用于制造半导体器件的集群型灰化设备制造技术

公开了一种用于制造半导体器件的灰化设备，包括装备有能够同时传输至少两个衬底的衬底传输机器人的传输模块，并定义有工艺室。安排缓冲台使得在将晶片引入各工艺室之前对准和ＯＣＲ工艺可在晶片的备用状态下进行，这些晶片将被衬底传输机器人传输从而引入各自工艺室内。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造半导体器件的集群型灰化设备(cluster type asher equipment)。特别地，本专利技术涉及用于制造半导体器件的集群型灰化设备，其中用于实施对准和OCR(optical character recognition，光学字符识别)功能的单元安排在缓冲台(buffer stage)内，从而在晶片位于缓冲台中的同时能进行对准和OCR工艺。另外，本专利技术涉及用于制造半导体器件的集群型灰化设备，其中提供了多个传输模块(transfer module)，每个传输模块用于传输一晶片到一工艺室中，从而半导体制造工艺能对多个晶片进行，此多个晶片同时从备用状态引入工艺室中；以及其中在缓冲台中安排了实施对准和OCR功能的单元，从而在晶片位于缓冲台中的同时能进行对准和OCR工艺。另外，本专利技术涉及用于制造半导体器件的集群型灰化设备，其中提供了多个传输模块，每个传输模块用于传输一晶片到工艺室中，从而半导体制造工艺能对多个晶片进行，此多个晶片同时从备用状态引入工艺室中。
技术介绍
通常用于制造半导体器件的集群型设备用作多反应器型复合半导体制造设备，包括单一的具有衬底传输机器人的公用传输模块、由多个隔离阀和附属的真空元件组成的集群平台、位于集群平台各侧的多个处理模块、以及附加模块(例如片盒模块)等。图1示意说明了用于制造半导体器件的传统集群型设备100的结构。参照图1，在能够自动传输衬底140的衬底传输模块132位于多边形传输模块130的中心部分的状态下，多边形传输模块130被用作基本平台。工艺室110a、110b和110c及第一和第二真空进片室(loadlock chamber)120a和120b分别限定在多边形传输模块130的各侧。衬底分别装载到第一和第二真空进片室120a和120b或从第一和第二真空进片室120a和120b卸载。下面将描述如以上描述构造的传统集群型设备100的操作。首先，插入有衬底的片盒(未示出)被装载到第一真空进片室120a中。然后，通过真空泵将第一真空进片室120a中的气压减小到预定水平。如果第一真空进片室120a中的气压减小到了预定水平，那么衬底传输机器人132从片盒中取出衬底并把衬底放在对准器(aligner)122上以对准衬底的平坦区。这样对准的衬底由传输模块130的衬底传输机器人132引入第一工艺室110a中从而经历特定工艺。在特定的工艺是在对加热的衬底进行的情况下，在特定工艺完成以后，衬底被衬底传输机器人132从第一工艺室110a中取出并放在称为内冷却器(InCooler)的冷却板124上以冷却衬底到环境温度。对每个衬底进行所有上面的工序从装载在真空进片室中的片盒里取出衬底，将衬底引入工艺室中，进行特定工艺，以及在冷却板上冷却已经历特定工艺的衬底。然而，传统集群型设备具有这样的缺点由于用于实施对准和OCR功能的单元置于片盒或衬底传输机器人的一侧，所以集群型设备的大小不得不增加。另外，因为对准和OCR工艺是在衬底(即晶片)被引入工艺室中之前单独进行的，因此完成整个工艺需要延长的时间周期并因而降低生产率。另外，在传统的集群型设备中，当使用真空进片室对晶片进行半导体制造工艺时，由于晶片是一个一个地被传输并引入工艺室中，所以真空状况下的传输时间比在备用状态下的长并因而降低生产率。另外，在传统的集群型设备中，由于晶片是经过用作真空传输室的真空进片室一个一个地被传输到每个工艺室中，所以必须单独限定真空进片室并准备真空操作机器人，由此制造设备需要的成本不得不增加。因此，当在不需要真空传输室的灰化器或主蚀刻器的轻刻蚀系统(Lite Etch system)中实施工艺时，不适宜使用昂贵的传统集群型设备，例如用于提升缓冲站的吞吐量的双臂传输机器人，其包括能够不需要在将晶片引入工艺室中之前必须维持真空状况而管理各个晶片的OCR部分，以及能够增加工艺精度的对准部分。
技术实现思路
因此，为了克服现有技术中出现的障碍而得出本专利技术，且本专利技术的目的是提供用于制造半导体器件的集群型灰化设备，其中用于实施对准和OCR功能的单元被安排在缓冲台内，从而当晶片处于缓冲台中的同时能进行OCR工艺，由此允许不是基于批量而是基于个体管理昂贵的晶片(例如300mm的晶片)以增加产出，及允许进行附加的对准工艺从而保证精确的晶片对准并提高工艺精度。本专利技术的另一个目的是提供用于制造半导体器件的集群型灰化设备，其中提供了多个传输模块，每个传输模块用于将晶片传输到工艺室中，使得多个晶片能被同时引入工艺室中，从而提高设备的吞吐量。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于制造半导体器件的灰化设备，包括一传输模块，该传输模块装备了能够同时传输至少两个衬底并由工艺室限定的衬底传输机器人，其中安排缓冲台使得在将晶片引入各工艺室之前对准和OCR工艺可在晶片的备用状态进行，这些晶片将被衬底传输机器人传输从而引入各工艺室。根据本专利技术的另一个方面，灰化设备还包括连接在衬底传输机器人上的用于将在缓冲台中经历了对准和OCR工艺的多个晶片引入到各工艺室中的多个传输模块。根据本专利技术的另一个方面，缓冲台包括一对准器；以及，当晶片放置于对准器上时，对准器通过真空吸住晶片、旋转晶片、及辨识晶片的凹口部分从而对准晶片。附图说明通过下面结合附图的详细描述，本专利技术的上述目的和其他特征和优点将被更好理解，其中图1是用于制造半导体器件的传统集群型设备的示意图；图2是用于说明根据本专利技术的优选实施例的用于制造半导体器件的集群型灰化设备的结构图；图3是用于详细说明图2所示的灰化设备中采用的并包括对准模块和OCR工艺模块的缓冲台的透视图；图4是用于说明根据本专利技术的一实施例的传输模块的透视图；图5是透视图，用于说明通过根据本专利技术一实施例的传输模块将晶片引入工艺室的状态。具体实施例方式现在将更详细参考本专利技术的优选实施例，在附图中说明了其示例。只要可能，在附图和说明书中始终使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。如图2和图3所示，在根据本专利技术一实施例的集群型灰化设备200中，能够进行对准工艺的对准器218设置在冷却台216之下的缓冲台210中。另外，OCR模块220设置在缓冲台210中在对准器218的上端侧并在冷却台216的下端侧。因此，当进行特定的半导体制造工艺时，各个晶片被放置在传输模块212上在缓冲台210中，从而被衬底传输机器人214一个一个地传输并引入工艺室222中。位于缓冲台210中的对准器218和OCR模块220对在缓冲台210中保持处于备用状态的晶片进行其各自的对准和OCR工艺。另外，当晶片放置在位于缓冲台210内的对准器218上时，对准器218通过真空吸住晶片、旋转晶片、及辨识晶片的凹口部分从而对准晶片。在本专利技术中，两个传输模块212a和212b以被连接到衬底传输模块214上的方式形成，从而能每次传输两个晶片。因此，在保持备用状态的同时在缓冲台210中经历了对准和OCR工艺的两晶片被衬底传输机器人214引入到工艺室222中，从而进行下一半导体制造工艺。从上面描述中显而易见，根据本专利技术的用于制造半导体器件的集群型灰化设备提供了这样的优点由于用于实施对准和OCR功能的单元被安排在缓冲台中，从而允许在晶片放置在缓冲台中的同时进行对准和OCR工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的灰化设备，其包括传输模块和工艺室，该传输模块装备有能够同时传输至少两个衬底的衬底传输机器人，其中缓冲台被布置来使得在晶片被引入各工艺室之前对准和ＯＣＲ工艺可在晶片的备用状态下进行，所述晶片将被所述衬底传输机器人传输从而被引入各工艺室内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2002-12-12 10-2002-00789961.一种用于制造半导体器件的灰化设备，其包括传输模块和工艺室，该传输模块装备有能够同时传输至少两个衬底的衬底传输机器人，其中缓冲台被布置来使得在晶片被引入各工艺室之前对准和OCR工艺可在晶片的备用状态下进行，所述晶片将被所述衬底传输...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴炅洙，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]