表面处理方法技术

一种表面处理方法，包括：第一步骤，其中表面处理装置１和放置其上的基片１０在处于基片１０的正表面１０２与表面处理装置１面对的状态被输送至减压室的内部，以使多个凹入部分３２（封闭空间）减压；第二步骤，其中通过使用在凹入部分３２内部的负压和大气压的压力差，基片１０处于被吸至表面处理装置１上的状态，把表面处理装置１和基片１０从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片１０被表面处理装置１吸住的条件下，对基片１０的所述背面１０１进行表面处理。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及。
技术介绍
近年来，通常，通过利用光刻技术等执行的工艺制造半导体装置、石英振荡器等，换言之，普遍采用所谓的显微机械加工技术。通过采用显微机械加工技术，可能直接处理基片。例如，在基片的一个表面经受处理后，该基片的厚度减小，或通过使与处理过的表面相对的该基片的另一表面经受蚀刻等。在基片的一个表面被处理的情形下(即在基片的一个表面经受蚀刻的情形下)，有必要保护处理过的另一表面(以下称之为“处理过的表面”)免受蚀刻剂影响。根据这种观点，已经研制了能仅使与处理过的表面相对的表面(以下称之为“待蚀刻的表面”)经受蚀刻同时保护处理过的表面的蚀刻设备(例如，参看日本专利公开No.Hei.7-111257)。在日本专利公开No.Hei.7-111257中披露的蚀刻设备包括支撑夹具和与支撑夹具可分开地连接的按压夹具。当使用放置在支撑夹具上的基片使按压夹具与支撑夹具相连时，按压夹具按压基片的周缘部分。以此方式，基片被紧固到蚀刻设备上。而且，蚀刻设备具有设置在预定位置处的O形环。当基片紧固到蚀刻设备时，O形环与基片待蚀刻的表面紧密接触。这使得可能防止蚀刻剂接触基片的处理过的表面。因此，即使当基片紧固到其上的蚀刻设备浸在蚀刻剂中时，也仅有待蚀刻的表面经受蚀刻。然而，在使用这样的蚀刻设备的情形下，用按压夹具按压的待蚀刻的表面的外周缘部分未暴露于蚀刻剂中，从而外周缘部分未被处理。结果，在已与按压夹具接触的部分(即未处理部分)和未与按压夹具接触的部分(即处理过的部分)之间的边界处在蚀刻过的表面上出现了等级差别。这种等级差别导致的问题是，在蚀刻之后的后继步骤中很难对于基片的每个区域均匀地进行各种处理。
技术实现思路
因此本专利技术的一个目标是提供一种能使基片均匀地经受表面处理的。为了实现上述目标，本专利技术旨在提供一种。所述方法用于采用表面处理装置来进行表面处理。所述基片的一个表面将进行表面处理，当对所述基片的所述一个表面进行表面处理时另一表面与此表面相对，所述表面处理装置包括至少一个封闭空间，每个封闭空间分别由表面处理装置的部分和基片的另一表面限定；以及接触部分，围绕所述至少一个封闭空间，适于与基片另一表面密封地接触，与封闭空间和基片的另一表面协作，以产生负压，从而基片通过负压吸附至所述表面处理装置，以至少在表面处理过程中保持这种状态。所述方法包括第一步骤，其中表面处理装置和放置其上的基片在处于基片的另一个表面与表面处理装置面对的状态被输送至减压室的内部，以把封闭空间减压，进而在封闭空间产生负压；第二步骤，其中通过使用在封闭空间内部的负压和大气压的压力差，基片处于被吸至表面处理装置上的状态，把表面处理装置和基片从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片被表面处理装置吸住的条件下，对基片的所述一个表面进行表面处理。这使得基片可能均匀地经受表面处理。在本专利技术的中，优选地，在第一步骤中减压室内的压力是70000Pa或更小。这使得基片被表面处理装置通过可靠的抽吸被吸住并固定，同时可以更可靠地防止基片被损坏。在本专利技术的表面处理的方法中，优选地，在大气压或更高的压力下进行在第三步骤中的表面处理。这使得可以容易地在第一步骤中设定减压室内部压力，因为不需要在第三步中设定精确的压力。在本专利技术的中，优选地，该方法进一步包括在第三步骤之后的第四步骤，带着基片的表面处理装置再一次被输送至减压室的内部，基片通过把减压室内部减压从表面处理装置中释放出来，从而再减压室内的压力大体上成为等于或低于在第一步骤中减压室内的压力。这使得易于将基片从表面处理装置释放。在本专利技术的表面处理的方法中，优选地，当在第一步骤中的减压室内的压力确定为A(Pa)并且第四步中的减压室内的压力确定为B(Pa)时，B/A为1或更小的关系得到满足。这使得易于将基片从表面处理装置释放。在本专利技术的中，优选地，在第四步骤中减压室内的压力是70000Pa或更小。这使得易于将基片从表面处理装置释放。优选的是，本专利技术的表面处理装置还包括帮助基片与减压室中的接触部分分离的分离辅助装置。这使得可能可靠地将基片从表面处理装置释放。在本专利技术的中，分离辅助装置优选包括接触件，具有一个端部，当基片与表面处理装置的接触部分分开时，所述端部适于与基片的另一表面接触；移位装置，用于使接触件向接触件与接触部分分离的方向移动。根据所述分离辅助装置，即使其具有简单的结构，也可能可靠地将基片从表面处理装置释放。在本专利技术的中，优选的是接触件具有与其一端部相对的另一端部，且所述接触件可绕用作枢轴中心的另一端部作枢轴转动。这使得可能简化移位装置的结构。在本专利技术的中，优选的是所述移位装置由弹簧、具有中空空间(通过使减压室的内部减压而增加其体积)的弹性件、杠杆和砝码、和电动机的任一构成。由于所述移位装置具有非常简单的结构，所以这使得能够防止表面处理装置的部件的数量增加和表面处理装置的制造成本的增加。在本专利技术的中，优选的是所述表面处理装置还包括在所述基片与所述接触部分接触的同时使得封闭空间与其外部连通的流路，其中在所述第一、第二和第三步骤中流路被密封；并且所述方法还包括第三步骤之后的第四步骤，其中通过打开所述流路将基片从表面处理装置释放。在本专利技术的中，优选的是基片具有一个或多个分别向其另一表面张开的凹入部分；并且所述还包括步骤在第一步骤之前，在所述基片的另一表面上提供片状材料，从而基片的凹入部分能够被覆盖。在本专利技术的中，优选的是基片具有一个或多个分别向其另一表面张开的凹入部分；且接触部分被构造成使得能够在基片接触所述接触部分的同时覆盖基片的凹入部分。这使得可能可靠地将具有凹入部分的基片保持(固定)到表面处理装置上。在本专利技术的中，优选的是表面处理装置具有带有两个主表面的平面形状的结构，并在这两个主表面的每个的侧面上具有凹入部分。这使得可能减少表面处理所需要的成本，并缩短表面处理所需要的时间。在本专利技术的中，优选的是使用处理液进行表面处理。使用本专利技术的进行表面处理的方法可应用于各种类型的表面处理，尤其是，所述方法适合用于使用处理液的表面处理。在本专利技术的中，优选的是处理液包括蚀刻剂。特别地，本专利技术的更适用于湿蚀刻。附图说明参看附图，根据以下对本专利技术的优选实施例的详细描述，本专利技术的上述和其它目标、特点、和优点将变得更加显然。图1示出根据本专利技术的第一实施例中的表面处理装置的横截面图；图2是图1所示表面处理装置的平面图；图3示出根据本专利技术的第二实施例中的表面处理装置的横截面图。图4是图3所示表面处理装置的平面图；图5示出根据本专利技术的第三实施例中的表面处理装置的横截面图。图6是图5所示表面处理装置的平面图；图7是示出根据本专利技术的第四实施例中的表面处理装置的横截面图。图8A和图8B是根据本专利技术的第五实施例中的表面处理装置的部分横截面图；图9A至图9C是用于说明图8所示表面处理装置的使用的部分横截面图；图10A和图10B是根据本专利技术的第六实施例中的表面处理装置的部分横截面图；图11是根据本专利技术的第七实施例中的表面处理装置的部分(为分离辅助装置)的透视图；图12是根据本专利技术的第八实施例中的表面处理装置的部分(为分离辅助装置)的透视图。具体实施例方式下面将参看附图中所示的优选实施例详细描述根据本专利技术的表面处理装置。在本专利技术中，待经受本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用表面处理装置用于基片的表面处理方法，所述基片的一个表面将进行表面处理，另一表面与此表面相对，所述表面处理装置包括：至少一个封闭空间以及接触部分，所述接触部分围绕所述至少一个封闭空间，适于与基片另一表面密封地接触，与封闭空间和基片的另一表面协作，以产生负压，从而基片通过负压吸附至所述表面处理装置，以至少在表面处理过程中保持这种状态，所述方法包括：第一步骤，其中表面处理装置和放置其上的基片在处于基片的另一个表面与表面处理装置面对的状态下被输送至减压室的内部，以把封闭空间减压，进而在封闭空间产生负压；第二步骤，其中通过使用在封闭空间内部的负压和大气压的压力差，基片处于被吸至表面处理装置上的状态，把表面处理装置和基片从减压室的内部取出放入大气压下的环境；第三步骤，其中在基片被表面处理装置吸住的条件下，对基片的所述一个表面进行表面处理。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小枝周史，荒川克治，大谷和史，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]