半导体装置的研磨方法、半导体装置的制造方法及研磨装置制造方法及图纸

一种半导体装置的研磨方法，是包含采用ＣＭＰ研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：　　　　在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，　　　　在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用聚氯乙稀类管道。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的研磨方法、半导体装置的制造方法及研磨装置。
技术介绍
近来，随着半导体装置的微细化，为了确保刻蚀工序的焦点深度，就必需提高层间绝缘膜的平坦度，因此，就需要利用CMP技术进行平坦化。另外，为了降低布线电阻，也要求采用Cu布线。采用Cu布线时因也难以进行干刻蚀。所以需要利用CMP进行研磨。由于CMP是用研磨布直接触到晶片的表面进行研磨的，所以很有可能使晶片表面出现损伤、划痕等。因此，减少划痕的产生成了CMP的重要课题。至今为止，改善划痕发生的对策方案有多种。具体地讲，是通过用超声波粉碎在浆料里的研磨粒的凝集粒子，或用过滤器去除凝集粒子，从而防止晶片表面出现损伤、划痕等的。(例如，特开2001-150346号公报)。图1表示的是上述公报公开发表的浆料供给装置。如图1所示，在浆料供给装置里有浆料供给单元101；连接在浆料供给单元101进口及出口处的浆料循环线102；以及超声波振动器103。浆料循环线102里的浆料靠第1泵106得到驱动而循环。而且，在浆料循环线102上还连接有对浆料照射超声波的超声波振动器103。在浆料循环线12与作为浆料的使用源的CMP装置105之间，通过管道110而被连接。在管道110中安装有过滤浆料凝集粒子的过滤器104。另外，在管道110上还安装有从浆料循环线102中吸取浆料并供给CMP装置105的第2泵108。此外，在过滤器104与第2泵之间还安装有阀门107。阀门107的功能是，调整向CMP装置105的浆料供给量，并控制向CMP装置105的浆料供给或停止。依据图1所示的浆料供给装置，通过在浆料循环线102上安装超声波振动器103，使超声波照射在浆料循环线里的浆料上，就可以防止浆料粒子的凝缩。也就是说在浆料循环线102内虽然因浆料里含有的微小二氧化硅凝集粒子互相结合有形成大的凝集粒子的趋势，但通过超声波振动器103所产生的超声波可以将大的凝集粒子的结合粉碎。利用这一点，就可以稳定地将含有微小粒子的浆料供给到CMP装置105。另外，利用过滤器104，去除浆料里的尘埃等。这样就可以将干净的浆料供给CMP装置105。并且，由于浆料里不含凝集的大粒子，所以，过滤器104的寿命就能得到延长。虽然上述公报里讲叙了利用图1所示的超声波振动器103，可以防止浆料粒子的凝缩，但是，本申请专利技术人通过实验发现，既使设置超声波振动器103，进行CMP时，在晶片表面上仍出现了损伤、划痕等。并且，还发现了既使安装了过滤器，有时也不能防止晶片表面的损伤、划痕等。如上所述，随着半导体装置的不断微细化，CMP技术就成了不可缺少的技术了。虽然说它使晶片表面产生损伤、划痕的可能性高，但是，要想不用CMP技术却是件非常难办的事。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述原因而提出的。其主要目的是提供可抑制在晶片表面发生损伤、划痕的研磨装置。其次的目的是提供可抑制在晶片表面发生损伤、划痕等的CMP技术或半导体装置的研磨方法、以及含该研磨方法的半导体装置的制造方法。本专利技术的第1半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用聚氯乙稀类管道。所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子即可。本专利技术的第2半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用由内面为聚氯乙稀类管道而外面为橡胶类管道所构成的管道。所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子即可。本专利技术的第3半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述浆料供给泵的下游侧，配置有去除浆料中含有的凝集粒子及异物的过滤器。在所述管道式浆料供给泵中，作为供给浆料的管道，也可以使用至少内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。本专利技术的第4半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用实际上不含有用于加强管道强度的微粒子的管道。在某一实施例中，所述管道是聚氯乙稀类管道或者硅酮橡胶制管道。本专利技术的半导体装置的制造方法，包含上述半导体装置的研磨方法。本专利技术的第1研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置和供给研磨时的浆料的管式浆料供给泵，所述管式浆料供给泵用的管道，是至少内面为由聚氯乙稀类材料构成的管道。在某一实施例中，所述管道是二层结构，所述管道的内面由聚氯乙稀类材料构成，外面由橡胶类材料构成。本专利技术的第2研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置；向所述CMP装置供给浆料的浆料供给装置；将所述浆料供给装置与所述CMP装置连接的配管；以及配置在所述配管的一部分处的管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵与所述CMP装置之间，配置有至少能去除所述浆料中含有的凝集粒子及异物中的一种的过滤器。所述管式浆料供给泵用的管道，最好是至少其内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。本专利技术的第3研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置和供给研磨时的浆料的管式浆料供给泵，所述管式浆料供给泵用的管道，是实际上不含有用于加强管道强度的微粒子的管道。根据本专利技术，在包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置时，在研磨工序中所使用的管式浆料供给泵中，作为浆料供给管道，由于是使用了聚氯乙稀类管道，所以，可以抑制晶体表面发生损伤、划痕等。附图说明图1表示现有技术的浆料供给装置的构成。图2表示浆料供给形态的一种例子的构成图。图3表示的是浆料供给形态的另一种例子的构成图。图4表示的是管式浆料供给泵的局部剖面的放大图。图5表示的是本专利技术的实施例1的研磨装置的构成模式图。图6表示的是管式浆料供给泵的局部剖面的放大图。图7表示的是测量从管道里放出的粒子的测量装置构成的模式图。图8表示的是管道种类与粒子放出量的关系图表。图9表示的是橡胶类及聚氯乙稀类管道交换后的微小划痕数的图表。图10表示的是使用橡胶类及聚氯乙稀类管道时，产品的合格率的图表。图11表示的是两层结构的管道的剖面构造图。图12表示的是关于本专利技术的实施例2的研磨装置的构成模式图。具体实施例方式下面根据附图详细说明本专利技术的实施例。此外，本专利技术并不局限以下实施例。首先，在说明本专利技术的实施例之前，先说明一下本申请专利技术人发现的、在进行CMP时，在晶片表面发生的损伤、划痕等现象。在CMP中，作为使晶体表面发生损伤、划痕等的原因，可以认为有两种可能一种是因为浆料里有凝缩的粗大粒子致使晶体表面发生损伤，另一种就是浆料中存在的异物致使晶体表面发生损伤。那么，作为其对策，可以例举出通过将凝缩的粒子粉碎，形成微粒子，消灭粗大粒子的方法，和利用过滤器，将粗大粒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用聚氯乙稀类管道。2.根据权利要求1所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子。3.一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用由内面为聚氯乙稀类管道而外面为橡胶类管道所构成的管道。4.根据权利要求3所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子。5.一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述浆料供给泵的下游侧，配置有去除浆料中含有的凝集粒子及异物的过滤器。6.根据权利要求5所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于在所述管道式浆料供给泵中，作为供给浆料的管道，使用至少内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。7.一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道...

【专利技术属性】
技术研发人员：滨中雅司，白樫卫吾，伊藤史隆，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：