【技术实现步骤摘要】
一种Micro LED封装结构
[0001]本技术属于半导体领域,具体属于一种Micro LED封装结构。
技术介绍
[0002]随着5G技术的发展,对显示终端像素密度提出了新的需求,尤其是在4K、8K解像度超高画质显示方面。传统的LED封装结构有两种封装结构:第一种使用正装芯片和键合丝,主要采用超声键合工艺实现;第二种使用倒装芯片和锡膏,主要采用丝网印刷和回流焊工艺实现。第一种超声键合工艺所需要的封装空间大,无法实现MicroLED显示的需求;第二种工艺所采用的锡膏在丝网印刷、上芯和回流焊制程中因累积公差和高温下锡膏的形态不受控,极易发生微短路不良,形成潜在的产品可靠性隐患,限制了MicroLED显示产品的推广和使用。
技术实现思路
[0003]为了解决现有技术中存在的问题,本技术提供一种Micro LED封装结构,高可靠性、低成本,所需封装空间小,满足微间距Micro LED封装需求。
[0004]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0005]一种Micro LED封装结构,包括基板;
[0006]所述基板上设置有上芯基岛,所述上芯基岛上设置有LED芯片,LED芯片与上芯基岛之间通过芯片焊盘进行连接,所述上芯基岛上设置有锡镀层,芯片焊盘的表面设置有锡镀层,上芯基岛的锡镀层与芯片焊盘的锡镀层通过焊接形成共晶化合物进行连接,所述LED芯片上设置有塑封体进行塑封。
[0007]优选的,所述上芯基岛的表面涂覆有助焊剂。
[0008]优选的,所述上芯基岛的表面采用 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro LED封装结构,其特征在于,包括基板(1);所述基板(1)上设置有上芯基岛(2),所述上芯基岛(2)上设置有LED芯片(4),LED芯片(4)与上芯基岛(2)之间通过芯片焊盘(5)进行连接,所述上芯基岛(2)上设置有锡镀层(6),芯片焊盘(5)的表面设置有锡镀层(6),上芯基岛(2)的锡镀层(6)与芯片焊盘(5)的锡镀层(6)通过焊接形成共晶化合物进行连接,所述LED芯片(4)上设置有塑封体(7)进行塑封。2.根据权利要求1所述的一种Micro LED封装结构,其特征在于,所述上芯基岛(2)的表面涂覆有助焊剂(3)。3.根据权利要求1所述的一种Micro LED封装结构,其特征在于,所述上芯基岛(2)的表面采用点胶或丝网印刷的方式涂覆助焊剂(3)。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:颉信忠,周永寿,刘天生,孙彦龙,
申请(专利权)人:天水华天科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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