【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种,特别涉及一种以直接接触方式将热电阻与接着金属整合于喷墨头和集成电路组件制造方法。
技术介绍
在一般制造方法中,由于通常微机电与集成电路制造厂为分别的厂商,将集成电路装置以及微机电组件分为两独立的制造流程,故通常是在集成电路制造厂先完成集成电路所有装置制造方法后,再送入微机电系统制造厂,进行微机电组件制造方法。但是集成电路装置及微机电组件制造方法中,常有使用相同的沉积金属、介电层以及蚀刻介层洞等薄膜制造方法的步骤,因而造成许多生产成本的重复增加以及浪费。此外,在微机电组件与集成电路整合制造方法中,喷嘴与微机电开关常使用到热电阻连接集成电路中的金属导线,作为加热作用。如图1所示,为公知微机电组件中,使用有热电阻的局部剖面图。其中,传统使用热电阻作为加热组件时,是在结构层1上先沉积并蚀刻形成热电阻层2,再沉积一介电层3并蚀刻出介层洞5,最后沉积金属层4,与其余部分的集成电路组件同时进行布线。上述传统制造方法,由于金属层4是通过介层洞5才与热电阻2接触,故不仅热电阻2与金属层4接触面积减少,且增加金属层4沉积时填充介层洞5问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题为提供一种整合集成电路组件和微机电系统制造方法,包括下列步骤提供一基板,具有一集成电路(IC)组件区以及一微机电系统(MEMS)组件区,其中上述集成电路组件区形成有一集成电路组件;沉积一绝缘层于上述集成电路组件区以及上述微机电系统组件区上;蚀刻上述绝缘层,在上述集成电路组件区形成多个导孔;形成一结构层在上述微机电系统组件区上;沉积一金属层在上述基板并填入上述等导孔内;形成一热电 ...
【技术保护点】
一种整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,包括下列步骤: 提供一基板,具有一集成电路组件区以及一微机电系统组件区,其中该集成电路组件区形成有一集成电路组件; 沉积一绝缘层于该集成电路组件区以及微机电系统组件区上; 蚀刻该绝缘层,在该集成电路组件区形成多个导孔; 形成一结构层于该微机电系统组件区上; 沉积一金属层于该基板并填入上述多个导孔内; 形成一热电阻于该微机电系统组件区,并与该金属层直接接触;以及 蚀刻该金属层以定义一金属线路。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,包括下列步骤提供一基板,具有一集成电路组件区以及一微机电系统组件区,其中该集成电路组件区形成有一集成电路组件;沉积一绝缘层于该集成电路组件区以及微机电系统组件区上;蚀刻该绝缘层,在该集成电路组件区形成多个导孔;形成一结构层于该微机电系统组件区上;沉积一金属层于该基板并填入上述多个导孔内;形成一热电阻于该微机电系统组件区,并与该金属层直接接触;以及蚀刻该金属层以定义一金属线路。2.如权利要求1所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该集成电路组件区包含一互补式金氧半导体晶体管。3.如权利要求1所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该绝缘层为硼硅酸磷玻璃或磷玻璃。4.如权利要求3所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,还包括一快速热制造方法,以对绝缘层进行退火。5.如权利要求1项所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该绝缘层厚度为6500~11000。6.如权利要求1所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该微机电系统组件区包括有一微机电组件。7.如权利要求6所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该微机电组件为一微喷嘴或微机电开关。8.如权利要求1所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该结构层为氮化硅,且厚度为10000。9.如权利要求1所述整合集成电路组件和微机电系统制造方法,其特征在于该热电阻为氮化钛或铝化钽。10.如权利要求1所述整合集成电路组件和微机电系统制造方法,其特征在于在该热电阻形成步骤中,包含沉积该热电阻的材料层于微机电组件区,并直接与该金属层接触;以及对该热电阻的材料层进行干蚀刻。11.如权利要求10所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该热电阻材料层以化学气相沉积或是物理气相沉积方式形成。12.如权利要求10所述整合集成电路组件和微机电系统的制造方法,其特征在于该热电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员:江禄山,朱世麟,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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