用于形成图形的方法技术

一种用于形成图形的方法，包括以下步骤：　　　　在一个底版上的对应于要形成的图形的位置的槽内填充抗蚀剂；　　　　通过在与底版中形成的图形的最长部分的纵向平行的方向转动印刷辊，将填充在槽中的抗蚀剂转移到印刷辊上；以及　　　　通过沿着基板上的刻蚀对象层转动印刷辊，把抗蚀剂涂覆到刻蚀对象层上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示(下文称做LCD)器件的形成方法，特别涉及一种用于形成LCD器件中的图形的方法。
技术介绍
在显示器件中，特别是平板显示器件中，像素以矩阵排列。此外，在例如LCD器件的平板器件中，如薄膜晶体管(下文称做TFT)的有源器件被设置在各像素中，用于驱动显示器件中的像素。这种驱动显示器件的方法称做有源矩阵驱动法，因为有源器件被以矩阵形式排列在各像素中。图1是使用有源矩阵法的现有技术LCD器件的像素的平面图。有源器件是TFT 10。如图1所示，分别在长度方向和宽度方向布置的选通线(gateline)2和数据线4定义了像素。在一个选通线和一个数据线的交叉处附近形成用于独立地控制各像素的驱动的TFT 10。TFT 10包括与一个选通线2相连的栅电极2a；形成在栅电极2a上的半导体层5；和形成在半导体层5上的源和漏电极4a和4b。当通过一个选通线2把扫描信号施加到栅电极2a时，TFT 10被激活。在像素中，像素电极7与漏电极4b相连，当半导体层5被栅电极2a激活时，通过源和漏电极4a和4b把图像信号提供给像素电极7。像素电极7通过第一接触孔8a与漏电极4a相连接。存储线6和与存储线6重叠的存储电极11被设置在由选通线2和数据线4限定的像素中，由此形成存储电容器Cst。存储电极11通过第二接触孔8b与像素电极7相连。图2是沿图1的剖面线II-II’截取的剖面图，它示出了TFT 10和设置在像素内的存储电容器Cst。如图2所示，TFT 10包括由透明绝缘材料例如玻璃制成的基板1、形成在基板1上的栅电极2a、淀积在整个基板1上的栅绝缘层13、形成在栅绝缘层13上的半导体层5、形成在半导体层5上的源/漏电极4a和4b、以及形成在源/漏电极4a和4b上用于保护该器件的钝化层15，以及通过第一接触孔8a与漏电极4b相连的像素电极7。存储电容器Cst包括在与TFT的栅电极2a相同的一系列构图工艺期间形成的存储线6、以及在与源和漏电极4a和4b相同的一系列构图工艺期间形成的存储电极11。栅绝缘层13形成在存储线6和存储电极11之间。用于露出部分存储电极11的第二接触孔8b形成在钝化层15中。存储电极11通过第二接触孔8b与像素电极7电连接。当选通信号被施加到栅电极2a时，存储电容器Cst充入选通电压，然后保持该电荷直到在下一个帧中选择了栅电极2，由此可以防止像素电极7的电压变化。如上所述，通过光刻工艺制造LCD器件，光刻工艺包括一系列重复的工艺，例如涂覆光致抗蚀剂、对准、曝光、显影、清洗等，以完成一个图形的不同部分。由于要完成LCD器件必须重复多次光刻工艺，因此降低了生产率。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种平板显示器件，其实质上消除了由于现有技术的局限和缺点造成的一个或多个问题。因此，本专利技术的一个目的是提供一种在液晶显示(下文称做LCD)器件上形成图形的方法，能够通过不必被重复的一次印刷处理来形成图形。本专利技术的另一目的是提供在图形的非延伸方向(non-rolloutdirection)和延伸方向中形成精确图形的方法。本专利技术的再一目的是提供一种用于形成精确图形的图形特征。为获得这些和其它优点，根据本专利技术的目的，如这里所实施和广泛描述的，提供一种用于形成图形的方法，包括以下步骤在底版(cliché)上的对应于要形成图形的位置的槽中填充抗蚀剂；通过在与底版中形成的图形的最长部分的纵向平行的方向转动印刷辊，将填充在槽中的抗蚀剂转移到印刷辊上；并通过沿着基板上的刻蚀对象层转动印刷辊，把抗蚀剂涂覆到刻蚀对象层上。另一方面，一种用于形成图形的方法包括提供一底版，该底版中的对应于要形成的图形形状的区域中形成了槽；把抗蚀剂填充到该槽中，并通过在与槽的最长部分的纵向平行的推动方向推动刮板，把除了槽内的抗蚀剂以外的底版表面上剩余的抗蚀剂除去，以使抗蚀剂平坦化；通过沿着槽的最长部分的纵向在底版上转动印刷辊，把抗蚀剂转移到印刷辊上；以及通过沿着基板上的刻蚀对象层转动印刷辊，把抗蚀剂涂覆到刻蚀对象层上。当结合附图时，从本专利技术的下面详细介绍中，本专利技术的以上和其它目的、特点、方面和优点将变得更明显。附图说明被包括以便进一步理解本专利技术并引入并构成本说明书一部分的附图示出了本专利技术的各实施例并和说明书一起介绍本专利技术的原理。在附图中图1是现有技术LCD器件的像素的平面图；图2是沿图1的剖面线II-II’截取的剖面图，示出了薄膜晶体管和像素中的存储电容器；图3A到3C是示出了根据本专利技术示例实施例的通过使用印刷法在基板上形成抗蚀剂图形的方法的图；图4A到4C是示出了根据图形的印刷延伸方向和纵向之间的角度的实际实验获得的图形形状的图；图5是示出了对于相同层相互垂直的图形结构的图；图6是示出了垂直于印刷方向的图形缺陷的图；图7A到7C示出了根据示例实施例的图形，尽管这些图形具有的特征的纵向不与用于涂覆整个图形的印刷延伸方向相同，也不会产生缺陷；图8A是示出了具有“I”形沟道的现有技术TFT的图形的平面图；图8B是示出了根据本专利技术示例实施例用于防止具有“I”形沟道的TFT产生缺陷的图形的平面图；图9A是示出了具有“U”形沟道的现有技术TFT的图形的平面图； 图9B是示出了根据本专利技术示例实施例用于防止具有“U”形沟道的TFT产生缺陷的图形的平面图。具体实施例方式下面具体参考附图中的例子说明本专利技术的优选实施例。图3A到3C是示出了根据本专利技术示例实施例的通过使用印刷法在基板上形成抗蚀剂图形的方法的图。如图3A所示，提供底版100，其中形成的槽102的形状和位置对应于基板上要形成的图形，然后把抗蚀剂103填充到底版100中。例如，把比填充槽102所需的抗蚀剂更多的抗蚀剂施加到底版100的表面上，并利用刮板110把抗蚀剂推入槽102，以利用抗蚀剂把槽填平，然后把多余的抗蚀剂除去。应该在沿着槽的最长方向的方向推动刮板110。否则，如果在与槽的最长方向垂直或不平行的方向推动刮板110，抗蚀剂可能不沿着槽的最长方向平滑地填充槽102，使得随后的工艺会从底版100去除抗蚀剂。如图3B所示，在印刷辊120滚过底版100的表面的同时，填充在底版100的槽102内的抗蚀剂103转移到旋转的印刷辊120的表面上。印刷辊120具有与要制造的显示器件的板相同的宽度。此外，印刷辊具有与要制造的液晶显示板的长度相同的周长。因此，填充在底版100的槽102内的抗蚀剂103被转移到印刷辊120的圆周表面上。如图3C所示，在圆周上具有抗蚀剂103的印刷辊120转动通过基板130上形成的刻蚀对象层131的表面，以将抗蚀剂103涂覆到刻蚀对象层131上，并且通过利用一个扫描UV光或加热来干燥所涂覆的抗蚀剂107，以形成抗蚀剂图形107。优选地，通过一次旋转印刷辊120通过刻蚀对象层131，可以在显示器件的整个基板120上形成用于刻蚀对象层的整个构图工艺步骤必须的图形107。因此，由于可以根据优选的显示器件的尺寸制造底版100和印刷辊120，并且可以通过一次涂覆在基板130上形成图形，因此可以通过单一系列的构图工艺进行用于刻蚀对象层的大面积显示器件的构图。刻蚀对象层131可以是用于形成金属图形的金属层，例如TFT的栅电极或存储电极。在另一个例子中，金属层可以用于形成源/漏电极、选通线和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成图形的方法，包括以下步骤在一个底版上的对应于要形成的图形的位置的槽内填充抗蚀剂；通过在与底版中形成的图形的最长部分的纵向平行的方向转动印刷辊，将填充在槽中的抗蚀剂转移到印刷辊上；以及通过沿着基板上的刻蚀对象层转动印刷辊，把抗蚀剂涂覆到刻蚀对象层上。2.根据权利要求1的方法，其中在底版的槽内填充抗蚀剂的步骤包括以下步骤在底版上涂覆抗蚀剂；通过在底版表面上以一个推动方向推动刮板，把抗蚀剂填充到槽中，以使抗蚀剂把槽填平；以及把除了槽内部分之外留在底版表面上的多余抗蚀剂除去。3.根据权利要求2的方法，其中推动方向与底版内形成的图形的最长部分的纵向平行，也就是与底版中的最长槽平行。4.根据权利要求1的方法，其中刻蚀对象层包括金属层。5.根据权利要求1的方法，其中刻蚀对象层包括由SiOx或SiNx组成的绝缘层。6.根据权利要求1的方法，其中刻蚀对象层包括半导体层。7.根据权利要求1的方法，进一步包括为具有沿着最长部分的纵向的第一图形特征和从第一图形特征伸出的第二图形特征的图形提供一底版，其中第二图形特征的一侧与第一图形特征的最长...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵昭行，赵容振，李东勋，
申请(专利权)人：LG飞利浦LCD有限公司，
类型：发明
国别省市：