覆晶式发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术是关于一种覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座、图案化导电膜、发光二极管芯片以及凸块。其中子基座的侧壁上具有多数个沟槽，且沟槽的内壁并具有图案化导电膜，此图案化导电膜是由沟槽的内壁而往两端延伸至子基座的部分表面与部分背面。而发光二极管配置在子基座上，且发光二极管上具有二电极。凸块则是配置在发光二极管的电极与导电膜之间，以使发光二极管藉由凸块而与导电膜电性连接。当发光二极管封装结构配置于电路板上时，毋须进行打线制程，即可经由子基座背面的导电膜而与电路板上的电路电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光组件，特别是涉及一种覆晶式发光二极管封装结构。
技术介绍
由III-N族元素化合物半导体材料所构成的发光二极管(LightEmitting Diode，LED)是一种宽能隙(bandgap)的发光组件，其可发出的光线从红外光一直到紫外光，而涵盖所有可见光的波段。近年来，随着高亮度氮化镓(GaN)蓝/绿光发光二极管的快速发展，全彩发光二极管显示器、白光发光二极管及发光二极管交通号志等得以实用化，而其它各种发光二极管的应用也更加普及。发光二极管组件的基本结构包含P型及N型的III-V族元素化合物磊晶层，以及其间的主动层(active layer)，也就是发光层。发光二极管组件的发光效率高低是取决于主动层的量子效率(internal quantumefficiency)，及该组件的光取出效率(light extraction efficiency)。增加量子效率的方法主要是改善主动层的长晶品质及其磊晶层(epitaxiallayer)结构设计，而增加光取出效率的关键则在于减少主动层所发出的光在发光二极管内部反射所造成的能量损失。由于目前一般氮化镓发光二极管组件的正负电极是置于同一面，而正负电极会反射光线，所以氮化镓发光二极管大多采用覆晶式(flip-chip)的封装，令正负电极面对不透明的基板，并在面对基板的磊晶层上形成反射层，以使大部分的光线朝电极的反侧发出。采用覆晶式封装的另一个好处是，若搭配适当的表面黏着型(surface mount，一般简称surmount)基板，例如是氮化铝基板，则将有助于组件的散热，特别是在高电流操作环境下。如此一来，不但光取出效率得以提高，主动层的量子效率也不致因组件过热而降低。请参阅图1A所示，是现有习知的覆晶式发光二极管封装结构的剖面示意图。该覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座100以及发光二极管芯片102。其中，子基座100上配置有焊垫(bonding pad)104，而发光二极管芯片102上配置有凸块(bump)106。当发光二极管芯片102倒覆于子基座100上时，每一凸块106皆会与其所对应的焊垫104相连接，而发光二极管芯片102即是藉由凸块106而与子基座100上的焊垫104电性连接。请参阅图1B所示，是现有习知的覆晶式发光二极管封装结构在电路板上的配置剖面示意图。当该现有习知的覆晶式发光二极管封装结构配置于电路板108上时，通常需要进行打线制程，以使导线112有一端与焊垫104连接，而另一端则与电路板108上的电极110连接。发光二极管芯片102即可藉由凸块106及导线112而与电路板108上的电路电性连接。然而，为了降低导线112的电阻值，一般都会尽量缩小导线112的线宽，却也因此使得导线112变得脆弱易断，而容易在制程中断裂，造成成本的浪费。而且由于电路板108上通常是配置有多个LED封装结构，因此需进行多次打线制程，故成本较高。此外，在覆晶式LED封装结构中，由于LED芯片102是倒覆在子基座上，并藉由凸块106与子基座100电性连接，因此覆晶式LED封装结构的整体体积较非覆晶式LED封装结构的体积大，且较占空间。由此可见，上述现有的覆晶式发光二极管封装结构仍存在有诸多的缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决覆晶式发光二极管封装结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。有鉴于上述现有的覆晶式发光二极管封装结构存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，积极加以研究创新，以期创设一种新型的覆晶式发光二极管封装结构，能够改进一般现有的覆晶式发光二极管封装结构，使其更具有实用性。经过不断的研究设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的覆晶式发光二极管封装结构存在的缺陷，而提供一种新的覆晶式发光二极管封装结构，所要解决的技术问题是使其可使覆晶式发光二极管封装结构不必经由打线制程，即可与电路板上的电路电性连接，从而更加适于实用，且具有产业上的利用价值。本专利技术另一目的在于，提供一种覆晶式发光二极管封装结构，所要解决的技术问题是使其整体体积较现有习知产品不占空间，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种覆晶式发光二极管封装结构，其包括一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该子基座的侧壁上具有多数个沟槽；一第一图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及部分该些沟槽的内壁上；一第二图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜电性连接。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其更包括二凸块，分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜之间。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些侧壁是为相邻的侧壁。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些侧壁是为相对的侧壁。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m不等于n。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m等于n。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的m等于1，且n等于1。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽是配置于该子基座角落的侧壁上。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些凸块的材质包括锡铅合金。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的子基座的材质包括氮化铝、氮化硼以及氧化锌其中之一。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种覆晶式发光二极管封装结构，其包括一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，且该第一表面上具有一凹杯，而该子基座的侧壁上则具有多数个沟槽；一第一图案化导电反射膜，是配置于部分该第一表面、部分该第二表面、该凹杯的一第一部分侧壁、该凹杯的部分底面以及部分该些沟槽的内壁上；一第二图案化导电反射膜，是配置于部分该第一表面、部分该第二表面、该凹杯的一第二部分侧壁、该凹杯的部分底面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，并位于该凹杯内，而其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电反射膜以及该第二图案化导电反射膜电性连接。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其更包括二凸块，且每一该些凸块是分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电反射膜及该第二图案化导电反射膜之间。前述的覆晶式发光二极管封装结构，其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。前述的覆晶式发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其包括：一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该子基座的侧壁上具有多数个沟槽；一第一图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及部分该些沟槽的内壁上；　 　一第二图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其包括一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该子基座的侧壁上具有多数个沟槽；一第一图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及部分该些沟槽的内壁上；一第二图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜电性连接。2.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其更包括二凸块，分别配置于该发光二极管芯片的该些电极与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜之间。3.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些沟槽中的m个是位于该子基座的一侧壁上，而该些沟槽中的n个是位于该子基座的另一侧壁上。4.根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些侧壁是为相邻的侧壁。5.根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些侧壁是为相对的侧壁。6.根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m不等于n。7.根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m等于n。8.根据权利要求3所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的m等于1，且n等于1。9.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些沟槽是配置于该子基座角落的侧壁上。10.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的该些凸块的材质包括锡铅合金。11.根据权利要求1所述的覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其中所述的子基座的材质包括氮化铝、氮化硼以及氧化锌其中之一。12.一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其包括一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的第二表面，且该第一表面上具有一凹杯，而该子基座的侧壁上则具有多数...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世昌，许进恭，
申请(专利权)人：元砷光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]