一种碱抛清洗工艺流程制造技术

本发明专利技术公开了一种碱抛清洗工艺流程，包括下面步骤：去除扩散后硅片背面和侧边的磷硅玻璃、水洗、风刀吹干、装入碱抛专用花篮，进入碱抛机台内预处理、水洗、碱抛、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、慢提拉、烘干。本发明专利技术的优点：采用在溢流水槽添加双氧水的方式，进一步去除碱抛槽反应过程中吸附在硅片表面残留的杂质，有利于硅片表面的洁净程度，进一步降低不良品的产生，提高电池片的良好率。提高电池片的良好率。

【技术实现步骤摘要】
一种碱抛清洗工艺流程


[0001]本专利技术涉及太阳能电池碱抛清洗
，具体是指一种碱抛清洗工艺流程。

技术介绍

[0002]随着社会的发展，降本和提效已经成为光伏电池两大不可逃避的话题。太阳能电池作为作为当下最的能能源之一，其重要工序碱抛清洗是硅太阳能电池制造工艺中不可缺少的一部分，随着清洗技术的不断改进，槽式碱抛清洗在提高太阳能电池的效率、降低工序成本上有了显著优势。而碱抛清洗效果的好坏，在相当大的程度上，影响了电池的效率和良率。
[0003]本专利技术提供的一种碱抛清洗工艺，采用在溢流水槽添加双氧水的方式，进一步去除碱抛槽反应过程中吸附在硅片表面残留的杂质，有利于硅片表面的洁净程度，进一步降低不良品的产生，提高电池片的良好率。

技术实现思路

[0004]本专利技术为了解决上述的各种问题，提供了一种碱抛清洗工艺流程，在酸洗槽前后的水槽，增加低浓度双氧水，进一步去除硅片表面残留的有机物，有利于提高硅片表面的洁净度，从而提高电池片的良好率。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种碱抛清洗工艺流程，包括以下几个步骤：
[0006]步骤一：去除扩散后硅片背面和侧边的磷硅玻璃：使用高浓度的氢氟酸，链式机台上在正面水膜的保护下，去除硅片背面和侧边的磷硅玻璃层；
[0007]步骤二：水洗：使用常温水刀冲洗正背面的氢氟酸残留；
[0008]步骤三：风刀吹干：使用热风刀吹干硅片表面的水残留；
[0009]步骤四：装入碱抛专用花篮，进入碱抛机台内预处理：使用低浓度的氢氧化钾和双氧水混合液去除表面的有机物残留；
[0010]步骤五：水洗：使用溢流水清洗预处理槽体带过来的混合液；
[0011]步骤六：碱抛：使用高浓度氢氧化钾和碱抛添加混合液用于背面抛光；
[0012]步骤七：水洗：使用溢流水清洗抛光槽体带过来的混合液；
[0013]步骤八：碱洗：使用低浓度的氢氧化钾和双氧水混合液去除表面的有机物残留；
[0014]步骤九：水洗：使用溢流水和双氧水混合液进一步去除表面的有机物残留；
[0015]步骤十：酸洗：使用高浓度氢氟酸和低浓度盐酸去除硅片表面的磷硅玻璃和金属离子；
[0016]步骤十一：水洗：使用溢流水和双氧水混合液进一步去除表面的有机物残留；
[0017]步骤十二：慢提拉：使用慢提的方式对硅片进行预脱水；
[0018]步骤十三：烘干：使用高温将硅片彻底烘干。
[0019]优选的，所述步骤一中，氢氟酸的浓度为8％
‑
10％。
[0020]优选的，所述步骤三中，热风刀的温度为40℃
‑
60℃。
[0021]优选的，所述步骤四中，氢氧化钾的浓度为0.3％
‑
0.5％，双氧水混合液的浓度为1％
‑
1.5％，工艺温度为40℃
‑
45℃的温度，工艺时间为90秒。
[0022]优选的，所述步骤六中，氢氧化钾浓度为3％
‑
4％，碱抛添加混合液浓度为1％
‑
2％，工艺温度60℃
‑
70℃，工艺时间150
‑
250秒。
[0023]优选的，所述步骤八中，氢氧化钾浓度为0.3％
‑
0.5％，双氧水混合液浓度为1％
‑
1.5％，工艺温度40℃
‑
45℃，工艺时间90秒。
[0024]优选的，所述步骤九中，溢流水槽中双氧水浓度为0.2％
‑
0.3％，清洗时间为100秒。
[0025]优选的，所述步骤十一中，溢流水槽中双氧水浓度为0.2％
‑
0.3％，清洗时间为100秒。
[0026]优选的，所述步骤十三中的烘干温度为90℃，烘干时间为650秒。
[0027]本专利技术与现有技术相比的优点在于：本专利技术通过若干道溶解清洗工序，对硅片进行彻底的杂质清理，最主要表现在，采用在溢流水槽添加双氧水的方式，进一步去除碱抛槽反应过程中吸附在硅片表面残留的杂质，有利于硅片表面的洁净程度，进一步降低不良品的产生，提高电池片的良好率。
具体实施方式
[0028]下面结合实施例对本专利技术做进一步的详细说明。
[0029]实施例
[0030]一种碱抛清洗工艺流程，包括如下步骤：
[0031]步骤一：去除扩散后硅片背面和侧边的磷硅玻璃：使用8
‑
10％浓度的氢氟酸，链式机台上在正面水膜的保护下，去除硅片背面和侧边的磷硅玻璃层；
[0032]步骤二：水洗：使用常温水刀冲洗正背面的氢氟酸残留；
[0033]步骤三：风刀吹干：使用40
‑
60℃热风刀吹干硅片表面的水残留；
[0034]步骤四：装入碱抛专用花篮，进入碱抛机台内预处理：使用0.3
‑
0.5％浓度的氢氧化钾和1
‑
1.5％浓度的双氧水混合液，40
‑
45℃的温度，90S的工艺时间去除表面的有机物残留；
[0035]步骤五：水洗：使用溢流水清洗预处理槽体带过来的混合液，温度为常温，时间90S；
[0036]步骤六：碱抛：使用3
‑
4％浓度氢氧化钾和1
‑
2％浓度的碱抛添加加混合液，60
‑
70℃，150
‑
250S浸泡用于背面抛光；
[0037]步骤七：水洗：使用溢流水清洗抛光槽体带过来的混合液，温度为常温，时间90S；
[0038]步骤八：碱洗：使用0.3
‑
0.5％浓度的氢氧化钾和1
‑
1.5％浓度的双氧水混合液，40
‑
45℃的温度，90S的工艺时间去除表面的有机物残留；
[0039]步骤九：水洗：使用溢流水和0.2
‑
0.3％浓度双氧水混合液进一步去除表面的有机物残留，清洗时间100S；
[0040]步骤十：酸洗：使用4
‑
6％浓度氢氟酸和2
‑
3％浓度盐酸去除硅片表面的磷硅玻璃和金属离子；
[0041]步骤十一：水洗：使用溢流水和0.1
‑
0.2％浓度双氧水混合液进一步去除表面的有机物残留，清洗时间100S；
[0042]步骤十二：慢提拉：使用常温慢提的方式对硅片进行预脱水；
[0043]步骤十三：烘干：使用90℃高温650S将硅片彻底烘干。
[0044]本专利技术采用在溢流水槽添加双氧水的方式，进一步去除碱抛槽反应过程中吸附在硅片表面残留的杂质，有利于硅片表面的洁净程度，进一步降低不良品的产生，提高电池片的良好率。
[0045]以上对本专利技术及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，实施例中所示的也只是本专利技术的实施方式之一，实际的实施例并不局限于此。总而言之如果本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碱抛清洗工艺流程，其特征在于，包括以下几个步骤：步骤一：去除扩散后硅片背面和侧边的磷硅玻璃：使用高浓度的氢氟酸，链式机台上在正面水膜的保护下，去除硅片背面和侧边的磷硅玻璃层；步骤二：水洗：使用常温水刀冲洗正背面的氢氟酸残留；步骤三：风刀吹干：使用热风刀吹干硅片表面的水残留；步骤四：装入碱抛专用花篮，进入碱抛机台内预处理：使用低浓度的氢氧化钾和双氧水混合液去除表面的有机物残留；步骤五：水洗：使用溢流水清洗预处理槽体带过来的混合液；步骤六：碱抛：使用高浓度氢氧化钾和碱抛添加混合液用于背面抛光；步骤七：水洗：使用溢流水清洗抛光槽体带过来的混合液；步骤八：碱洗：使用低浓度的氢氧化钾和双氧水混合液去除表面的有机物残留；步骤九：水洗：使用溢流水和双氧水混合液进一步去除表面的有机物残留；步骤十：酸洗：使用高浓度氢氟酸和低浓度盐酸去除硅片表面的磷硅玻璃和金属离子；步骤十一：水洗：使用溢流水和双氧水混合液进一步去除表面的有机物残留；步骤十二：慢提拉：使用慢提的方式对硅片进行预脱水；步骤十三：烘干：使用高温将硅片彻底烘干。2.根据权利要求1所述的一种碱抛清洗工艺流程，其特征在于：所述步骤一中，氢氟酸的浓度为8％
‑
10％。3.根据权利要求1所述的一种碱抛清洗工艺流程，其特征在于：所述步骤三中，热风刀的温度为40℃
‑
60℃。4.根据权利要求1所述的一种碱抛清洗工艺流程，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢显邦，王震，
申请(专利权)人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：