一体式真空镀膜设备制造技术

本申请提供了一体式真空镀膜设备，包括工艺室、所述工艺室的侧壁开设有室门，在室门部位通过铰链安装有翻转式的门板，所述门板具有朝向所述工艺室的内侧以及背向所述工艺室的外侧，所述门板的内侧安装有用以实施磁控溅射的阴极模组；所述门板上设有过气口，所述门板的外侧设有处在所述过气口外围的法兰连接座，在所述法兰连接座上安装有分子泵，所述分子泵的吸气端与所述过气口相互连通。本申请的一体式真空镀膜设备具有合理的空间布局，有效增加阴极模组的安装位以及保证镀膜均匀性。阴极模组的安装位以及保证镀膜均匀性。阴极模组的安装位以及保证镀膜均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一体式真空镀膜设备


[0001]本申请涉及真空镀膜
，特别是涉及一体式真空镀膜设备。

技术介绍

[0002]真空镀膜设备在密封状态时，通过分子泵的抽空系统抽空，腔体内的真空度可达1.0E
‑
5Pa。这时再通过气体质量流量控制器等设备控制工艺气体进入真空腔体内，进行真空压力的调节，使真空度在1.0E
‑
1Pa至1Pa这个良好的镀膜真空度区间内。
[0003]分子泵与溅射用阴极是真空镀膜设备满足真空溅射镀膜工艺条件的关键设备。现有真空镀膜设备布局：阴极模组是独立安装在阴极安装法兰上面，工艺气路组件安装在阴极附近，上面不会再安装其他设备；分子泵在安装在阴极左右两侧的分子泵安装法兰上面，从而实现工艺气路里面通出来的气氛经过阴极靶面后再由旁边的分子泵抽走，该布局具有相对气氛干扰较小，而且可安装多个分子泵以实现镀膜的均匀性控制，镀膜均匀性高。但是分子泵会占用阴极模组安装位置，设计腔体时需考虑分子泵安装位，整个真空镀膜设备的设计加工成本很高。

技术实现思路

[0004]针对现有技术问题，本申请提供了一体式真空镀膜设备集分子泵与阴极背向安装于同一门板上，有效增加阴极模组的安装位或减少镀膜设备的长度；且设有合理布局的气路保证镀膜的均匀性，提升整个设备的空间利用率。
[0005]本申请的一体式真空镀膜设备，包括工艺室、所述工艺室的侧壁开设有室门，在室门部位通过铰链安装有翻转式的门板，所述门板具有朝向所述工艺室的内侧以及背向所述工艺室的外侧，所述门板的内侧安装有用以实施磁控溅射的阴极模组；
[0006]所述门板上设有过气口，所述门板的外侧设有处在所述过气口外围的法兰连接座，在所述法兰连接座上安装有分子泵，所述分子泵的吸气端与所述过气口相互连通。
[0007]以下还提供了若干可选方式，但并不作为对上述总体方案的额外限定，仅仅是进一步的增补或优选，在没有技术或逻辑矛盾的前提下，各可选方式可单独针对上述总体方案进行组合，还可以是多个可选方式之间进行组合。
[0008]可选的，所述门板包括主板以及处在主板外周的侧缘，所述主板相对于工艺室的侧壁外凸，并在所述门板的内侧形成扩展区，所述阴极模组位于所述扩展区，所述法兰连接座固定与所述主板的外侧。
[0009]可选的，主板外侧在高度方向上分上部、中部和下部三个区域，所述分子泵安装在主板外侧的中部区域。
[0010]可选的，所述室门并排布置有多个，各室门的门板上安装有至少两台分子泵。
[0011]可选的，同一板上的各分子泵的出气端相互并联地接入一真空总管。
[0012]可选的，同一门板上的各分子泵沿门板高度方向依次布置。
[0013]可选的，所述阴极模组中的靶材为立置的筒状且相对于所在的门板转动安装，在
所述主板的外侧安装有与所述靶材联动的驱动电机。
[0014]可选的，所述驱动电机安装在主板外侧的下部区域。
[0015]可选的，同一门板上的驱动电机沿门板宽度方向依次布置。
[0016]可选的，在门板宽度方向上，所述阴极模组的两侧均配置有工艺气体输入口。
[0017]相比于现有技术，本申请的一体式真空镀膜设备合理布局分子泵与阴极模组的安装位置，有效降低分子泵占用的工艺室空间；合理调整工艺气路以适用于新的安装布局，保证镀膜的均匀性。
附图说明
[0018]图1为本申请一实施例中的一体式真空镀膜设备的结构示意图；
[0019]图2为一体式真空镀膜设备的局部结构示意图；
[0020]图3为图2的另一角度的结构示意图；
[0021]图4为一体式真空镀膜设备的局部剖视图。
[0022]图中附图标记说明如下：
[0023]10、工艺室；
[0024]20、室门；21、铰链；
[0025]30、门板；31、主板；311、上部；312、中部；313、下部；32、侧缘；33、扩展区；
[0026]40、法兰连接座；
[0027]50、阴极模组；51、靶材；
[0028]60、驱动电机；
[0029]70、分子泵；71、出气端；72、真空总管；
[0030]80、工艺气体输入口。
具体实施方式
[0031]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0032]需要说明的是，当组件被称为与另一个组件“连接”时，它可以直接与另一个组件连接或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“设置于”另一个组件，它可以是直接设置在另一个组件上或者可能同时存在居中组件。
[0033]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0034]参见图1、2、4，本申请一实施例提供的一体式真空镀膜设备，包括工艺室10、工艺室10的侧壁开设有室门20，在室门20部位通过铰链21安装有翻转式的门板30，门板30具有朝向工艺室10的内侧以及背向工艺室10的外侧，门板30的内侧安装有用以实施磁控溅射的阴极模组50；
[0035]门板30上设有过气口，门板30的外侧设有处在过气口外围的法兰连接座40，在法兰连接座40上安装有分子泵70，分子泵70的吸气端与过气口相互连通。
[0036]一体式真空镀膜设备为将多种系统或功能组件集合成一体的镀膜设备，包括镀膜系统、真空系统、工艺布气系统等；其中，阴极模组50属于镀膜系统中的重要组件，包括阴极本体以及安装在阴极本体上的靶材；分子泵70是常用的抽气设备，其利用高速旋转的转子把动能传输给气体分子，使气体分子获得定向速度，从而达到抽气的目的。组装状态下，过气口被法兰连接座40所遮挡。
[0037]镀膜前，需将工艺室10抽至高真空，然后冲入高纯度工艺气体调节真空度至一定区间，以满足不同的镀膜需求；这些工艺气体在电压的作用下发生辉光发电，放电产生的正离子在电场作用下撞击阴极模组50上的靶材，从而实现靶原子的溅射。
[0038]现有技术中，通常分子泵70与阴极模组50分别安装于不同门上，因此需在阴极模组50一侧或两侧的门板上预留分子泵70安装工位或抽空室，导致安装阴极模组50的工位的减少，整个真空镀膜设备的空间利用率低，而本实施例中，集分子泵70与阴极模组50背向安装于同一门板30上，有效增加阴极模组50的安装工位，且结构紧凑，空间利用率高。
[0039]参见图2～3，一实施例中，门板30包括主板31以及处在主板31外周的侧缘32，主板31相对于工艺室10的侧壁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一体式真空镀膜设备，包括工艺室、所述工艺室的侧壁开设有室门，在室门部位通过铰链安装有翻转式的门板，所述门板具有朝向所述工艺室的内侧以及背向所述工艺室的外侧，其特征在于，所述门板的内侧安装有用以实施磁控溅射的阴极模组；所述门板上设有过气口，所述门板的外侧设有处在所述过气口外围的法兰连接座，在所述法兰连接座上安装有分子泵，所述分子泵的吸气端与所述过气口相互连通。2.根据权利要求1所述的一体式真空镀膜设备，其特征在于，所述门板包括主板以及处在主板外周的侧缘，所述主板相对于工艺室的侧壁外凸，并在所述门板的内侧形成扩展区，所述阴极模组位于所述扩展区，所述法兰连接座固定与所述主板的外侧。3.根据权利要求1所述的一体式真空镀膜设备，其特征在于，主板外侧在高度方向上分上部、中部和下部三个区域，所述分子泵安装在主板外侧的中部区域。4.根据权利要求1所述的一体式真空镀膜设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰，来华杭，施成亮，俞峰，周海龙，
申请(专利权)人：浙江上方电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：