进行更详细地说明。
[0017]如图1所示,该实施例的推挽转开漏输出驱动的电路包括:
[0018]第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一电阻R1、第一电源VCC、电源输入端VIN、电源输出端VOUT;
[0019]所述第一三极管Q1的基极与所述第二三极管Q2的集电极、第一电阻R1连接,所述第一三极管Q1的集电极与所述电源输出端VOUT连接,所述第一三极管Q1的发射极接地;
[0020]所述第二三极管Q2的基极与所述电源输入端VIN连接,所述第二三极管Q2的发射极接地;
[0021]所述第一电阻R1与所述第一电源VCC连接。
[0022]所述第一电源VCC为+5伏。
[0023]具体的,本申请的推挽转开漏输出驱动的电路工作原理为:
[0024]在电源输入端VIN的输出为高电平时第二三极管Q2导通,所述第一三极管Q1截止;电源输入端VIN的输出为低电平时第一三极管Q1导通;
[0025]使用时,如果所述电源输出端VOUT无法输出高电平可以在所述电源输出端VOUT设置上拉电阻,因此第一三极管Q1的集电极开路输出可以用作电平转换通过上拉电阻实现不同的电平转换。
[0026]以上对本技术所提供的一种推挽转开漏输出驱动的电路进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本技术的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
[0027]最后应说明的是:以上所述仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种推挽转开漏输出驱动的电路,其特征在于,包括:第一三极管、第二三极管、第一电阻、第一电源、电源输入端、电源输出端;所述第一三极管的基极与所述第二三极管的集电极、第一电阻连接,所述第一三极管的集电极与所述电源输出...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱玉龙吴伟吴翔龙陈志军张志平刘聪曾国强叶国华
申请(专利权)人:广东博力威科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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