本发明专利技术提供一种半导体发光装置。该装置具备：半导体发光元件；基板，其供半导体发光元件搭载且具备基板接合面，该基板接合面上固接有具有环形形状的基板金属层；透光盖，其由玻璃构成并具备窗部和凸缘，其中，窗部供半导体发光元件的放射光透过，凸缘在其底面固接具有环形形状的凸缘固接层，该凸缘固接层具有与基板金属层对应的大小，凸缘固接层与基板金属层接合而具有收纳半导体发光元件的空间，透光盖与基板密封接合。凸缘固接层由熔接于凸缘的陶瓷层和在陶瓷层上形成的金属层构成。层和在陶瓷层上形成的金属层构成。层和在陶瓷层上形成的金属层构成。
【技术实现步骤摘要】
半导体发光装置
[0001]本专利技术涉及半导体发光装置、特别是涉及在内部封入有放射紫外光的半导体发光元件的半导体发光装置。
技术介绍
[0002]以往，已知有将半导体元件封入半导体封装件(package)内部的一种半导体装置。在半导体装置是半导体发光模块的情况下，在载置有半导体发光元件的支承体上接合有供发光元件的光透过的玻璃等透明窗部件并被气密密封。
[0003]例如，在专利文献1和专利文献2中公开了一种半导体发光模块，在该半导体发光模块上，基板和窗部件接合，其中，基板上设置有收容半导体发光元件的凹部。
[0004]另外，在专利文献3和专利文献4中公开了一种紫外线发光装置，在该紫外线发光装置上，搭载有紫外线发光元件的安装基板、间隔件和由玻璃形成的外罩接合。
[0005]另外，在专利文献5中公开了用陶瓷喷镀覆膜包覆表面的石英玻璃及陶瓷上的喷镀覆膜的附着性。
[0006]另外，在非专利文献1和非专利文献2中公开了陶瓷的喷镀技术。在非专利文献3中公开了黑色色调的氧化铝系陶瓷“黑氧化铝(AR(B))”。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2015
‑
18873号公报
[0010]专利文献2：日本特开2018
‑
93137号公报
[0011]专利文献3：日本特开2016
‑
127255号公报
[0012]专利文献4：日本特开2016
‑r/>127249号公报
[0013]专利文献5：日本特开2003
‑
212598号公报
[0014]非专利文献
[0015]非专利文献1：日本喷镀学会，http://www.jtss.or.jp/about_ts
‑
j.htm
[0016]非专利文献2：上野和夫，2014年修改“JIS H8304陶瓷喷镀”，http://www.jtss.or.jp/journal/8304review.pdf
[0017]非专利文献3：ASUZAC株式会社，
[0018]http://www.asuzac
‑
ceramics.jp/technology/tech15.htm
技术实现思路
[0019]专利技术要解决的课题
[0020]然而，对基板与窗部件之间的密封性、接合可靠性被要求进一步得到提高。放射紫外光的半导体发光元件、特别是AlGaN系的半导体发光元件在气密不充分时容易产生劣化，因而对搭载有该半导体发光元件的半导体装置要求高气密性。
[0021]另外，AlGaN系结晶会因水分而发生劣化。特别是，发光波长越短，Al组成增加而容
易产生劣化。因此，为了形成水分不会进入到收纳有发光元件的封装件内部的气密构造，采用金属接合材料使基板与玻璃盖形成气密的构造。但是，在多湿环境下或用水场所进行使用时，依然存在气密不充分的问题。
[0022]另外，特别是还存在透过紫外光或深紫外光的石英等玻璃的玻璃纯度及硬度高、与金属的密合性差的问题。
[0023]本专利技术鉴于上述问题而完成，目的在于提供一种即使在长期使用中也能够维持高气密性的具有高可靠性以及高耐湿性、高耐腐蚀性等高耐环境性的半导体发光装置。
[0024]用于解决课题的手段
[0025]本专利技术的第一实施方式的半导体发光装置具有：
[0026]半导体发光元件；
[0027]基板，其供所述半导体发光元件搭载且具备基板接合面，该基板接合面上固接有具有环形形状的基板金属层；以及
[0028]透光盖，其由玻璃构成并具备窗部和凸缘，其中，所述窗部供所述半导体发光元件的放射光透过，所述凸缘在其底面固接具有环形形状的凸缘固接层，该凸缘固接层具有与所述基板金属层对应的大小，所述凸缘固接层与所述基板金属层接合而具有收纳所述半导体发光元件的空间，所述透光盖与所述基板密封接合；
[0029]所述凸缘固接层由熔接于所述凸缘的陶瓷层和在所述陶瓷层上形成的金属层构成。
附图说明
[0030]图1A是示意性地表示第一实施方式的半导体发光装置10的上表面的平面图。
[0031]图1B是示意性地表示半导体发光装置10的侧面的图。
[0032]图1C是示意性地表示半导体发光装置10的背面的平面图。
[0033]图1D是示意性地表示半导体发光装置10的内部构造的图。
[0034]图1E是示意性地表示第一实施方式的透光盖13的1/4局部的立体图。
[0035]图2A是示意性地表示沿图1A的A
‑
A线的半导体发光装置10的截面的截面图。
[0036]图2B是放大表示图2A的接合部(W部)的截面的局部放大截面图。
[0037]图3A是将使用白氧化铝层作为陶瓷层21C的情况下的凸缘13B及凸缘固接层21的局部进行放大表示的局部放大截面图。
[0038]图3B是将使用黑氧化铝作为陶瓷层21C的情况下的凸缘13B及凸缘固接层21的局部进行放大表示的局部放大截面图。
[0039]图4A是示意性地表示本专利技术的第二实施方式的半导体发光装置30的截面的截面图。
[0040]图4B是放大表示图4A的接合部(W部)的局部放大截面图。
[0041]图5A是表示陶瓷层21C是反光性陶瓷层21C(W)的情况下的局部放大截面图。
[0042]图5B是表示陶瓷层21C是吸光性陶瓷层21C(B)的情况下的局部放大截面图。
[0043]图5C是表示陶瓷层21C是由吸光性陶瓷层21C(B)和反光性陶瓷层21C(W)构成的情况(2层构造)下的局部放大截面图。
[0044]图6是示意性地表示陶瓷层内周部21P的顶面高度高于凸缘13B的上表面13F的高
度的情况下的局部放大截面图。
[0045]图7是放大表示第二实施方式的变形例中的凸缘13B及凸缘固接层21的局部的截面的示意性的局部放大截面图。
[0046]符号说明
[0047]10、30：半导体发光装置；
[0048]11：基板；
[0049]12：基板金属层；
[0050]12S：基板接合面；
[0051]13：透光盖；
[0052]13A：窗部；
[0053]13B：凸缘；
[0054]15：半导体发光元件；
[0055]21：凸缘固接层；
[0056]21C、21C(W)、21C(B)：陶瓷层；
[0057]21M：金属层(凸缘金属层)；
[0058]21P：陶瓷层内周部。
具体实施方式
[0059][第一实施方式][0060]图1A是示意性地表示本专利技术的第一实施方式中的半导体发光装置10的上表面的平面图。图1B是示意性地表示半导体发光装置10的侧面的图。图1C是本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光装置，其特征在于，具有：半导体发光元件；基板，其供所述半导体发光元件搭载且具备基板接合面，该基板接合面上固接有具有环形形状的基板金属层；以及透光盖，其由玻璃构成并具备窗部和凸缘，其中，所述窗部供所述半导体发光元件的放射光透过，所述凸缘在其底面固接具有环形形状的凸缘固接层，该凸缘固接层具有与所述基板金属层对应的大小，所述凸缘固接层与所述基板金属层接合而具有收纳所述半导体发光元件的空间，所述透光盖与所述基板密封接合；所述凸缘固接层由熔接于所述凸缘的陶瓷层和在所述陶瓷层上形成的金属层构成。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述陶瓷层具有陶瓷层内周部，该陶瓷层内周部从所述凸缘的底面延伸到所述透光盖的内侧面，并以遍及所述凸缘的内周面整周的方式固接于该内周面上。3.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，所述凸缘在内周部上具有凹部，所述陶瓷层内周部形成为陶瓷熔接于所述凹部。4.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，所述凸缘的上表面在所述半导体发光元件的光出射方向上位于比所述半导体发光元件的光出射面靠后方的位置。5.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于，在沿所述半导体发光元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：裏谷雄大，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：
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