湿蚀刻装置制造方法及图纸

一种湿蚀刻装置，至少包括：　　　　一第一储存槽，用以储存一作为湿蚀刻反应用的化学物质的第一液体；　　　　一过滤器（ｆｉｌｔｅｒ），包括至少一滤芯，连接该第一储存槽，用以过滤该第一液体中的杂质；　　　　一第二储存槽，连接该过滤器且与该第一储存槽呈并联状态，用以储存一第二液体；　　　　一反应室，连接该过滤器，在该反应室内进行湿蚀刻反应；　　　　一排液组件，连接该过滤器，与该反应室呈并联状态，　　　　一第一泵（ｐｕｍｐ），将该第一液体经由该过滤器，运送至该反应室；以及　　　　一第二泵，将该第二液体经由该过滤器，运送至该排液组件，将该第二液体排出该湿蚀刻装置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种湿蚀刻装置，特别是涉及一种具有自动清洗滤芯功能的湿蚀刻装置。
技术介绍
请参考图1，其显示一现行半导体制作工艺中，特别是TFT-LCD的薄膜晶体管制作工艺中，用于对一玻璃基板进行蚀刻制作工艺的湿蚀刻装置100的蚀刻模块。其中容量为约150L的储存槽102、104内储存有蚀刻液10，并通过一蚀刻液管路系统，供应反应室122所需要的蚀刻液10，再经由一回收系统(未绘示于图面)将蚀刻液10回收至储存槽102、104循环使用，而上述供应反应室122所需要的蚀刻液10的蚀刻液管路系统还包括供应蚀刻液10在上述蚀刻液管路系统流动时所需动力的泵(pump)162、分别管制蚀刻液10流出储存槽102与104的阀门(valve)131与132、管制蚀刻液10流出泵162的阀门133、包括有一或多个滤芯117且用来过滤蚀刻液10中杂质的过滤器111与112、分别管制蚀刻液10流进过滤器111与112的阀门134与135、以及分别管制蚀刻液10由过滤器111与112流向反应室122的阀门137与136；另外，容量为约270L的储存槽106、108内储存有蚀刻液10，并通过一与上述具有类似结构的蚀刻液管路系统，分别或共同供应反应室124、126所需要的蚀刻液10，因此上述分别或共同供应反应室124、126所需要的蚀刻液10的蚀刻液管路系统的结构就不再标示与详述。而在上述的蚀刻液管路系统中，也可以只使用一组或二组以上的过滤器。而在上述的湿蚀刻装置100的蚀刻液管路系统中使用二组过滤器111、112的好处在于在过滤器111作维修或维护时，可控制阀门134、135、136、137的开关，而使用过滤器112来过滤蚀刻液10，反之亦然，使湿蚀刻装置100不需要停机就可以在运转时同时作维修或维护。在对一玻璃基板上的SiOx/SiNy层进行湿蚀刻时，所使用的蚀刻液10例如为BHF(HF+NH4F+界面活性剂)等含有界面活性剂的蚀刻液，而在反应室122、124、126对上述玻璃基板进行蚀刻时，以喷洒再加浸泡蚀刻液10的方式使蚀刻液10与上述玻璃基板之SiOx/SiNy层发生化学反应，而在上述的化学反应过程中会产生一些反应物与气泡，而在蚀刻液10循环使用的过程中，上述的反应物与气泡会附着在滤芯117上，使生产80～200片玻璃基板后，持续累积的反应物与气泡会使滤芯117阻塞。上述阻塞滤芯117的反应物为可溶的但较难溶于水的物质，而气泡则会随时间的流逝而逐渐消散。因此传统上在生产80～200片玻璃基板后，以手动的方式不断地将水引入过滤器111或112，通过水的循环来冲洗滤芯117。然而，上述手动操作的方式容易在开关阀门时操作错误，将水引入反应室112、124、或126中，造成正在反应中的蚀刻液10的浓度下降，使得正在进行蚀刻反应的玻璃基板上的SiOx/SiNy层蚀刻率异常，使得所生产的玻璃基板必须报废，而对玻璃基板的合格率、生产成本、与交货时程等，均有不良影响；另外，上述手动操作的方式需要配置人力来作处理，也对生产时的人力成本有不良影响；再者，使用上述传统的湿蚀刻装置作业时，有时候会在滤芯117已完全阻塞而使蚀刻液10无法进入反应室122而发出异常警示灯号与声响时，才知道必须清洁滤芯117，然而此时滤芯117已完全阻塞，以上述冲洗的方式很难让水进入滤芯117内来达到清洗的效果，而必须更换新的滤芯117，而在更换滤芯所需的时间与耗材方面，更对生产成本与产出(throughput)有不良影响。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种湿蚀刻装置，与传统的湿蚀刻装置比较，本专利技术的湿蚀刻装置还提供一可对过滤器进行水洗的组件，可使用一可编程逻辑控制器(programmable logic controller；PLC)来控制上述可对过滤器进行水洗的组件，而能够在一定的生产周期后，对本专利技术的湿蚀刻装置的过滤器执行自动水洗的步骤，以避免操作错误，因而可以提高产品的生产合格率、降低生产成本、与缩短交货时程。本专利技术的另一目的在于提供一种湿蚀刻装置，与传统的湿蚀刻装置比较，本专利技术的湿蚀刻装置还提供一可对过滤器进行水洗的组件，可减少对湿蚀刻机台的人力配置、节省更换滤芯所需的时间与耗材，因而降低人力与材料成本而能进一步对生产成本的降低有所帮助。为达成本专利技术的上述目的，本专利技术提供一种湿蚀刻装置，至少包括一第一储存槽，用以储存一作为湿蚀刻反应用的化学物质的第一液体；一过滤器，包括至少一滤芯，连接上述第一储存槽，用以过滤上述第一液体中的杂质；一第二储存槽，连接上述过滤器且与上述第一储存槽呈并联状态，用以储存一第二液体；一反应室，连接上述过滤器，在上述反应室内进行湿蚀刻反应；一排液组件，连接上述过滤器，与上述反应室呈并联状态，一第一泵，将上述第一液体经由上述过滤器，运送至上述反应室；以及一第二泵，将上述第二液体经由上述过滤器，运送至上述排液组件，将上述第二液体排出上述湿蚀刻装置，以达成自动清洗过滤器的功能。附图说明图1为一示意图，其显示传统的湿蚀刻装置的蚀刻模块；图2为一示意图，其显示本专利技术的湿蚀刻装置的蚀刻模块；图3为一示意图，其显示一PLC与本专利技术的湿蚀刻装置的蚀刻模块的连接。具体实施例方式请参考图2，其显示本专利技术的湿蚀刻装置200的蚀刻模块，包括蚀刻液管路系统与清洁液管路系统。其中容量为约150L的储存槽202、204内储存有蚀刻液10，并通过上述的蚀刻液管路系统供应反应室222所需要的蚀刻液10，再经由一回收系统(未绘示于图面)将蚀刻液10回收至储存槽202、204循环使用，而上述供应反应室222所需要的蚀刻液10的蚀刻液管路系统还包括供应蚀刻液10在上述蚀刻液管路系统流动时所需动力的泵(pump)262、分别管制蚀刻液10流出储存槽202与204的阀门(Valve)231与232、管制蚀刻液10流出泵262的阀门233、包括有一或多个滤芯217且用来过滤蚀刻液10中杂质的过滤器211与212、分别管制蚀刻液10流进过滤器211与212的阀门234与235、以及分别管制蚀刻液10由过滤器211与212流向反应室222的阀门237与236；另外，容量为约270L的储存槽206、208内储存有蚀刻液10，并通过一与上述具有类似结构的蚀刻液管路系统，分别或共同供应反应室224、226所需要的蚀刻液10，因此上述分别或共同供应反应室224、226所需要的蚀刻液10的蚀刻液管路系统的结构就不再标示与详述。而在清洁液管路系统方面，清洁滤芯217所需要的清洁液20，较好为去离子水(D.I.water)，储存于一容量为约50L的储存槽203内，在需要清洁滤芯217时，通过上述的清洁液管路系统供应清洁滤芯217所需要的清洁液20，而上述供应清洁滤芯217所需要的清洁液20的清洁液管路系统还包括供应清洁液20在上述清洁液管路系统流动时所需动力的泵263、分送清洁液20到各过滤器的管线271、分别管制清洁20流进过滤器211与212的阀门272与273、以及分别管制清洁液20由过滤器211与212流向一用以回收清洁液20的管线276的阀门275与274。另外，在本专利技术的较佳实施例中，在对供应反应室224、226所需要的蚀刻液10的蚀刻液管路系统中的滤芯218、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿蚀刻装置，至少包括一第一储存槽，用以储存一作为湿蚀刻反应用的化学物质的第一液体；一过滤器(filter)，包括至少一滤芯，连接该第一储存槽，用以过滤该第一液体中的杂质；一第二储存槽，连接该过滤器且与该第一储存槽呈并联状态，用以储存一第二液体；一反应室，连接该过滤器，在该反应室内进行湿蚀刻反应；一排液组件，连接该过滤器，与该反应室呈并联状态，一第一泵(pump)，将该第一液体经由该过滤器，运送至该反应室；以及一第二泵，将该第二液体经由该过滤器，运送至该排液组件，将该第二液体排出该湿蚀刻装置。2.如权利要求1所述的湿蚀刻装置，还包括一第一阀门，位于该第一储存槽与该过滤器之间；一第二阀门，位于该过滤器与该反应室之间；一第三阀门，位于该第二储存槽与该过滤器之间；以及一第四阀门，位于该过滤器与该排液组件之间。3.如权利要求2所述的湿蚀刻装置，其中该第一泵是装置在该第一阀门与该第一储存槽之间。4.如权利要求2所述的湿蚀刻装置，其中该第二泵是装置在该第三阀门与该第二储存槽之间。5.如权利要求1所述的湿蚀刻装置，其中该第二液体为一清洁液。6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林祺桉，郭国鸿，官大新，骆伯一，杨名显，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：