主动元件基板及主动元件基板的制造方法技术

一种主动元件基板及主动元件基板的制造方法，主动元件基板包括基板、主动元件以及阻隔层。主动元件位于基板上。阻隔层位于主动元件上。阻隔层包括第一氢原子分布区以及第二氢原子分布区。第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区位于第二氢原子分布区与基板之间。第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于第二氢原子分布区中的氮原子的浓度。第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。

【技术实现步骤摘要】
主动元件基板及主动元件基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种主动元件基板，且特别涉及一种具有阻隔层的主动元件基板及主动元件基板的制造方法。

技术介绍

[0002]在现有的电子装置的制造过程中，半导体材料若接触到水气及/或氢气，可能会导致半导体材料的性质出现变化，进而影响电子装置的制造良率。举例来说，薄膜晶体管的半导体层若接触到氢气，则半导体层的导电性质可能会被改变，使薄膜晶体管故障。因此，目前亟需一种能避免半导体层接触到水气及/或氢气的方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种主动元件基板，能避免水气以及氢对主动元件造成损伤。
[0004]本专利技术提供一种主动元件基板的制造方法，能避免水气以及氢对半导体层造成损伤。
[0005]本专利技术的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板、主动元件以及阻隔层。主动元件位于基板上。阻隔层位于主动元件上。阻隔层包括第一氢原子分布区以及第二氢原子分布区。第一氢原子分布区位于主动元件上。第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区位于第二氢原子分布区与基板之间。第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于第二氢原子分布区中的氮原子的浓度。第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。第一氢原子分布区的厚度小于或等于第二氢原子分布区的厚度。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种主动元件基板。主动元件基板包括基板、主动元件以及阻隔层。主动元件位于基板上，且包括半导体层、第一栅极、源极以及漏极。半导体层位于基板上。第一栅极重叠于半导体层。第一栅极与半导体层之间夹有栅极绝缘层。第一栅极包括铝、铝合金或含有铝层的堆叠层。源极以及漏极电性连接至半导体层。阻隔层位于主动元件上。阻隔层包括氧氮化硅以及氢原子。第一栅极位于该阻隔层与该半导体层之间。
[0007]本专利技术的至少一实施例提供一种主动元件基板的制造方法。主动元件基板的制造方法包括：提供基板；于基板上形成半导体层；以薄膜沉积工艺于半导体层上形成阻隔层。阻隔层包括第一氢原子分布区以及第二氢原子分布区。第一氢原子分布区位于半导体层上。第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区位于第二氢原子分布区与基板之间。第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子。第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于第二氢原子分布区中的氮原子的浓度。第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度。第一氢原子分布区的厚度小于或等于该第二氢原子分布区的厚度。
附图说明
[0008]图1A至图1D是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的制造方法的剖面示意图。
[0009]图2A是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氮原子浓度分布的示意图。
[0010]图2B是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氢原子浓度分布的示意图。
[0011]图2C是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氧原子浓度分布的示意图。
[0012]图3A是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氮原子浓度分布的示意图。
[0013]图3B是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氢原子浓度分布的示意图。
[0014]图3C是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氧原子浓度分布的示意图。
[0015]图4是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的剖面示意图。
[0016]图5A是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氮原子浓度分布的示意图。
[0017]图5B是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氢原子浓度分布的示意图。
[0018]图5C是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氧原子浓度分布的示意图。
[0019]图6A是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氮原子浓度分布的示意图。
[0020]图6B是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氢原子浓度分布的示意图。
[0021]图6C是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的氧原子浓度分布的示意图。
[0022]附图标记说明：
[0023]10、20：主动元件基板
[0024]100：基板
[0025]110：第一导电层
[0026]112：遮光结构
[0027]114：电容电极
[0028]116、154、156、196：信号线
[0029]120：第一绝缘层
[0030]130：半导体层
[0031]132、136：掺杂区
[0032]134：通道区
[0033]140：栅极绝缘层
[0034]150：第二导电层
[0035]152：第一栅极
[0036]160、160a：阻隔层
[0037]162、162a：第一氢原子分布区
[0038]164、164a：第二氢原子分布区
[0039]170：平坦层
[0040]180：第二绝缘层
[0041]192：源极
[0042]194：漏极
[0043]200：保护层
[0044]210：绝缘层
[0045]220：第一电极
[0046]230：像素定义层
[0047]240：机发光半导体层
[0048]250：第二电极
[0049]DR1：方向
[0050]P：掺杂工艺
[0051]T：主动元件
[0052]T1、T2、T3、T4：厚度
具体实施方式
[0053]图1A至图1D是依照本专利技术的一实施例的一种主动元件基板的制造方法的剖面示意图。
[0054]请参考图1A，提供基板100。基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板100上覆盖一层绝缘层(未示出)，以避免短路问题。
[0055]于基板100上形成半导体层130。在本实施例中，半导体层130的材料包括金属氧化物。举例来说，半导体层130的材料包括氧化铟镓锌(Indium
‑
Gallium
‑
Zinc Oxide,IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(Indium
‑
Zinc Oxide,IZO)、氧化镓锌(Gallium
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Zinc Oxide,GZO)、氧化锌锡(Zinc
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Tin Oxide,ZTO)或氧化铟锡(Indium
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Tin Oxide,ITO)或其他合适材料。在本实施例中，半导体层130的材料包括氧化铟镓锌，且厚度T1为5纳米至100纳米。
[0056]在本实施例中，在形成半导体层130之前，于基板100上形成第一导电层11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种主动元件基板，包括：一基板；一主动元件，位于该基板上；以及一阻隔层，位于该主动元件上，其中该阻隔层包括：一第一氢原子分布区，位于该主动元件上，其中该第一氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子；以及一第二氢原子分布区，该第一氢原子分布区位于该第二氢原子分布区与该基板之间，其中该第二氢原子分布区包括氮化硅以及氢原子，其中该第一氢原子分布区中的氮原子的浓度小于该第二氢原子分布区中的氮原子的浓度，其中该第一氢原子分布区中的氢原子的最高浓度大于该第二氢原子分布区中的氢原子的最高浓度，其中该第一氢原子分布区的厚度小于或等于该第二氢原子分布区的厚度。2.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一氢原子分布区中的氢原子的浓度在朝向该基板的方向的分布为先升后降。3.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第一氢原子分布区中的氮元素的浓度在朝向该基板的方向的分布为逐渐下降。4.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该主动元件包括：一半导体层，位于该基板上；一第一栅极，重叠于该半导体层，且该第一栅极与该半导体层之间夹有一栅极绝缘层，其中该第一氢原子分布区接触并覆盖该栅极绝缘层；以及一源极以及一漏极，电性连接至该半导体层。5.如权利要求4所述的主动元件基板，其中该第一栅极的材料包括铝、铝合金、钼铝合金、钛铝合金、钼钛铝合金或含有铝层的堆叠层，该半导体层的材料包括金属氧化物。6.如权利要求4所述的主动元件基板，其中该第一氢原子分布区接触并覆盖该第一栅极，且该第一栅极位于该第一氢原子分布区与该半导体层之间。7.如权利要求5所述的主动元件基板，其中该主动元件还包括：一第二栅极，重叠于该半导体层，且该第二栅极位于该基板与该半导体层之间。8.如权利要求1所述的主动元件基板，还包括：一平坦层，位于该阻隔层上，其中该平坦层接触并覆盖该第二氢原子分布区。9.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第二氢原子分布区的厚度为10纳米至600纳米，且该第一氢原子分布区的厚度为10纳米至600纳米。10.如权利要求1所述的主动元件基板，其中该第二氢原子分布区较该第一氢原子分布区致密。11.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄震铄，陈国光，薛芷苓，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：