【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米硅丝的生长方法。
技术介绍
纳米材料以其优异的性能现在正得到越来越多的关注。纳米硅丝由于其量子局域效应，具有良好的红光发射性能，可望与传统的硅基大规模集成电路结合，在光电器件中得到应用。此外，通过对纳米硅丝掺杂，可制备出纳米尺度的微型二极管和三极管，在纳米电子领域发挥重要作用。但是到目前为止，低成本大产率的制备纳米硅丝的方法还比较缺乏。纳米硅丝目前的制备方法一般有激光烧蚀法、加热硅和硅氧化物粉末、气相沉积法等，这些方法的普遍缺点是制备时间过长，制备温度高，导致产率低，成本过高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种。本专利技术方法步骤如下首先将抛光硅片进行化学清洗，去除硅片表面的杂质，然后利用镀膜设备在硅片表面镀一层金属膜作为催化剂，再将其置入快速热处理设备中，在1～10秒内升温至800～1250℃，于保护气下热处理10～500秒，冷却，可在硅片表面产生大量硅纳米丝。上述的金属膜可以是任意一种金属膜，如金、镍、铁，通常，为了制备方便，以采用金膜为好。所说保护气可以是氩气或氮气。本专利技术采用快速热处理，在镀催化剂的硅片表面生长纳米硅丝，热处理时间短，只需要几十秒就可制备出大量的纳米硅丝，设备简单，成本低，产率高，可望大规模推广使用。附图说明图1是用本专利技术方法制得的样品表面扫描电镜照片。具体实施例方式采用2×2cm单面抛光的P型<100>单晶硅片，电阻率10～12Ω·cm作为衬底材料，用弱氢氟酸(5％)、丙酮和去离子水先后清洗，待烘干后用镀膜机在表面镀一层薄金膜作为催化剂。随后将样品置入快速热处理设备的样...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.快速生长纳米硅丝的方法，其特征是步骤如下首先将抛光硅片进行化学清洗，去除硅片表面的杂质，然后利用镀膜设备在硅片表面镀一层金属膜作为催化剂，再将其置入快速热处理设备中，在1～10秒内升温至800～125...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。