空穴传输材料的修饰方法、发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件技术领域，尤其涉及一种空穴传输材料的修饰方法，包括以下步骤：获取聚合物空穴传输材料；采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。本发明专利技术空穴传输材料的修饰方法，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，提高聚合物空穴传输材料的功函数，有利于降低空穴传输层中空穴注入势垒，从而降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，进而提高量子点发层中空穴的注入效率，提高量子点发光层中电子与空穴的复合效率，提高发光器件的发光效率和稳定性，延长使用寿命。延长使用寿命。延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输材料的修饰方法、发光器件及其制备方法


[0001]本申请属于显示器件
，尤其涉及一种空穴传输材料的修饰方法，以及一种发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点材料由于其激发光谱宽、发射光谱窄、发光波长可调、发光效率高等光学特点，被认为是极具潜力的新型光电材料。近年来，量子点(QD)发光材料在新型显示和照明、太阳能电池、生物标记等领域具有广泛地应用前景。量子点显示技术依赖于红绿蓝像素的独立发光。通过调节量子点的尺寸可以得到具有不同能带宽度的量子点。具有不同能带宽度的量子点，在一定波长的激发条件下将会发出不同能量的光子，也就是不同颜色的光。因此，通过一定的方式来调整量子点的尺寸和化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区，甚至是近红外区。目前，量子点器件的典型结构是“三明治”结构，主要由ITO玻璃基板，空穴注入层(HIL)，空穴传输层(HTL)，量子点发光层，电子传输层(ETL)，电极组成。
[0003]目前，制约量子点发光器件发展最根本的原因在于空穴和电子向量子点发光层注入未得到平衡，电子和空穴没有在量子点发光层中得到有效复合。高效率长寿命的量子点发光器件依赖于空穴电子在发光层的平衡注入，这就要求各功能层材料的能级匹配。常规空穴传输层价带与量子点发光层价带的能级差约0.6ev，而电子传输层导带与量子点发光层导带几乎拥有相同能极，几乎不存在能级差。因此，器件在工作时常常会造成电子、空穴注入不平衡，同时造成量子点发光层和空穴传输层界面间堆积大量的载留子，过多的载流子极易引发非辐射复合，甚至猝灭发光。这极大的限制了QLED器件性能的大幅度提升。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一空穴传输材料的修饰方法，以及一种发光器件及其制备方法，旨在一定程度上解决现有空穴传输层与量子点发光层之间能极差大的问题。
[0005]为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请提供一种空穴传输材料的修饰方法，包括以下步骤：
[0007]获取聚合物空穴传输材料；
[0008]采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。
[0009]第二方面，本申请提供一种发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0010]提供含有阳极的基板；
[0011]在所述阳极远离所述基板的一侧表面沉积空穴传输材料，得到空穴传输层；
[0012]在所述空穴传输层远离所述基板的一侧表面沉积量子点材料，得到量子点发光层；
[0013]在所述量子点发光层远离所述空穴传输层的一侧表面沉积阴极材料，得到阴极；
[0014]其中，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧含有经酸性化合物修饰过的
聚合物空穴传输材料。
[0015]第三方面，本申请提供一种发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层；所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧含有经酸性化合物修饰过的聚合物空穴传输材料。
[0016]本申请第一方面提供的空穴传输材料的修饰方法，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，酸性化合物中氢离子能够与聚合物空穴传输材料中氮原子、苯环中的电子云等相互作用，在聚合物表面形成偶极，从而提高聚合物空穴传输材料的功函数；另外，酸性化合物中空轨道能够接受聚合物空穴传输材料的电子，在聚合物空穴传输材料表面形成极化现象，提供聚合物材料的功函数。提高聚合物空穴传输材料的功函数，有利于降低空穴传输层中空穴注入势垒，从而降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，进而提高量子点发层中空穴的注入效率，提高量子点发光层中电子与空穴的复合效率，提高发光器件的发光效率和稳定性，延长使用寿命。
[0017]本申请第二方面提供的发光器件的制备方法，在含有阳极的基板上依次沉积形成空穴传输层、量子点发光层和阴极，其中，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧含有经酸性化合物修饰过的聚合物空穴传输材料。经过酸性化合物修饰过的聚合物空穴传输材料，表面形成极化或偶极现象，可有效提高聚合物材料的功函数，降低材料的空穴注入势垒，降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，提高量子点发光层空穴的注入效率，提高空穴与电子的复合效率，从而提高发光器件的光电性能和使用寿命。
[0018]本申请第三方面提供的发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层；所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧含有经酸性化合物修饰过的聚合物空穴传输材料，有效提高聚合物材料的功函数，降低材料的空穴注入势垒，降低空穴传输层与量子点发光层之间价带的能级差，提高量子点发光层空穴的注入效率，提高空穴与电子的复合效率，从而提高发光器件的光电性能和使用寿命。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本申请实施例提供的空穴传输材料的修饰方法的流程示意图；
[0021]图2是本申请实施例提供的发光器件的制备方法的流程示意图；
[0022]图3是本申请实施例提供的一种正型构型的发光器件。
[0023]图4是本申请实施例提供的一种反型构型的发光器件；
[0024]其中，1—衬底2—阳极3—空穴功能层4—发光层5—电子功能层6—阴极
具体实施方式
[0025]为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合
丁基苯基)胺])、NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、CBP(4,4'-二(9-咔唑)联苯中的至少一种。本申请实施例采用的高分子聚合物材料，一方面，具有较高性能的空穴传输能力；另一方面，含有氮、苯环等，能够与酸性化合物中氢离子相互作用，在聚合物表面形成偶极，提高聚合物材料的功函；再一方面，这些聚合物材料均为给电子材料，聚合物分子的电子能够被酸性化合物中空轨道接受，在聚合物材料表面形成极化现象，提高聚合物材料的功函。因此，本申请实施例采用的这些聚合物空穴传输材料，经过酸性化合物改性，可提高聚合物的功函，从而降低材料的空穴注入势垒，进一步提高空穴的传输性能，提高量子点发光层空穴的注入效率，提高空穴与电子的复合效率。
[0037]具体地，上述步骤S20中，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。本申请采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料修饰，酸性化合物中氢离子能够与聚合物空穴传输材料中氮原子、苯环中的电子云等相互作用，在聚合物表面形成偶极。并且，酸性化合物中空轨道能够接受聚合物空穴传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空穴传输材料的修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：获取聚合物空穴传输材料；采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理，得到修饰后的空穴传输材料。2.如权利要求1所述的空穴传输材料的修饰方法，其特征在于，采用酸性化合物对聚合物空穴传输材料进行修饰处理的步骤包括：按摩尔比为(1～1.5)：1，将所述酸性化合物和所述聚合物空穴传输材料溶解于溶剂中进行修饰处理。3.如权利要求1或2所述的空穴传输材料的修饰方法，其特征在于，所述酸性化合物选自：质子酸和/或路易斯酸；和/或，所述聚合物空穴传输材料选自：TFB、PVK、TCTA、TAPC、Poly-TBP、Poly-TPD、NPB、CBP中的至少一种。4.如权利要求3所述的空穴传输材料的修饰方法，其特征在于，所述质子酸选自：氯化氢、溴化氢、磷酸、乙酸中的至少一种；和/或，所述路易斯酸选自：AlCl3、CrCl3中的至少一种。5.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供含有阳极的基板；在所述阳极远离所述基板的一侧表面沉积空穴传输材料，得到空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述基板的一侧表面沉积量子点材料，得到量子点发光层；在所述量子点发光层远离所述空穴传输层的一侧表面沉积阴极材料，得到阴极；其中，所述空穴传输层靠近所述量子点发光层的一侧含有经酸性化合物修饰过的聚合物空穴传输材料。6.如权利要求5所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述阳极远离所述基板的一侧表面沉积空穴传输材料，得到空穴传输层的步骤包括：在所述阳极远离所述基板的一侧表面沉积含有酸性化合物与聚合物空穴传输材料的混合溶液，干燥得到经酸性化合物修饰的聚合物空穴传输层；或者，在所述阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振垒，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：