对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。对准标记的制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。该制备方法形成的对准标记的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案。该制备方法还适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。具有良好的运用前景。具有良好的运用前景。

【技术实现步骤摘要】
对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)制造涉及在半导体晶圆上形成具有图案的多个材料层，每一层都必须与先前的层对准，使得形成的电路适当地工作。因此，设计有多种对准标记，例如有一种对光标记，用于光掩模与半导体晶圆之间的对准，另一种迭对标记，用于半导体中层与层之间的对准。
[0003]随着半导体技术向着具有更小的部件尺寸的电路不断进步，对准要求变得更加严格。目前，鳍式场效应晶体管被广泛运用于芯片的制程中，以形成微缩图案。
[0004]因此，在鳍式场效应晶体管中制备对准标记，能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度和测量准确性，这是目前急需解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的包括提供了一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，其能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度和测量准确性。
[0006]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0007]第一方面，本专利技术的实施例提供一种对准标记的制备方法，制备方法包括：在衬底上形成鳍部；在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区；在标记形成区的鳍部上形成对准标记。
[0008]在一种可选地实施例中，对准标记的材料为SiP或SiGe。
[0009]在一种可选地实施例中，在鳍部上形成标记参照部，标记参照部之间形成标记形成区包括：在衬底和鳍部上形成第一抗反射层；对第一抗反射层图案化，其中，图案化的第一抗反射层中，实体部分作为标记参照部，镂空部分作为标记形成区。
[0010]在一种可选地实施例中，在衬底和鳍部上形成第一抗反射层之后，方法还包括：在第一抗反射层上依次形成第一旋涂式玻璃层和第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部；对第一抗反射层图案化包括：去除第一旋涂式玻璃层和第一抗反射层对应于无第一光刻遮挡部的投影位置的材料，形成标记形成区。
[0011]在一种可选地实施例中，去除第一旋涂式玻璃层和第一抗反射层对应于无第一光刻遮挡部的投影位置的材料，形成标记形成区之后，方法还包括：去除第一光刻遮挡部和第一光刻遮挡部覆盖的第一旋涂式玻璃层的材料，形成标记参照部。
[0012]在一种可选地实施例中，标记参照部位包覆于鳍部的表面。
[0013]在一种可选地实施例中，标记参照部位于鳍部的顶端。
[0014]在一种可选地实施例中，对准标记包括位于鳍部上的竖向部和由竖向部横向延伸的延伸部。
[0015]在一种可选地实施例中，相邻两个鳍部上的对准标记通过延伸部相互连接。
[0016]第二方面，本专利技术的实施例提供一种鳍式场效应晶体管的制备方法，制备方法包括第一方面的对准标记的制备方法。
[0017]本专利技术实施例提供的对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法的有益效果包括：
[0018]该制备方法通过在形成对准标记之前，先形成标记参照部和标记形成区，从而清晰地限定出对准标记形成的区域，使形成的对准标记的图形更加清晰，能够提高信号强度和测量准确性，有利于在半导体制程中形成微缩图案；该制备方法只是在现有鳍式场效应晶体管的制程中增加了形成标记参照部和标记形成区的步骤，使该制备方法能够适用于现有的鳍式场效应晶体管的制程中，具有良好的运用前景。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0020]图1为本专利技术第一实施例提供的对准标记的制备方法的流程图；
[0021]图2a～图2g为本专利技术第一实施例提供的对准标记的制备过程的结构示意图；
[0022]图3a为对准标记作为迭对标记的示意图；
[0023]图3b为对准标记作为对光标记的示意图；
[0024]图4为本专利技术第二实施例提供的对准标记的制备方法的流程图；
[0025]图5a～图5o为本专利技术第一实施例提供的对准标记的制备过程的结构示意图。
[0026]图标：1-衬底；2-鳍部；3-沟槽；4-第一抗反射层；5-第一旋涂式玻璃层；6-第一光刻胶层；7-第一光刻遮挡部；8-标记参照部；9-标记形成区；10-对准标记；11-基底；12-刻蚀停止层；13-硬掩模层；14-牺牲材料层；15-第二抗反射层；16-第二旋涂式玻璃层；17-第二光刻胶层；18-第二光刻遮挡部；19-核心部；20-衬垫层；21-侧壁。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0028]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0030]在本专利技术的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方
位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0031]此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术的实施例中的特征可以相互结合。
[0033]随着半导体技术向着具有更小的部件尺寸的电路不断进步，对准要求变得更加严格。本专利技术的实施例提供一种对准标记的制备方法和鳍式场效应晶体管的制备方法，其能够使对准标记的图形更加清晰，提高信号强度(Alignment Wafer Quality)和测量准确性，详细技术方案见以下实施例。
[0034]第一实施例
[0035]请参考图1，本实施例提供了一种对准标记的制备方法，制备方法包括以下步骤：
[0036]S101：在衬底1上形成鳍部2。
[0037]请参阅图2a，衬底1可以是半导体衬底，例如，体半导体、绝缘体上半导体(SOI)衬底等，其可以是掺杂的，例如使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对准标记的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底(1)上形成鳍部(2)；在所述鳍部(2)上形成标记参照部(8)，所述标记参照部(8)之间形成标记形成区(9)；在所述标记形成区(9)的所述鳍部(2)上形成对准标记(10)。2.根据权利要求1所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述对准标记(10)的材料为SiP或SiGe。3.根据权利要求1所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述在所述鳍部(2)上形成标记参照部(8)，所述标记参照部(8)之间形成标记形成区(9)包括：在所述衬底(1)和所述鳍部(2)上形成第一抗反射层(4)；对所述第一抗反射层(4)图案化，其中，图案化的所述第一抗反射层(4)中，实体部分作为所述标记参照部(8)，镂空部分作为所述标记形成区(9)。4.根据权利要求3所述的对准标记的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底(1)和所述鳍部(2)上形成第一抗反射层(4)之后，所述方法还包括：在所述第一抗反射层(4)上依次形成第一旋涂式玻璃层(5)和第一光刻胶层(6)；对所述第一光刻胶层(6)进行曝光、显影，以形成多个第一光刻遮挡部(7)；所述对所述第一抗反射层(4)图案化包括：去除所述第一旋涂式玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆煌，曾暐舜，刘志成，王见明，
申请(专利权)人：泉芯集成电路制造济南有限公司，
类型：发明
国别省市：