半导体片的分割方法技术

一种半导体片的分割方法，当把在由直道划分的多个区域中形成有电路的半导体片分割成各个电路的半导体芯片时，至少用遮盖构件１５覆盖半导体片Ｗ的电路面，通过激光光线的照射来除去覆盖着直道Ｓ的上部的遮盖构件１５，对除去覆盖直道Ｓ的上部的遮盖构件１５的半导体片Ｗ进行化学蚀刻，侵蚀直道，分割成各个半导体芯片Ｃ。因为不需要光掩膜或曝光装置，所以经济并且简便，因为不用切削半导体片，所以能形成没有缺陷或剥落的半导体片芯片。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过化学蚀刻处理分割半导体片来作为各芯片的半导体片分割方法。
技术介绍
图10所示的半导体片W通过胶带T与框F成为一体。在半导体片W的表面上，直道S隔开一定间隔排列成格子状，在由直道S划分的多个矩形区域中形成电路。而且，通过使用旋转刀切削直道S而形成各半导体芯片但是，在利用旋转刀进行的切削中存在以下问题有时在半导体芯片的外周产生细小的缺陷或应力，由于该缺陷或应力而导致抗折强度下降，由于外力或加热周期而使半导体芯片容易破损，寿命缩短。例如在厚度50μm以下的半导体芯片中，所述缺陷或应力就成为致命的问题。因此，正在研究不使用旋转刀，而通过化学蚀刻处理来分割半导体片的方法。该方法首先在形成了电路的半导体片W的表面上形成光致抗蚀剂膜，使用光掩膜仅使直道的上部曝光，除去因曝光而变质的光致抗蚀剂膜后，通过蚀刻对直道进行侵蚀来分割成各个半导体片。但是，在上述方法中，为了仅使覆盖直道的上部的光致抗蚀剂膜曝光，必须准备多种与半导体片W的大小以及直道间隔单独对应的光掩膜，所以存在着经济上不合算并且管理繁琐这样的问题。另外，还存在以下问题因为需要使形成在半导体片W的表面的直道S和与它对应形成在光掩模上的对应部分进行精密位置对位来进行曝光的曝光装置和用于除去因曝光而变质的胶带构件的除去装置，所以会导致设备投资的增大。而且，当使用靠蚀刻处理无法除去的材料在半导体片W的直道S上形成了对齐标记等图案时，存在着实质上无法分割半导体片W这样的问题。为了解决这样的问题，例如特开2001-127011号公报所公开的专利技术那样，提出了由光致抗蚀剂膜覆盖半导体片的整个电路面，使用旋转刀用机械方法除去覆盖直道的上部的光致抗蚀剂膜，然后用化学方法蚀刻、分割成各个半导体芯片的方法。但是，利用该方法时，在除去直道的上部的光致抗蚀剂膜时，有时旋转刀也会切入半导体片，以至在半导体片中产生缺陷，导致抗折强度下降。特别是，当为在硅片上层叠了多个极薄的层间绝缘膜(低介电常数绝缘膜)的多层构造的半导体片时，如果旋转刀的切入量哪怕稍微大一点，也有可能会使旋转刀切入绝缘膜中，使绝缘膜象云母那样剥落。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于在通过化学蚀刻处理来分割半导体片时，用经济效益好的方法来形成没有缺陷、应力、剥离等的高质量的芯片。本专利技术是一种，把在由直道划分的多个区域中形成有电路的半导体片分割成各个电路的半导体芯片，包括至少用遮盖构件遮盖半导体片的电路面的遮盖步骤；通过激光光线的照射除去覆盖直道的上部的遮盖构件的遮盖构件除去步骤；对除去了覆盖着直道的上部的遮盖构件的半导体片进行化学蚀刻，通过侵蚀直道来分割成各个半导体芯片的化学蚀刻处理步骤。而且，所述把以下各项作为附加要件在遮盖构件除去步骤中，在利用激光光线除去遮盖构件之前，在直道的上部的遮盖构件上形成切削沟，使遮盖构件的切削剩余部的厚度均匀，然后向切削沟的底部照射激光光线，除去遮盖构件；半导体片是在半导体衬底上形成多层布线的半导体片，在直道上层叠着层间绝缘膜；当在直道上形成通过化学蚀刻无法除去的覆盖层时，在遮盖构件除去步骤中，向直道上照射激光光线，除去覆盖层；化学蚀刻步骤中的化学蚀刻处理是基于氟类气体的干蚀刻处理；半导体片的厚度为50μm以下。在采用所述结构的中，用遮盖构件覆盖半导体片的电路面，通过激光光线除去直道上的遮盖构件后，通过用化学方法蚀刻直道，分割为各半导体片，所以不使用光掩膜、曝光装置等，就能形成没有缺陷等的抗折强度高的半导体片芯片。另外，当分割层叠多个极薄的层间绝缘膜时，通过使用激光光线，不对层间绝缘膜施加象切削那样的冲击力，所以层间绝缘膜不会象云母那样剥落。而且，当除去直道上的遮盖构件时，如果预先通过切削来形成切削沟之后，形成切削剩余部，然后，通过激光光线除去切削剩余部，这样一来，就能使切削剩余部的厚度均匀，所以可以不用改变激光光线的扫描速度、电压，而以一定值进行照射。附图说明下面简要说明附图。图1A是表示遮盖步骤的刚结束后的半导体片W的状态的说明图。图1B是表示遮盖构件除去步骤刚结束之后的半导体片W的状态的说明图。图1C是表示化学蚀刻处理步骤刚结束后的半导体片W的状态的说明图。图2是表示遮盖步骤中使用的旋转镀膜机一例的立体图。图3是表示遮盖构件除去步骤中使用的激光加工装置一例的立体图。图4是表示化学蚀刻处理步骤中使用的干蚀刻装置一例的立体图。图5是表示同一干蚀刻装置的搬出搬入室和处理室的剖视图。图6是表示同一干蚀刻装置的处理室和气体供给部的结构的说明图。图7A是表示遮盖步骤结束后的半导体片W的状态的说明图。图7B是表示遮盖构件除去步骤中的切削沟形成后的半导体片W的状态的说明图。图7C是表示遮盖构件除去步骤刚结束后的半导体片W的状态的说明图。图7D是表示化学蚀刻处理步骤刚结束后的半导体片W的状态的说明图。图8是表示遮盖构件除去步骤中的切削沟形成中使用的切削装置一例的立体图。图9是表示设定构成同一切削装置的切削部件基准位置的样子的说明图。图10是表示通过保持胶带与框成为一体的半导体片的平面图。具体实施例方式首先，参照图1A～图6来说明用于实施本专利技术的优选实施例1。图1A、图1B、图1C是按步骤顺序表示本专利技术的，图1A是表示遮盖步骤的刚结束后的半导体片W的状态的说明图；图1B是表示遮盖构件除去步骤刚结束之后的半导体片W的状态的说明图；图1C是表示化学蚀刻处理步骤刚结束后的半导体片W的状态的说明图。在遮盖步骤中，例如使用图2所示的旋转镀膜机10，在半导体片W的表面形成遮盖构件。在旋转镀膜机10中，保持半导体片W的保持台11由驱动部12驱动，能旋转，在堵塞环状的框F的开口部而从背面一侧粘贴的胶带T的粘贴面上粘贴半导体片W的背面，通过胶带T与框F成为一体的半导体片W使电路面向上，保持在保持胶带11上。而且，通过一边使保持台11高速旋转，一边从滴下部13向半导体片W的电路面上滴下抗蚀剂聚合物，如图1A所示，使电路面的一面由遮盖构件15遮盖(遮盖步骤)。在此，为了高效地进行以后的步骤，遮盖构件15的厚度最好为10μm～50μm以下。须指出的是，遮盖构件15并不局限于如上所述那样，通过旋转镀膜而形成的抗蚀剂膜，也可以是粘贴在半导体片W上那样类型的胶带等。接着，在遮盖构件除去步骤中，在遮盖步骤中遮盖的遮盖构件15中，只除去覆盖半导体片W的电路面上形成的直道的上部的部分。在遮盖构件除去步骤中，例如使用图3所示的激光加工装置20。在该激光加工装置20中，通过胶带T与框F成为一体，并且表面被遮盖构件15覆盖的多个半导体片W收容在盒子21中。而且，与框F成为一体，并且表面被遮盖构件15覆盖的半导体片W一片一片由搬出入部件22取出到临时放置区23，由输送部件24吸附，输送到固定台25上进行保持。接着，通过使固定台25在+X方向移动，半导体片W首先位于对齐部件26的正下方，在在此检测直道，进行该直道和构成激光照射部件27的照射部28的Y轴方向的对位(对齐)。须指出的是，当遮盖构件15为半透明时，通过使用红外线进行对齐，能透射遮盖构件15检测直道。如果这样进行对位，就通过固定台25在+X方向移动，从照射部28向检测的直道的上部的遮盖构件15照射激光光线，除去照射的部分的遮盖构件15。然后，一边按每个直道间隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体片的分割方法，把在由直道划分的多个区域中形成有电路的半导体片分割成各个电路的半导体芯片，其特征在于：包括：至少用遮盖构件来遮盖该半导体片的电路面的遮盖步骤；利用激光光线的照射来除去覆盖着该直道的上部的遮盖构件的遮盖 构件除去步骤；对除去了覆盖着该直道的上部的遮盖构件的半导体片进行化学蚀刻，侵蚀该直道而分割成各个半导体芯片的化学蚀刻处理步骤。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-25 047864/20021.一种半导体片的分割方法，把在由直道划分的多个区域中形成有电路的半导体片分割成各个电路的半导体芯片，其特征在于包括至少用遮盖构件来遮盖该半导体片的电路面的遮盖步骤；利用激光光线的照射来除去覆盖着该直道的上部的遮盖构件的遮盖构件除去步骤；对除去了覆盖着该直道的上部的遮盖构件的半导体片进行化学蚀刻，侵蚀该直道而分割成各个半导体芯片的化学蚀刻处理步骤。2.根据权利要求1所述的半导体片的分割方法，其特征在于在遮盖构件除去步骤中，在利用激光光线除去遮盖构件之前，在直道的上部的遮盖构件上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]