热激活延迟荧光材料及其用途、电致发光器件和显示装置制造方法及图纸

一种热激活延迟荧光材料及其用途、电致发光器件和显示装置，所述热激活延迟荧光材料具有如式I所示的D

【技术实现步骤摘要】
热激活延迟荧光材料及其用途、电致发光器件和显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种热激活延迟荧光材料及其用途、电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，具有电荷转移(Charge Transfer,CT)发射的热激活延迟荧光(Thermally activated delayed fluorescence,TADF)聚合物由于能够通过反向系间窜跃(Reverse Intersystem Crossing,RISC)过程将三重态激子转化为单重态激子，从而实现100％的内量子效率(Internal Quantum Efficiency,IQE)而备受关注，为无需贵金属配合物的溶液处理有机电致发光器件的发展提供了一条有前途的途径。
[0003]为了保证高效的RISC过程，TADF材料需要具有较小的单重态
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三重态分裂能(ΔEst)，对应其最高占据分子轨道能级
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最低未占分子轨道能级(HOMO
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LUMO)的有效分离。在TADF研究的初始阶段，甚至现在，HOMO
‑
LUMO分离通常是通过电子给体和受体单元的共价键实现的。由于给体和受体之间的强电子耦合，传统TADF发射体具有较大的振子强度(f)和高的光致发光量子产率(Photoluminescence Quantum Yield,PLQY)。然而由于其较强的电子耦合，使TADF发射体分子具有相对较大的ΔEst，不利于RISC过程。
[0004]而通过在空间上将HOMO和LUMO分别作用于D
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A结构的TADF发射体分子的给体(D)和受体(A)部分，从而最小化了前沿分子轨道的电子交换积分，导致振子强度(f)过度降低。由于振子强度(f)的过渡降低，该策略可能导致TADF发射体的PLQY降低，这对应于较慢的辐射衰减速率。因此，需要在调节ΔEst、f和缓慢的非辐射衰减之间取得平衡，以生产高效的TADF发射体和有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)。

技术实现思路

[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本公开的保护范围。
[0006]本公开实施例提供一种热激活延迟荧光材料，所述热激活延迟荧光材料具有如式I所示的D
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L
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A结构：
[0007][0008]其中，L为取代或未取代的亚芳基、亚杂芳基、亚降冰片烯基、聚亚降冰片烯基、亚三蝶烯基中的任意一种；这里，取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的亚萘基、取代的亚菲基、取代的二苯并亚噻吩基、取代的二苯并亚呋喃基、取代的亚咔唑基、取代的亚芴基、取代
的亚螺芴基、取代的亚降冰片烯基、取代的聚亚降冰片烯基、取代的亚三蝶烯基、取代的亚苊基是指被一个或多个如下基团所取代：芳基、杂芳基、萘基、菲基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、芴基、螺芴基、降冰片烯基、聚降冰片烯基、三蝶烯基、苊基；
[0009]D为能够提供电荷的具有给体性质的基团，为取代的C3至C60的单环杂芳基、取代的C3至C60的稠环杂芳基、取代的C6至C60的单环芳基、取代的C9至C60的稠环芳基中的任意一种；这里，取代的C3至C60的单环杂芳基、取代的C3至C60的稠环杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：C3至C60的单环杂芳基、C3至C60的稠环杂芳基、C6至C60的单环芳基、C9至C60的稠环芳基、取代的胺基；取代的C6至C60的单环芳基、取代的C9至C60的稠环芳基是指被一个或多个如下基团所取代：C3至C60的单环杂芳基、C3至C60的稠环杂芳基、取代的胺基；取代的胺基是指被一个或多个如下基团所取代：取代的C6至C60的单环芳基、取代的C6至C60的单环亚芳基、取代的C9至C60的稠环芳基、取代的C9至C60的稠环亚芳基，这里，取代的C6至C60的单环芳基、取代的C6至C60的单环亚芳基、取代的C9至C60的稠环芳基、取代的C9至C60的稠环亚芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、氘、C1至C12的烷基、C6至C60的单环芳基、C9至C60的稠环芳基；
[0010]A为能够接受D提供的电荷的具有受体性质的基团。
[0011]在示例性实施例中，D可以为式II
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1、式II
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2、式II
‑
3所示的基团中的任意一种：
[0012][0013]在式II
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1中，Z1为C、N、O、S、P、B、Se中的任意一种，R1至R4各自独立地为氢、氘、C1至C12的烷基、取代或未取代的C6至C30的芳基、取代或未取代的C6至C30的亚芳基、取代或未取代的C3至C30的杂芳基、取代或未取代的C3至C30的亚杂芳基中的任意一种；R5为取代或未取代的C6至C30的芳基、取代或未取代的C6至C30的亚芳基、取代或未取代的C3至C30的杂芳基、取代或未取代的C3至C30的亚杂芳基中的任意一种；这里，取代的C6至C30的芳基、取代的C6至C30的亚芳基、取代的C3至C30的杂芳基、取代的C3至C30的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、氘、C1至C12的烷基、C6至C30的芳基、C3至C30的杂芳基；Ar1以取代或稠合的方式结合在苯并五元环上，Ar1为取代或未取代的C6至C20的芳基、亚芳基、杂芳基、亚杂芳基、联苯基、萘基中的任意一种；这里，取代的C6至C20的芳基、取代的C6至C20的亚芳基、取代的C6至C20的杂芳基、取代的C6至C20的亚杂芳基、取代的联苯、取代的萘是指被一个或多个如下基团所取代：C6至C20的芳基、C6至C20的杂芳基、联苯基、萘基；并且当Z1为C时，R1至R5以及Ar1中的至少一个含有杂芳基或亚杂芳基；
[0014][0015]在式II
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2中，Z2为C、N、O、S、P、B、Se中的任意一种，R6至R13、R15、R16各自独立地为氢、氘、C1至C12的烷基、取代或未取代的C6至C30的芳基、取代或未取代的C3至C30的杂芳基、取代或未取代的C6至C30的亚芳基、取代或未取代的C3至C30的亚杂芳基中的任意一种；R14为取代或未取代的C6至C30的芳基、取代或未取代的C3至C30的杂芳基、取代或未取代的C6至C30的亚芳基、取代或未取代的C3至C30的亚杂芳基；这里，取代的C6至C30的芳基、取代的C3至C30的杂芳基、取代的C6至C30的亚芳基、取代的C3至C30的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、氘、C1至C12的烷基、C6至C30的芳基、C3至C30的杂芳基；并且当Z2为C时，R6至R16中的至少一个含有杂芳基或亚杂芳基；
[0016][0017]在式II
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3中，Ar2、Ar23、Ar4各自独立地为氢、氘、C1至C12的烷基、取代的C6至C60的单环芳基、取代的C6至C60的单环亚芳基、取代的C9至C60的稠环芳基、取代的C9至C60的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热激活延迟荧光材料，其特征在于，具有如式I所示的D
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L
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A结构：其中，L为取代或未取代的亚芳基、亚杂芳基、亚降冰片烯基、聚亚降冰片烯基、亚三蝶烯基中的任意一种；这里，取代的亚芳基、取代的亚杂芳基、取代的亚萘基、取代的亚菲基、取代的二苯并亚噻吩基、取代的二苯并亚呋喃基、取代的亚咔唑基、取代的亚芴基、取代的亚螺芴基、取代的亚降冰片烯基、取代的聚亚降冰片烯基、取代的亚三蝶烯基、取代的亚苊基是指被一个或多个如下基团所取代：芳基、杂芳基、萘基、菲基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、芴基、螺芴基、降冰片烯基、聚降冰片烯基、三蝶烯基、苊基；D为能够提供电荷的具有给体性质的基团，为取代的C3至C60的单环杂芳基、取代的C3至C60的稠环杂芳基、取代的C6至C60的单环芳基、取代的C9至C60的稠环芳基中的任意一种；这里，取代的C3至C60的单环杂芳基、取代的C3至C60的稠环杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：C3至C60的单环杂芳基、C3至C60的稠环杂芳基、C6至C60的单环芳基、C9至C60的稠环芳基、取代的胺基；取代的C6至C60的单环芳基、取代的C9至C60的稠环芳基是指被一个或多个如下基团所取代：C3至C60的单环杂芳基、C3至C60的稠环杂芳基、取代的胺基；取代的胺基是指被一个或多个如下基团所取代：取代的C6至C60的单环芳基、取代的C6至C60的单环亚芳基、取代的C9至C60的稠环芳基、取代的C9至C60的稠环亚芳基，这里，取代的C6至C60的单环芳基、取代的C6至C60的单环亚芳基、取代的C9至C60的稠环芳基、取代的C9至C60的稠环亚芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、氘、C1至C12的烷基、C6至C60的单环芳基、C9至C60的稠环芳基；A为能够接受D提供的电荷的具有受体性质的基团。2.根据权利要求1所述的热激活延迟荧光材料，其特征在于，D为式II
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1、式II
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2、式II
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3所示的基团中的任意一种：在式II
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1中，Z1为C、N、O、S、P、B、Se中的任意一种，R1至R4各自独立地为氢、氘、C1至C12的烷基、取代或未取代的C6至C30的芳基、取代或未取代的C6至C30的亚芳基、取代或未取代
的C3至C30的杂芳基、取代或未取代的C3至C30的亚杂芳基中的任意一种；R5为取代或未取代的C6至C30的芳基、取代或未取代的C6至C30的亚芳基、取代或未取代的C3至C30的杂芳基、取代或未取代的C3至C30的亚杂芳基中的任意一种；这里，取代的C6至C30的芳基、取代的C6至C30的亚芳基、取代的C3至C30的杂芳基、取代的C3至C30的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、氘、C1至C12的烷基、C6至C30的芳基、C3至C30的杂芳基；Ar1以取代或稠合的方式结合在苯并五元环上，Ar1为取代或未取代的C6至C20的芳基、亚芳基、杂芳基、亚杂芳基、联苯基、萘基中的任意一种；这里，取代的C6至C20的芳基、取代的C6至C20的亚芳基、取代的C6至C20的杂芳基、取代的C6至C20的亚杂芳基、取代的联苯、取代的萘是指被一个或多个如下基团所取代：C6至C20的芳基、C6至C20的杂芳基、联苯基、萘基；并且当Z1为C时，R1至R5以及Ar1中的至少一个含有杂芳基或亚杂芳基；在式II
‑
2中，Z2为C、N、O、S、P、B、Se中的任意一种，R6至R13、R15、R16各自独立地为氢、氘、C1至C12的烷基、取代或未取代的C6至C30...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斯琦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：