【技术实现步骤摘要】
一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法
[0001]本专利技术涉及铜箔胶带领域，具体为一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法。
技术介绍
[0002]铜箔胶带，是一种金属胶带，主要应用于电磁屏蔽及导热散热领域，铜箔本身具有优异的导电性和导热性，但是容易被氧化，镀金后，增强了整体抗氧化，耐盐雾及稳定性效果，因而被广泛应用于手机，笔记电脑和其他数码产品之中。
[0003]5G的到来，带来了机遇同时带来了挑战，通讯技术的更新对于信号处理有着更加严苛的要求：过滤无效电磁波，增强有效信号，天线在这一过程中扮演了重要的角色，而现有的天线信号收发能力弱，不能满足通讯技术对信号处理的要求。
技术实现思路
[0004]基于此，本专利技术的目的是提供一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法，以解决5G的到来，带来了机遇同时带来了挑战，通讯技术的更新对于信号处理有着更加严苛的要求：过滤无效电磁波，增强有效信号，天线在这一过程中扮演了重要的角色，而现有的天线信号收发能力弱，不能满足通讯技术对信号处理的要求的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法，包括第二金属层，所述第二金属层的底端设置有第一金属层，且第一金属层的底端连接有铜箔层，所述铜箔层的底端设置有导电胶层，且导电胶层的底端连接有离型层。
[0006]优选地，所述包括：
[0007]步骤一：采用铜箔层作为基材，在铜箔层的顶面做镀层处理，使其形成第一金属层和第二金属层；>[0008]步骤二：镀层结束之后，在铜箔层的底面涂布特殊导电胶粘剂；
[0009]步骤三：导电胶粘剂干燥后成为导电胶层；
[0010]步骤四：在导电胶层的底面与离型层的离型面进行贴；
[0011]步骤五：室温～40℃进行熟化，对其进行检验、裁切、收卷储存。
[0012]优选地，所述步骤一中的对铜箔层的顶面进行镀层处理，首次镀层采用电镀的方式，镀层为锌、镍、铬其中一种，二次镀层采用真空镀的方式，镀层为金，包括以下步骤：
[0013]S1：一次电镀，对基材铜箔层进行水洗，水洗之后确保铜箔层的表面不含杂质，将其进行浸酸，去除氧化物，活化基材，浸酸浓度保持在5％，浸酸时间为酸液出现浑浊；
[0014]S2：酸性除油，去除铜面上的氧化物，使用酸性除油剂，除油剂浓度10％，除油时间为6min，除油之后二次浸酸，活化基材，浓度为5％，浸酸时间为3min；
[0015]S3：电镀；
[0016]S4：二次镀层采用真空镀中的磁控溅射镀膜法，在真空中充入惰性气体，并在基材和件数靶材之间加热高压真流电，辉光放电产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在基材上，完成镀膜；
[0017]S5：镀膜完成之后，采用低温风，对其进行烘干。
[0018]优选地，步骤二：镀层结束之后，在铜箔层的底面涂布特殊导电胶粘剂形成导电胶层，其中导电胶层包括树脂黏着剂、导电粒子两个部分，树脂黏着剂可采用热塑性树脂，亦可以采用热固性树脂，热塑性树脂为聚丙烯酸树脂，聚甲基丙烯酸树脂其中一种，热固性树脂主要为环氧树脂，导电粒子为镍粉、金粉、银粉、镍包石墨粉、银包铜粉、聚合物包覆镀金高分子微球、聚合物包覆镀银高分子微球、聚合物包覆镀铜高分子微球、聚合物包覆镀镍高分子微球的其中一种或几种。
[0019]6.优选地，所述导电胶层的制备方法包括普通导电胶层和异方性导电胶层：
[0020]S1：普通导电胶层包括，另外一面电镀0.6μm镍层后，真空镀厚度为20nm金层后撕去铜面保护膜，取原料热塑性树脂、导电粒子、固化剂和溶剂对其进行配比，其中热塑性树脂、导电粒子、固化剂和溶剂的所占比例为50:10:1:75；
[0021]S2：将树脂，溶剂，导电粒子，固化剂依次投入至行星搅拌器中进行搅拌，搅拌时间为30
‑
40min，搅拌转速为800转/min，搅拌温度控制在20
‑
33℃；
[0022]S3：搅拌完成之后浆料取出过滤，室温下静置消泡；
[0023]S4：采用刮刀或微凹涂布方式涂布在铜箔层的底端；
[0024]S5：异方性导电胶层包括，另外一面电镀0.7μm锌层后，真空镀厚度为30nm金层后撕去铜面保护膜，取原料热固性树脂、导电粒子、固化剂和溶剂对其进行配比，其中热固性树脂、导电粒子、固化剂和溶剂的所占比例为40:10:1:5；
[0025]S6：将树脂，溶剂，导电粒子，固化剂依次投入至行星搅拌器中进行搅拌，搅拌时间为30
‑
40min，搅拌转速为1000转/min，搅拌温度控制在20
‑
33℃；
[0026]S7：搅拌完成之后浆料取出过滤，室温下静置消泡；
[0027]S8：采用狭缝方式涂布在铜箔层的底端。
[0028]优选地，所述在导电胶层的底面使用离型层的离型面进行贴合中，离型层为硅系离型膜和离型纸其中一种。
[0029]优选地，所述铜箔层厚度为4～35μm，所述第一金属层厚度为0.5～5μm，所述第二金属层厚度为10～100nm，所述导电胶层厚度为5～60μm，所述第二金属层、第一金属层、铜箔层、导电胶层、离型层的使用厚度为10～100μm。
[0030]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0031]1、本专利技术通过设置的第二金属层、第一金属层、铜箔层、导电胶层、离型层实现了装置具有优异的抗氧化，耐腐蚀效果，中性盐雾测试连续喷雾8H后外观无变色，且具有优异的导电性能，接地电阻极小，对垂直电阻进行测试均低于5mΩ/inch2，其中可选用导电粒子(包括镍粉，金粉，银粉，镍包石墨粉，银包铜粉等)也可以为金属包覆高分子微球(包括金包高分子微球，银包高分子微球，铜包高分子微球，镍包高分子微球)，其中金属包覆高分子微球可以实现异向导电性，还具备优异的初粘，剥离力及持粘力，导热散热性能好，其导热系数可达400W/m*k，具有优异的屏蔽效能，0～10GHz范围超过100dB。
附图说明
[0032]图1为本专利技术的普通导电胶层连接结构示意图；
[0033]图2为本专利技术的ACF导电胶层连接结构示意图；
[0034]图3为本专利技术的流程图。
[0035]图中：1、第二金属层；2、第一金属层；3、铜箔层；4、导电胶层；5、离型层。
具体实施方式
[0036]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0037]下面根据本专利技术的整体结构，对其实施例进行说明。
[0038]实施例1
[0039]一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法，包括第二金属层1，第二金属层1的底端设置有第一金属层2，且第一金属层2的底端连接有铜箔层3，铜箔层3的底端设置有导本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于增强信号的铜箔胶带，包括第二金属层(1)，其特征在于：所述第二金属层(1)的底端设置有第一金属层(2)，且第一金属层(2)的底端连接有铜箔层(3)，所述铜箔层(3)的底端设置有导电胶层(4)，且导电胶层(4)的底端连接有离型层(5)。2.根据权利要求1所述的一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法，其特征在于，包括：步骤一：采用铜箔层(3)作为基材，在铜箔层(3)的顶面做镀层处理，使其形成第一金属层(2)和第二金属层(1)；步骤二：镀层结束之后，在铜箔层(3)的底面涂布特殊导电胶粘剂形成导电胶层(4)；步骤三：对铜箔层(3)的底面进行覆膜使其成为导电胶层(4)；步骤四：在导电胶层(4)的底面与离型层(5)的离型面进行贴合；步骤五：室温～40℃进行熟化，对其进行检验、裁切、收卷储存。3.根据权利要求2所述的一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法，其特征在于：所述步骤一中的对铜箔层(3)的顶面进行镀层，首次镀层采用电镀的方式，镀层为锌、镍、铬其中一种，二次镀层采用真空镀的方式，镀层为金，包括以下步骤：S1：一次电镀，对基材铜箔层(3)进行水洗，水洗之后确保铜箔层(3)的表面不含杂质，将其进行浸酸，去除氧化物，活化基材，浸酸浓度保持在5％，浸酸时间为酸液出现浑浊；S2：酸性除油，去除铜面上的氧化物，使用酸性除油剂，除油剂浓度10％，除油时间为6min，除油之后二次浸酸，活化基材，浓度为5％，浸酸时间为3min；S3：电镀；S4：二次镀层采用真空镀中的磁控溅射镀膜法，在真空中充入惰性气体，并在基材和件数靶材之间加热高压真流电，辉光放电产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子轰出，沉积在基材上，完成镀膜；S5：镀膜完成之后，采用低温风，对其进行烘干。4.根据权利要求2所述的一种用于增强信号的铜箔胶带及其制造方法，其特征在于：所述步骤二：镀层结束之后，在铜箔层(3)的底面涂布特殊导电胶粘剂形成导电胶层(4)，其中导电胶层(4)包括树脂黏着剂、导电粒子两个部分，树脂黏着剂可采用热塑性树脂，亦可以采用热固性树脂，热塑性树脂为聚丙烯酸树脂，聚甲基丙烯酸树脂其中一种，热固性树脂主要为环氧树脂，导电粒子为镍粉、金粉、银粉、镍包石墨粉、银包铜...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱娜，
申请(专利权)人：安徽明讯新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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