光传感器模块制造技术

一种光传感器模块，其中，具备光传感器（３５、６１、１１１），其在上面设置了光电变换器件区域（３８、１１３）和连接于该光电变换器件区域（３８、１１３）的连接衬垫（３９、１１４）；具有多个外部连接用电极（９、１６、１３４、１４４）的半导体构成体（５、１３１）；设置在所述半导体构成体（５、１３１）周围的绝缘层（１８、１３７）；和配线（２２、１２２），其设置在至少所述半导体构成体（５、１３１）和所述光传感器（３５、６１、１１１）的任一方上，电连接所述光传感器（３５、６１、１１１）的连接衬垫（３９、１１４）与所述半导体构成体（５、１３１）的外部连接用电极（９、１６、１３４、１４４）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光传感器模块，更具体而言涉及具有驱动用半导体装置的光传感器模块。
技术介绍
记载于特开2003-264274号公报中的现有光传感器模块，构成为在具有作为支撑零件功能的板厚厚的硬质电路基板的上面设置有光传感器，在电路基板的下面设置有具有作为光传感器外围驱动电路功能的半导体装置和由电阻或电容器等构成的芯片零件，用密封膜覆盖半导体装置和由电阻或电容器等构成的芯片零件。但是，在上述现有光传感器模块中，在也作为支撑零件的板厚厚的电路基板的上面设置有光传感器，在电路基板的下面设置有具有作为光传感器外围驱动电路功能的半导体装置和由电阻或电容等构成的驱动用电子零件，在电路基板中形成用于连接光传感器与驱动用电子零件的配线，因此，该部分板厚基本上不能被有效活用，构成整体厚度大的光传感器模块。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种可薄型化的光传感器模块。根据本专利技术，提供一种光传感器模块，其中，具备光传感器35、61、111，其在上面设置有了光电变换器件区域38、113和连接于该光电变换器件区域38、113的连接衬垫39、114；具有多个外部连接用电极9、16、134、144的半导体构成体5、131；设置在所述半导体构成体5、131周围的绝缘层18、137；和配线22、122，其设置在至少所述半导体构成体5、131和所述光传感器35、61、111的任一方上，电连接所述光传感器35、61、111的连接衬垫39、114与所述半导体构成体5、131的外部连接用电极9、16、134、144。根据本专利技术，因为在半导体构成体和该半导体构成体周围设置有的绝缘层上的至少一部分中设置有用于电连接光传感器的连接衬垫与半导体构成体的外部连接用电极的配线，所以不必用于装载半导体构成体和光传感器的电路基板，因此，可薄型化光传感器模块整体。附图说明图1是作为本专利技术的第1实施方式的光传感器模块的截面图。图2是作为本专利技术的第2实施方式的光传感器模块的截面图。图3是作为本专利技术的第3实施方式的光传感器模块的截面图。图4是作为本专利技术的第4实施方式的光传感器模块的截面图。图5是制造包含图3所示的半导体构成体的部分时、最初准备的模块的截面图。图6是接于图5的工序的截面图。图7是接于图6的工序的截面图。图8是接于图7的工序的截面图。图9是接于图8的工序的截面图。图10是接于图9的工序的截面图。图11是接于图10的工序的截面图。图12是接于图11的工序的截面图。图13是接于图12的工序的截面图。图14是接于图13的工序的截面图。图15是接于图14的工序的截面图。图16是制造图15所示的光传感器模块时，规定工序的截面图。图17是接于图16的工序的截面图。图18是接于图17的工序的截面图。图19是接于图18的工序的截面图。图20是制造图1所示的光传感器时，最初准备的模块的截面图。图21是接于图20的工序的截面图。图22是接于图21的工序的截面图。图23是接于图22的工序的截面图。图24是接于图23的工序的截面图。图25是接于图24的工序的截面图。图26是接于图25的工序的截面图。图27是接于图26的工序的截面图。图28是接于图27的工序的截面图。图29是作为本专利技术的第5实施方式的光传感器模块的截面图。图30是图29所示的光传感器的制造方法中，最初工序的截面图。图31是接于图30的工序的截面图。图32是接于图31的工序的截面图。图33是接于图32的工序的截面图。图34是接于图33的工序的截面图。图35是接于图34的工序的截面图。图36是接于图35的工序的截面图。图37是接于图36的工序的截面图。图38是图29所示的半导体构成体的制造方法中，最初工序的截面图。图39是接于图38的工序的截面图。图40是接于图39的工序的截面图。图41是接于图40的工序的截面图。图42是接于图41的工序的截面图。图43是接于图42的工序的截面图。图44是接于图43的工序的截面图。图45是接于图44的工序的截面图。图46是接于图45的工序的截面图。图47是接于图46的工序的截面图。图48是为了说明光传感器和半导体构成体的制造方法另一实例而表示的规定工序的截面图。图49是接于图48的工序的截面图。图50是用来说明光传感器和半导体构成体的制造方法再一实例而示出的规定工序的截面图。图中1-底板，2、69-上面配线，3、74-下面配线，4、23、53、75、82、86、204-外涂层膜，5、131-半导体构成体，6、36、162、172-粘接层，7、37、62、112、132-硅基板(半导体基板)，8、133-集成电路，9、39、64、114、134、203-连接衬垫，10、19、40、65-绝缘膜，12、115、135-保护膜，15、81-配线，16、144-柱状电极(外部连接用电极)，17、145-密封膜，18、67、117、137-绝缘层，18a-绝缘层形成用层，19a-绝缘层形成用薄片，22、52、122、141-配线，27-芯片零件，29-柔性配线板，30-各向异性导电粘接剂，31-薄膜基板，110-光传感器模块，35、61、111-光传感器，37、62-硅基板，38、113-光电变换器件区域，42-接合线，43-密封材料，45、71-玻璃板，46、151-透镜支架，47、152-透镜，48-支撑筒，56、79、84-上下导通部，57、85-导电材料，77、124、143-焊锡孔，78-连接端子，95、96-加热加压板，123、142-贯穿电极，161、171-支撑板，173-切割线(切断线)，201-电路基板，202-绝缘基板具体实施方式(第1实施方式)图1表示作为本专利技术的第1实施方式的光传感器模块的截面图。该光传感器模块备有由玻璃布原料环氧树脂等构成的平面方形的底板1。在底板1的上面设置有由铜箔构成的上面配线2，下面设置有由铜箔构成的下面配线3。此时，上面配线2是由β图案构成的接地层(噪声屏蔽层)，下面配线3是通常的配线。在包含下面配线3的底板1的下面设置有由焊料抗蚀剂等构成的涂层膜4。在上面配线2上面的规定部位，经由接合材料构成的粘接层来粘接着尺寸比底板1的尺寸小一些的平面方形的半导体构成体5的下面。此时，半导体构成体5具有作为后述光传感器35的外围驱动电路的功能，具有后述的配线15、柱状电极(外部连接用电极)16、密封膜17，通常称为CSP(chip size package)，尤其是如后所述，由于采用在硅晶片上形成配线15、柱状电极16、密封膜17之后、利用切片来得到各个半导体构成体5的方法，所以也特别称作晶片级CSP(W-CSP)。下面，说明半导体构成体5的构成。半导体构成体5具备硅基板(半导体基板)7。硅基板7的下面经粘接层6粘接于底板1的上面。在硅基板7的上面中央部设置有规定功能的集成电路8，在上面外围部连接于集成电路8上设置有由铝类金属等构成的多个连接衬垫9(外部连接用电极)。去除连接衬垫9的中央部的硅基板7的上面，设置由氧化硅等构成的绝缘膜10，经已设置在绝缘膜10中的开口部11使连接衬垫9的中央部露出。在绝缘膜10的上面设置有由环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等构成的保护膜12。此时，在对应于绝缘膜10的开口部11的部分中的保护膜12中设置有开口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光传感器模块，其特征在于，具备：光传感器（３５、６１、１１１），其在上面设置有光电变换器件区域（３８、１１３）和连接于该光电变换器件区域（３８、１１３）的连接衬垫（３９、１１４）；具有多个外部连接用电极（９、１６、１３４ 、１４４）的半导体构成体（５、１３１）；设置在所述半导体构成体（５、１３１）周围的绝缘层（１８、１３７）；和配线（２２、１２２），其设置在至少所述半导体构成体（５、１３１）和所述光传感器（３５、６１、１１１）的任一方上，电连 接所述光传感器（３５、６１、１１１）的连接衬垫（３９、１１４）与所述半导体构成体（５、１３１）的外部连接用电极（９、１６、１３４、１４４）。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-27 2004-018538;JP 2004-1-27 2004-0185401.一种光传感器模块，其特征在于，具备光传感器(35、61、111)，其在上面设置有光电变换器件区域(38、113)和连接于该光电变换器件区域(38、113)的连接衬垫(39、114)；具有多个外部连接用电极(9、16、134、144)的半导体构成体(5、131)；设置在所述半导体构成体(5、131)周围的绝缘层(18、137)；和配线(22、122)，其设置在至少所述半导体构成体(5、131)和所述光传感器(35、61、111)的任一方上，电连接所述光传感器(35、61、111)的连接衬垫(39、114)与所述半导体构成体(5、131)的外部连接用电极(9、16、134、144)。2.根据权利要求1所述的光传感器模块，其特征在于其中将所述外部连接用电极(16、144)形成为柱状，所述半导体构成体(5、131)还具有半导体基板(7、132)、和形成于所述半导体基板(7、132)上的连接衬垫(9、134)，所述外部连接用电极(16、144)电连接于所述连接衬垫(9、134)上，并且，具有设置在所述半导体基板(7、132)上的所述外部连接用电极(16、144)之间的密封膜(17、145)。3.根据权利要求1所述的光传感器模块，其特征在于所述半导体构成体(131)具有底面，所述绝缘层(137)具有底面，所述半导体构成体(131)的底面和所述绝缘层(137)的底面是齐平面。4.根据权利要求1所述的光传感器模块，其特征在于所述半导体构成体(131)具有沿厚度方向贯穿绝缘层(137)的贯穿电极(142)。5.根据权利要求4所述的光传感器模块，其特征在于所述半导体构成体(131)还具有设置在绝缘层(137)上的配线(141)。6.根据权利要求5所述的光传感器模块，其特征在于所述外部连接用电极(144)是将所述贯穿电极(142)在所述配线(141)上沿所述绝缘层(137)的厚度方向的相反方向延伸的柱状电极。7.根据权利要求1所述的光传感器模块，其特征在于所述半导体构成体(5)具有设置在所述半导体构成体(5)和所述绝缘层(18)上的绝缘膜(19)，所述配线(22)被设置在所述绝缘层(19)上。8.根据权利要求1所述的光传感器模块，其特征在于，所述光传感器(61、111)具有具有所述光电变换器件区域(38、113)的半导体基板(62、112)；设置在所述半导体基板(62、112)上的保护膜(65、115)；和设置在所述半导体基板(62、112)周围的绝缘层(67、117)。9.根据权利要求8所述的光传感器模块，其特征在于在所述光传感器(61)的绝缘层(67)上具有上面配线(69)。10.根据权利要求8所述的光传感器模块，其特征在于所述配线(122)被设置在所述光传感器(111)的绝缘层(117)上。11.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：三原一郎，定别当裕康，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]