本实用新型专利技术提供一种UVLED封装支架及UVLED灯珠，其中，本实用新型专利技术提供的一种UVLED封装支架，包括：基板、围坝、焊盘和导电层，所述围坝凸设在所述基板的一面上，所述焊盘设置在所述基板上，且所述焊盘位于所述围坝围成的凹腔内，所述导电层设置在所述基板背向所述围坝的一面上；所述焊盘内具有电性相反且相互分隔的第一焊盘和第二焊盘，所述焊盘内还具有过渡区，所述过渡区位于所述第一焊盘和第二焊盘之间。本实用新型专利技术提供的UVLED封装支架，用以至少解决现有的UVLED封装支架难以加工成与供电电压直接匹配的UVLED灯珠的技术问题。压直接匹配的UVLED灯珠的技术问题。压直接匹配的UVLED灯珠的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
一种UVLED封装支架及UVLED灯珠
[0001]本技术涉及LED封装
，尤其涉及一种UVLED封装支架及UVLED灯珠。
技术介绍
[0002]紫外(Ultraviolet，UV)发光二极管(Light Emitting Diode，LED)即紫外光源，是LED的一种广泛被使用的光源，UVLED的波长范围为：200
‑
400nm，是单波长的不可见光，发出特定波长的紫外线的UVLED在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景。相对于紫外光源汞灯，UVLED具备环保、小巧便携、低功耗、低电压等诸多众所周知的优点,近年来受到越来越多的关注。
[0003]通常UVLED芯片的额定电压在5V至7V之间，其接入的电流越大则功率越大，由UVLED封装支架及封装在UVLED封装支架上的UVLED芯片得到的UVLED灯珠在实际应用中存在着诸多不便。例如在以直流电(direct current，DC)12V或24V为输出标准的供电体系下，额定电压在5V至7V的UVLED灯珠不能与常用的12V或24V的供电电压相匹配，可以采用将UVLED灯珠连接外接电阻或驱动芯片的方式来进行分压,但是超出的电压分配至电阻或驱动芯片上，会导致电阻或驱动芯片发热，且电流越大发热越严重，电能利用效率低，影响到UVLED灯珠的可靠性和使用寿命。
[0004]因此，急需发展一种UVLED封装支架及UVLED灯珠，使其在不改变封装工艺的前提下，可以直接匹配常用的供电电压。
技术内容
[0005]本技术提供一种UVLED封装支架及UVLED灯珠，用以至少解决现有的UVLED封装支架难以加工成与供电电压直接匹配的UVLED灯珠的技术问题。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供一种UVLED封装支架，包括：基板、围坝、焊盘和导电层，所述围坝凸设在所述基板的一面上，所述焊盘设置在所述基板上，且所述焊盘位于所述围坝围成的凹腔内，所述导电层设置在所述基板背向所述围坝的一面上；所述焊盘内具有电性相反且相互分隔的第一焊盘和第二焊盘，所述焊盘内还具有过渡区，所述过渡区位于所述第一焊盘和第二焊盘之间。
[0007]本技术提供的一种UVLED封装支架中，所述焊盘内具有位于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的过渡区，设置所述过渡区便于实现在UVLED封装支架上串联安装至少两个UVLED芯片，因而无需在封装过程中对至少两个UVLED芯片实施焊线互连。因此，本技术提供的一种UVLED封装支架便于加工成结构紧凑的UVLED灯珠，使得在不改变现有封装工艺的前提下，可以加工成用于直接匹配常用的12V供电电源的UVLED灯珠。
[0008]在一种可能实施的方式中，所述过渡区内设置有第三焊盘和第四焊盘，所述第三焊盘和所述第四焊盘相互连通或通过沟槽相互分隔，且所述第三焊盘和所述第四焊盘电性连接。
[0009]在一种可能实施的方式中，所述导电层上电性连接有第一引脚和第二引脚，所述
第一引脚和所述第二引脚的电性相反且相互分隔。
[0010]在一种可能实施的方式中，所述基板上开设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔位于所述第一焊盘上，所述第一焊盘通过所述第一通孔内填充的导电物质与所述第一引脚电性连接；所述第二通孔位于所述第二焊盘上，所述第二焊盘通过所述第二通孔内填充的导电物质与所述第二引脚电性连接。
[0011]在一种可能实施的方式中，所述基板上还开设有第三通孔和第四通孔，所述第三通孔位于所述第三焊盘上，所述第四通孔位于所述第四焊盘上；
[0012]所述第三焊盘通过所述第三通孔内填充的导电物质与所述导电层电性连接，所述第四焊盘通过所述第四通孔内填充的导电物质与所述导电层电性连接；或所述第三焊盘通过所述第三通孔内填充的导电物质电连接至外接电路，所述第四焊盘通过所述第四通孔内填充的导电物质电连接至外接电路。
[0013]在一种可能实施的方式中，所述第一焊盘和所述第二焊盘之间通过所述沟槽相互分隔；所述沟槽的宽度为100um～300um。
[0014]本技术还提供一种UVLED灯珠，包括第一UVLED芯片、第二UVLED芯片、透明件和权利要求
‑
任一项所述的UVLED封装支架；所述第一UVLED芯片层叠设置在所述UVLED封装支架的第一焊盘和第三焊盘上，且所述第一UVLED芯片横跨耦接到所述第一焊盘的至少一部分和所述第三焊盘的至少一部分；所述第二UVLED芯片层叠设置在所述UVLED封装支架的第二焊盘和第四焊盘上，且所述第二UVLED芯片横跨耦接到所述第二焊盘的至少一部分和所述第四焊盘的至少一部分；所述第一UVLED芯片和所述第二UVLED芯片相互串联；所述透明件密封设置在所述UVLED封装支架的围坝上。
[0015]本技术提供的UVLED灯珠，由于采用了上述的UVLED封装支架，因而其额定电压在10V至12V之间，12V的直流电源供电时，不再需要连接外接电阻或驱动电路来分摊过多电压，提高电能利用效率，提高可靠性。
[0016]在一种可能实施的方式中，还包括一个齐纳二极管芯片，所述齐纳二极管芯片层叠设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘上，且所述齐纳二极管芯片横跨耦接到所述第一焊盘的至少一部分和所述第二焊盘的至少一部分。
[0017]在一种可能实施的方式中，还包括两个齐纳二极管芯片，所述两个齐纳二极管芯片中的一个层叠设置在所述第一焊盘和所述第四焊盘上，且所述齐纳二极管芯片中的一个横跨耦接到所述第一焊盘的至少一部分和所述第四焊盘的至少一部分；和/或
[0018]所述两个齐纳二极管芯片中的另一个层叠设置在所述第二焊盘和所述第三焊盘上，且所述两个齐纳二极管芯片中的另一个横跨耦接到所述第二焊盘的至少一部分和所述第四焊盘的至少一部分。
[0019]在一种可能实施的方式中，所述第一UVLED芯片的个数大于等于1，所述第二UVLED芯片的个数大于等于1，所述第一UVLED芯片的个数与所述第二UVLED芯片的个数相同或不同。
[0020]在一种可能实施的方式中，所述第一UVLED芯片的峰值波长范围为250nm～320nm，所述第二UVLED芯片的峰值波长范围为250nm～320nm，所述第一UVLED芯片的峰值波长与所述第二UVLED芯片的峰值波长相同或不同。
[0021]在一种可能实施的方式中，所述第一UVLED芯片为倒装结构芯片或垂直结构芯片；
和/或所述第二UVLED芯片为倒装结构芯片或垂直结构芯片。
[0022]在一种可能实施的方式中，所述第一UVLED芯片的额定电压为5V～7V，所述第二UVLED芯片的额定电压为5V～7V，且所述第一UVLED芯片的额定电压与所述第二UVLED芯片的额定电压之和小于等于12V。
[0023]本技术提供的UVLED灯珠，在不改变封装工艺的前提下，可以进行封装加工成直接匹配常用的12V供电电源，无需在封装过程中对至少两个UVL本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种UVLED封装支架，其特征在于，包括：基板(10)、围坝(20)、焊盘(60)和导电层(70)，所述围坝(20)凸设在所述基板(10)的一面上，所述焊盘(60)设置在所述基板(10)上，且所述焊盘(60)位于所述围坝(20)围成的凹腔(21)内，所述导电层(70)设置在所述基板(10)背向所述围坝(20)的一面上；所述焊盘(60)内具有电性相反且相互分隔的第一焊盘(61)和第二焊盘(62)，所述焊盘(60)内还具有过渡区，所述过渡区位于所述第一焊盘(61)和第二焊盘(62)之间。2.根据权利要求1所述的UVLED封装支架，其特征在于，所述过渡区内设置有第三焊盘(63)和第四焊盘(64)，所述第三焊盘(63)和所述第四焊盘(64)相互连通或通过沟槽(65)相互分隔，且所述第三焊盘(63)和所述第四焊盘(64)电性连接。3.根据权利要求2所述的UVLED封装支架，其特征在于，所述导电层(70)上电性连接有第一引脚(71)和第二引脚(72)，所述第一引脚(71)和所述第二引脚(72)的电性相反且相互分隔。4.根据权利要求3所述的UVLED封装支架，其特征在于，所述基板(10)上开设有第一通孔(11)和第二通孔(12)，所述第一通孔(11)位于所述第一焊盘(61)上，所述第一焊盘(61)通过所述第一通孔(11)内填充的导电物质与所述第一引脚(71)电性连接；所述第二通孔(12)位于所述第二焊盘(62)上，所述第二焊盘(62)通过所述第二通孔(12)内填充的导电物质与所述第二引脚(72)电性连接。5.根据权利要求4所述的UVLED封装支架，其特征在于，所述基板(10)上还开设有第三通孔(13)和第四通孔(14)，所述第三通孔(13)位于所述第三焊盘(63)上，所述第四通孔(14)位于所述第四焊盘(64)上；所述第三焊盘(63)通过所述第三通孔(13)内填充的导电物质与所述导电层(70)电性连接，所述第四焊盘(64)通过所述第四通孔(14)内填充的导电物质与所述导电层(70)电性连接；或所述第三焊盘(63)通过所述第三通孔(13)内填充的导电物质电连接至外接电路，所述第四焊盘(64)通过所述第四通孔(14)内填充的导电物质电连接至外接电路。6.根据权利要求2
‑
5任一所述的UVLED封装支架，其特征在于，所述第一焊盘(61)和所述第二焊盘(62)之间通过所述沟槽(65)相互分隔；所述沟槽(65)的宽度为100um～300um。7.一种UVLED灯珠，其特征在于，包括第一UVLED芯片(40)、第二UVLED芯片(80)、透明件(30)和权利要求1
‑
6任一项所述的UVLED封装支架；所述第一UVLED芯片(40)层叠设置在...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚禹，郑远志，康建，陈向东，
申请(专利权)人：圆融光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。