【技术实现步骤摘要】
在制造晶圆的制程中，正电荷静电会累积在金属导电层上而产生位能的障壁，当圆孔或沟槽愈小时，该金属导线层上的氮化层将难以蚀刻完全，本专利技术能消除累积在金属导电层的正电荷静电，使圆孔或沟槽底部的氮化层蚀刻完全。
技术介绍
公知半导体在电浆蚀刻的制程中，有一些蚀刻不完全的情况发生；该蚀刻不完全的情况是由于金属导电层上的正电荷静电累积所造成。举一例来说(如图1所示)，公知一金属导电层1a通常位于一氧化物层5a上方；一氮化层2a以电浆气相沉积法沉积在该金属导电层1a的上方，该金属导电层1a在电浆气相沉积法的制程中，或是经由干燥的空气磨擦，会有一正电荷静电11a累积于该金属导电层1a的情形发生；该正电荷静电11a在该金属导电层1a上形成一位能障壁使带正电的若干个蚀刻离子4a很难进入一氟硅玻璃3a旁的一圆孔或沟槽31a的底部(尤其当圆孔或沟槽愈小时)，故该蚀刻离子4a很难和该氮化层3a进行蚀刻反应，因而造成蚀刻不全的现象，如此会造成晶圆制程中良率的下降。
技术实现思路
本专利技术提供一种，可在晶圆制程中，消除金属导电层上所累积的正电荷静电，使位于圆孔或沟槽底部的氮化层能完全被蚀刻，而提升制造晶圆的良率。本专利技术提供一种，其步骤包括；a·将一氮化层沉积在一金属导电层上；b·将一氟硅玻璃沉积在该氮化层上，且该氟硅玻璃中开设若干个圆孔或沟槽；c·将一高气压低密度(isotropic)电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层；及d·用若干个蚀刻离子将该圆孔或沟槽底部的该氮化层蚀刻。综上所述，本专利技术，能解决晶圆制程中，金属导电层带有静电所造成的蚀刻不全的问题，进而达到蚀刻...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其步骤包括a.将一第一植布层沉积在一金属导电层上；b.将一第二植布层沉积在该第一植布层上，且该第二植布层中开设若干个圆孔或沟槽；c.将一高气压低密度电浆所产生的若干个自由电子撞击该金属导电层；及d.用若干个蚀刻离子将该圆孔或沟槽底部的该第一植布层蚀刻。2.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该步骤a中还包括一将该金属导电层沉积在一氧化层上的步骤。3.如权利要求1所述的消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法，其中该步骤d中还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴汉明，宋伟基，邢国强，古其发，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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