具有边缘框架的设备及其使用方法技术

一种用于半导体装置的设备，其包含：一具有上和下部分的腔室，该下部分的体积大于该上部分的体积；一在该腔室中的晶座，该晶座在其顶端表面上具有一基板；一用于将处理气体注入该腔室中的注射器；一在该腔室上方的线圈单元；一连接至该线圈单元的射频电源；和一穿过该腔室的排气管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于半导体装置的设备，且更明确地说，涉及一种具有一用于液晶显示器装置的边缘框架的设备和一种使用该设备的方法。
技术介绍
液晶显示器(LCD)装置是非发射装置，其通过使用一插入在一阵列基板与一彩色滤光片基板间的液晶层来显示影像。可通过重复将薄膜沉积在诸如玻璃的透明基板上并图案化沉积的薄膜而制造阵列基板和彩色滤光片基板。近来，已将等离子增强化学气体沉积(PECVD)方法广泛用作薄膜的沉积技术，在该方法中，通过高电压能量将源气体激励成等离子状态，并通过化学反应而使其沉积至基板上。下文将说明用于使用PECVD方法的LCD装置的设备。图1为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的示意性横截面图。在图1中，通过腔室体30而将腔室100的内部空间从外部空间隔离。晶座40(基板10装载于其上)安置于腔室100内，且一加热器(未图示)可形成于晶座40中以在将源气体注射于基板10上时加热基板10。具体地说，当通过PECVD方法激活源气体时，晶座40可充当一下电极。晶座支撑物46从晶座40的中心底部部分延伸，且驱动组件44与晶座支撑物46的下圆周相组合。由于驱动组件44连接至诸如发动机的驱动构件50上，所以晶座40可根据制造过程的步骤而上下移动。此外，腔室100包含一连接至真空泵(未图示)的排气管38。通过在制造过程期间经由排气管38对腔室100的内部空间进行排气，可将腔室100抽空至高真空状态。在将基板10装载于晶座40上之后，晶座40上移至腔室100内部空间的反应区域，且边缘框架20接触基板10的边界部分。图2A为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的边缘框架的示意性分解透视图，且图2B为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的边缘框架的示意性横截面图。在图2A和2B中，设备的腔室100(图1)中晶座40包含复数个起模顶杆孔48，且安置复数个起模顶杆32以对应于该等复数个起模顶杆孔48。每个起模顶杆32在装载和卸载步骤期间上下移动穿过对应的起模顶杆孔48以支撑基板10。边缘框架20覆盖基板边界部分12和暴露的晶座边界部分42。具体地说，边缘框架20的基板覆盖部分22接触基板边界部分12以防止源气体通过边缘框架20与基板10间的间隙而泄露。因此，使基板覆盖部分22形成为比边缘框架20的其它部分薄。在将基板10装载于晶座40上之后，边缘框架20接触基板10和晶座40以通过上移晶座40而覆盖基板边界部分12和晶座边界42。同时，边缘框架20从一形成于腔室体30内壁上的框架支撑物34分开。图3A和3B为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的边缘框架运行的示意性横截面图。在图3A中，基板10装载于晶座40上。通过框架支撑物34支撑边缘框架20，使得边缘框架20的外部底部表面24接触框架支撑物34的顶端表面。边缘框架20覆盖基板边界部分12和晶座边界部分42且从基板10和晶座40间隔开。在将基板10装载于晶座40上之后，晶座40上移至腔室100(图1)的反应区域。在图3B中，当晶座40和装载于晶座40上的基板10通过连接至驱动组件46(图1)的驱动构件50(图1)的运行而上移时，边缘框架20接近基板10和晶座40。因此，基板覆盖部分22接触基板边界部分12，且边缘框架20的中心部分接触晶座边界部分42。此外，当晶座40进一步上移时，边缘框架20的外部底部部分24从框架支撑物34的顶端表面分开。接着，边缘框架20随晶座40上移。由于基板覆盖部分22接触基板边界部分12，所以在沉积过程或蚀刻过程期间防止了源气体或等离子的泄露。然而，由于边缘框架20是由陶瓷形成为的单一体，所以边缘框架20的重量较重，且边缘框架20对基板边界部分12上的压力较高。较重的重量和较高的压力在制造过程中可导致若干问题。图4A和4B为展示由一用于根据相关技术的LCD装置的设备的边缘框架所导致的问题的示意性横截面图。如图4A中所示，基板10的基板边界部分12可因边缘框架20的较重的重量和较高的压力而被破裂。因此，减少了过程良率。在图4B中，边缘框架20可在其中心部分处具有热损伤，且可因来自晶座40中加热器的热量或来自制造过程的热量而被弯曲。因此，基板覆盖部分22不会接触基板边界部分12，且边缘框架20的中心部分从晶座40间隔开，使得可在边缘框架20与基板10间产生间隙。结果，源气体或等离子可通过边缘框架20与基板10间的间隙泄露，且可沉积于基板边界部分12和晶座边界部分42(图3A和3B)上。源气体或等离子的泄露可使制造过程的均衡性恶化，且可要求更频繁的腔室清理。此外，会不经济地消耗源气体或等离子。
技术实现思路
因此，本专利技术是针对一种用于半导体装置的设备，其大体上排除子因相关技术的限制和缺点而产生的问题中的一个或多个问题。本专利技术的一个目的是提供一种具有一防止基板破裂的边缘框架的设备。本专利技术的另一目的是提供一种具有一防止源气体泄露的边缘框架的设备。本专利技术的附加特征和优点将被陈述于其遵循的描述中，且部分地将从该描述被明显看出，或可通过本专利技术的实施而被获悉。通过在书面描述和于此的权利要求以及附加图式中特别指出的结构，将实现且达到本专利技术的目的和其它优点。为获得这些和其它优点且根据本专利技术的目的(如被体现和广泛描述的)，一种用于半导体装置的设备包含一腔室；一在该腔室中的晶座，其中一装载于该晶座上的基板具有一基板边界部分，且该晶座具有一暴露于该基板边界部分外面的晶座边界部分；一在该晶座和该基板上方的边缘框架，该边缘框架包括一覆盖基板边界部分和晶座边界部分的第一次框架；和一环绕该第一次框架的第二次框架；和一在该腔室侧壁上的框架支撑物，该框架支撑物支撑该第二次框架。另一方面，一种用于半导体装置的设备的运行方法包含在设备的腔室中提供一边缘框架，该边缘框架包含一第一次框架和一第二次框架，该第一次框架受到该第二次框架支撑，且该第二次框架受到腔室侧壁上的框架支撑物支撑；将一基板装载于腔室中的晶座上；上移其上具有基板的晶座，藉此第一和第二次框架受到晶座支撑；且上移其上具有基板和第一与第二次框架的晶座，藉此该第二次框架从该框架支撑物分开。另一方面，一种用于半导体装置的设备的运行方法包含在设备的腔室中提供一边缘框架，该边缘框架包含一第一次框架和一第二次框架，该第一次框架受到该第二次框架支撑，且该第二次框架受到腔室侧壁上的框架支撑物支撑；将一基板装载于腔室中的晶座上；上移其上具有基板的晶座，藉此该第一次框架受到该晶座支撑；且上移其上具有基板和第一次框架的晶座，其中第二次框架停留在框架支撑物上。另一方面，一种用于一具有一腔室、一在该腔室中的晶座和一在该晶座上的基板的设备的边缘框架包含一覆盖基板的边界部分和晶座的边界部分的第一次框架；和一环绕该第一次框架的第二次框架。应了解，前述一般描述和下文详细描述是示范性和解释性的，且希望提供如所主张的本专利技术的进一步解释。附图说明图1为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的示意性横截面图；图2A为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的边缘框架的示意性分解透视图；图2B为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置的设备的边缘框架的示意性横截面图；图3A和3B为展示一用于根据相关技术的液晶显示器装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于一半导体装置的设备，其包括：一腔室；一在该腔室中的晶座，其中一装载于该晶座上的基板具有一基板边界部分，且该晶座具有一暴露于该基板边界部分外面的晶座边界部分；一在该晶座和该基板上方的边缘框架，该边缘框架包括：　 　一覆盖该基板边界部分和该晶座边界部分的第一次框架；和一环绕该第一次框架的第二次框架；和一在该腔室的一侧壁上的框架支撑物，该框架支撑物支撑该第二次框架。

【技术特征摘要】
KR 2003-8-11 2003-555301.一种用于一半导体装置的设备，其包括一腔室；一在该腔室中的晶座，其中一装载于该晶座上的基板具有一基板边界部分，且该晶座具有一暴露于该基板边界部分外面的晶座边界部分；一在该晶座和该基板上方的边缘框架，该边缘框架包括一覆盖该基板边界部分和该晶座边界部分的第一次框架；和一环绕该第一次框架的第二次框架；和一在该腔室的一侧壁上的框架支撑物，该框架支撑物支撑该第二次框架。2.如权利要求1所述的设备，其中该第一次框架的一第一接触表面接触该第二次框架的一第二接触表面，且该第一和该第二接触表面向内倾斜。3.如权利要求1所述的设备，其中该第一次框架具有一对应于该基板边界部分的基板覆盖部分，且该基板覆盖部分大体上比该第一次框架的其它部分薄。4.如权利要求1所述的设备，其中该第一次框架具有一第一倾斜表面、一第一水平表面和一第一垂直表面，且该第二次框架具有一第二倾斜表面、一第二水平表面和一第二垂直表面，其中该第一倾斜表面、该第一水平表面和该第一垂直表面分别接触该第二倾斜表面、该第二水平表面和该第二垂直表面。5.如权利要求4所述的设备，其中该第一和该第二倾斜表面向内倾斜。6.如权利要求4所述的设备，其中该第一水平表面安置于该第二水平表面上方。7.如权利要求1所述的设备，其中该第一次框架的宽度小于该第二次框架的宽度。8.如权利要求7所述的设备，其中该第二次框架覆盖该晶座边界部分。9.如权利要求1所述的设备，其中该第一次框架的宽度等于或大于该第二次框架的宽度。10.如权利要求9所述的设备，其中该第二次框架安置于该晶座外面。11.如权利要求1所述的设备，其进一步包括一将源气体注入该腔室中的气体注射单元；一将该等源气体喷射于该基板上的簇射头；穿过该晶座的复数个起模顶杆孔的复数个起模顶杆；和一从该腔室排出该等源气体的排气管。12.一种用于一半导体装置的一设备的运行方法，其包括在该设备的一腔室中提供一边缘框架，该边缘框架包含一第一次框架和一第二次框架，该第一次框架受到该第二次框架支撑，且该第二次框架受到该腔室的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在宽，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]