掩模基板的平整度模拟系统技术方案

提供一种掩模基板的平整度模拟系统，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该掩模基板的平整度模拟系统包括：取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的测定基板的平整性的单元；以及取得有关由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的有关上述主面的平整度的第二信息的单元。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半导体装置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服务器。
技术介绍
随着半导体器件的微细化的进展，对光刻工序的微细化的要求日益提高。器件的设计规则的微细化已达0.13μm，必须控制的图形尺寸精度要求达到10nm程度的极严格的精度。其结果是，近年来，半导体制造过程中采用的光刻工序中的问题日益凸现。问题有作为图形形成工序的高精度化的要因之一的光刻工序中采用的掩模基板的平整度。就是说，在伴随微细化的光刻工序中的焦点容限减小中，掩模基板的平整度已经不能忽视。经过本专利技术人等对掩模基板的平整度的反复研究的结果，搞清楚了以下问题。掩模基板的表面形状千差万别，即使是同样的平整度，也有凸形、凹形、鞍形及其混合形等各种形状。因此，例如是同样的平整度，在利用真空吸盘将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台的场合，根据掩模台和真空吸盘的性质配合情况的不同，可出现在吸附时掩模基板发生大变形的场合，几乎不变形的场合或相反平整度良好的场合。这是因为吸附后的掩模基板的平整度与吸附前的掩模基板的表面形状有关，于是，即使是同样的掩模基板也会因为真空吸附的部位不同而改变。然而，由于过去只对平整度进行管理，由于掩模基板的表面形状而使得在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台时出现掩模基板平整度大为恶化的场合。于是，显而易见，利用在这种平整度劣化的掩模基板上形成图形而得到的曝光掩模制造半导体器件，就成为制品成品率低的重要原因。
技术实现思路
如上所述，本专利技术人等，在对将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台前后的掩模基板的平整度进行比较时，确认存在由于掩模基板的表面形状而使得吸附后的平整度恶化，从而发现这一平整度恶化是制品成品率低的主要原因。本专利技术正是考虑到上述情况而提出的，其目的在于提供可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题的、有效的曝光掩模的制造方法，掩模基板信息生成方法，半导体装置的制造方法，掩模基板，曝光掩模及服务器。本专利技术的第一方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的第一信息和表示吸附到曝光装置的掩模台前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和该上述第一信息和上述第二信息的对应关系，从作成的对应关系中选择表示所希望的平整度的第二信息的工序；将具有与所选择的此第二信息有着上述对应关系的第一信息所表示的表面形状相同的表面形状的掩模基板，以与上述多个掩模基板有别的方式制备的工序；以及在制备的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。本专利技术的第二方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括从表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形状的第一信息和表示吸附到曝光装置的掩模台前后的上述主面的平整度的第二信息的对多个掩模基板的对应关系中，选择表示所希望的平整度的第二信息，将具有与所选择的此第二信息有着上述对应关系的第一信息所表示的表面形状相同的表面形状的掩模基板，以与上述多个掩模基板有别的方式制备的工序；以及在制备的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。本专利技术的第三方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的信息的工序；作成上述各掩模基板和该上述信息的对应关系的工序；从作成的对应关系中选择表示凸状的表面形状的信息工序；从上述多个掩模基板中选择具有与所选择的此信息有着上述对应关系的掩模基板的选择工序；以及在所选择的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。本专利技术的第四方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的第一信息和表示根据测定装置测定的上述主面的平整度和曝光装置的掩模吸盘的结构将各掩模基板设置于上述曝光装置上时的模拟所得到的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和该上述第一信息和上述第二信息的对应关系的工序；从作成的对应关系中选择表示所希望的平整度的第二信息，将具有与所选择的此第二信息有着上述对应关系的第一信息所表示的表面形状相同的表面形状的掩模基板，以与上述多个掩模基板有别的方式制备的工序；以及在制备的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。本专利技术的第五方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括从表示各掩模基板和各掩模基板的主面的表面形状的第一信息和表示根据测定装置测定的上述主面的平整度和曝光装置的掩模吸盘的结构将各掩模基板设置于上述曝光装置上时的模拟所得到的平整度的第二信息的对多个掩模基板的对应关系中，选择表示所希望的平整度的第二信息，将具有与所选择的此第二信息有着上述对应关系的第一信息所表示的表面形状相同的表面形状的掩模基板，以与上述多个掩模基板有别的方式制备的工序；以及在制备的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。本专利技术的第六方面的曝光掩模的制造方法的特征在于包括取得表示各掩模基板各掩模基板的主面的表面形状的第一信息的工序；取得表示根据上述掩模基板的主面的平整度和曝光装置的掩模吸盘的结构将上述掩模基板设置于上述曝光装置上时的模拟所得到的平整度的第二信息的工序；以及判断根据上述模拟所取得的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎规格并在判断合乎规格时处理上述掩模基板形成曝光掩模的工序。本专利技术的第七方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的第一信息和表示吸附到曝光装置的掩模台前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及对应地存储上述各掩模基板和上述第一信息及上述第二信息的工序。本专利技术的第八方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的信息的工序；以及存储在所取得的信息中表示主面的表面形状为凸状的信息及与其相对应的掩模基板的工序。本专利技术的第九方面的掩模基板信息生成方法的特征在于包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的第一信息和表示根据测定装置测定的上述主面的平整度和曝光装置的掩模吸盘的结构将各掩模基板设置于上述曝光装置上时的模拟所得到的平整度的第二信息的工序；以及对应存储上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的工序。本专利技术的第十方面的半导体装置的制造方法的特征在于包括将利用上述第一至第三方面任何一个的曝光掩模的制造方法制造的曝光掩模吸附到曝光装置的掩模台上的工序；利用照明光学系统对形成于上述曝光掩模上的图形进行照明，在所希望的基板上成像形成上述图形的像的工序；以及根据上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的层图形化，并用于半导体元件的形成的工序。本专利技术的第十一方面的半导体装置的制造方法的特征在于包括具备由具有主面的基板和在上述主面上形成的遮光体所组成的图形，将上述主面的周边区域的表面形状朝向上述基板的周缘侧，高度较上述主面的中央区域的表面低的形状的曝光掩模吸附到曝光装置的掩模台上的工序；利用照明光学系统对形成于上述曝光掩模上的图形进行照明，利用投影光学系统使上述图形的像在所希望的基板上形成成像的工序；以及根据上述成像使上述所希望的基板上的上述成像所形成的层图形化，并用于半导体元件的形成的工序。本专利技术的第十二方面的掩模基板的特征在于具备由具有主面的基板和覆盖上述主面的遮光体组成的图形，上述主面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模基板的平整度模拟系统，其特征在于包括：　　　　取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的、测定基板的平整性的单元；以及　　　　取得由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的、有关上述主面的平整度的第二信息的单元。

【技术特征摘要】
JP 2001-5-31 164695/2001;JP 2002-2-28 054919/20021.一种掩模基板的平整度模拟系统，其特征在于包括取得有关掩模基板的主面的平整性的第一信息的、测定基板的平整性的单元；以及取得由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置时的模拟得到的、有关上述主面的平整度的第二信息的单元。2.如权利要求1所述的掩模基板的平整度模拟系统，其特征在于在上述掩模基板上预先形成有位...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤正光，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]