再生酸性蚀刻液、酸性蚀刻液及酸性蚀刻液再生方法技术

本发明专利技术公开一种再生酸性蚀刻液、酸性蚀刻液及酸性蚀刻液再生方法，所述再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾。本发明专利技术提供的技术方案中，再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾，通过添加氯化钾，不仅能够使得再生酸性蚀刻液仍保持原有的蚀刻效率，而且能够提高酸性蚀刻液的氯离子浓度，使其符合蚀刻线对酸性蚀刻液的需求；此外，使用氯化钾还能在提高氯离子浓度的同时，避免蚀刻液出现氯化铜结晶，进而导致管道及蚀刻线喷嘴等堵塞。进而导致管道及蚀刻线喷嘴等堵塞。

【技术实现步骤摘要】
再生酸性蚀刻液、酸性蚀刻液及酸性蚀刻液再生方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻工艺
，具体涉及一种再生酸性蚀刻液、酸性蚀刻液及酸性蚀刻液再生方法。

技术介绍

[0002]在印刷电路板(PCB)的制造过程中，需要采用蚀刻液去除PCB板上的除线路以外的铜，蚀刻液主要包括酸性蚀刻液和碱性蚀刻液。在蚀刻过程中，随着蚀刻反应的进行，蚀刻液中的铜离子浓度、酸度等参数会不断上升，直至蚀刻液失去蚀刻能力。为维持蚀刻效果，通常会按比重加入子液对线上蚀刻液进行稀释调节，以使其各组分维持在适宜范围，确保蚀刻效果。为进一步节能减排，通常会对溢流出的蚀刻废液进行再生处理，使其变成可以循环回用的再生蚀刻液，再生蚀刻液可以作为子液再次回用至蚀刻线上，对蚀刻液进行稀释。为了提高废液的氯离子浓度，通常选择添加氯化铵或氯化钠，但却会出现蚀刻效率大幅度下降的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种再生酸性蚀刻液、酸性蚀刻液及酸性蚀刻液再生方法，旨在解决现有再生蚀刻液蚀刻效率下降的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种再生酸性蚀刻液，由蚀刻废液再生得到，所述再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾。
[0005]可选地，所述氯化钾浓度为10～80g/L。
[0006]可选地，所述再生酸性蚀刻液为单液型再生酸性蚀刻液；
[0007]所述再生酸性蚀刻液中，氯离子浓度为170～250g/L，所述氨氮值为 20000～40000ppm。
[0008]可选地，所述再生酸性蚀刻液为双液型再生酸性蚀刻液；
[0009]所述再生酸性蚀刻液中，氯离子浓度为250～330g/L。
[0010]本专利技术进一步提出一种酸性蚀刻液，用在蚀刻工艺中，所述酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾，且所述酸性蚀刻液中，氯化钾浓度为10～80g/L。
[0011]此外，本专利技术还提出一种酸性蚀刻液再生方法，所述酸性蚀刻液再生方法包括以下步骤：
[0012]回收蚀刻线上排出的废液；
[0013]对所述废液进行电解处理以降低所述废液中的铜含量；
[0014]向经电解处理后的所述废液中加入添加剂，以获得再生酸性蚀刻液；
[0015]其中，所述再生酸性蚀刻液中包含氯化钾，且所述氯化钾浓度为 10～80g/L，所述氯离子浓度为170～250g/L。
[0016]可选地，所述再生酸性蚀刻液为单液型再生酸性蚀刻液，所述添加剂包括氯化铵和氯化钾。
[0017]可选地，所述再生酸性蚀刻液为双液型再生酸性蚀刻液，所述添加剂包括氯化钾。
[0018]本专利技术提供的技术方案中，再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾，通过添加氯化钾，不仅能够使得再生酸性蚀刻液仍保持原有的蚀刻效率，而且能够提高酸性蚀刻液的氯离子浓度，使其符合蚀刻线对酸性蚀刻液的需求；此外，使用氯化钾还能在提高氯离子浓度的同时，避免蚀刻液出现氯化铜结晶，进而导致管道及蚀刻线喷嘴等堵塞。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和 B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0020]在印刷电路板(PCB)的制造过程中，需要采用蚀刻液去除PCB板上的除线路以外的铜，蚀刻液主要包括酸性蚀刻液和碱性蚀刻液。在蚀刻过程中，随着蚀刻反应的进行，蚀刻液中的铜离子浓度、酸度等参数会不断上升，直至蚀刻液失去蚀刻能力。为维持蚀刻效果，通常会按比重加入子液对线上蚀刻液进行稀释调节，以使其各组分维持在适宜范围，确保蚀刻效果。为进一步节能减排，通常会对溢流出的蚀刻废液进行再生处理，使其变成可以循环回用的再生蚀刻液，再生蚀刻液可以作为子液再次回用至蚀刻线上，对蚀刻液进行稀释。为了提高废液的氯离子浓度，通常选择添加氯化铵或氯化钠，但却会出现蚀刻效率大幅度下降的问题。
[0021]鉴于此，本专利技术提出一种再生酸性蚀刻液，该再生酸性蚀刻液由蚀刻废液再生得到，能够被回用于蚀刻线上，与蚀刻线上的蚀刻液混合，起到对线上蚀刻液稀释、调节的作用。所述再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾。
[0022]本专利技术提供的技术方案中，再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾，通过添加氯化钾，不仅能够使得再生酸性蚀刻液仍保持原有的蚀刻效率，而且能够提高酸性蚀刻液的氯离子浓度，使其符合蚀刻线对酸性蚀刻液的需求；此外，使用氯化钾还能在提高氯离子浓度的同时，避免蚀刻液出现氯化铜结晶，进而导致管道及蚀刻线喷嘴等堵塞。
[0023]具体地，在一些实施例中，所述再生酸性蚀刻液中，氯化钾的浓度为 10～80g/L，例如，所述氯化钾的浓度可以为10g/L、20g/L、30g/L、40g/L、50g/L、 60g/L、70g/L、80g/L。当再生酸性蚀刻液中氯化钾浓度位于上述范围内时，所得的再生酸性蚀刻液不仅适用于蚀刻线，而且具有较高的蚀刻效率。进一步地，作为优选，所述再生酸性蚀刻液中，氯化钾浓度为40～60g/L。
[0024]需要说明的是，上述再生酸性蚀刻液可以是单液型蚀刻液，也可以是双液型蚀刻液，本专利技术不做限制。
[0025]具体地，当再生酸性蚀刻液为单液型蚀刻液时，所述氯离子浓度为170～250g/L，
例如，所述氯离子的浓度可以为170g/L、173g/L、180g/L、190g/L、200g/L、210g/L、220g/L、230g/L、240g/L、250g/L；所述氨氮值为 20000～40000ppm，例如，所述氨氮值可以为20000ppm、25000ppm、28000ppm、 30000ppm、35000ppm、40000ppm等。当单液型再生酸性蚀刻液的氯离子浓度和氨氮值在上述范围内时，所得的再生酸性蚀刻液能够回用于蚀刻线。
[0026]此外，所述单液型再生酸性蚀刻液还可以包括碳酸氢铵，此外，其酸度控制在2.5～5.0N。
[0027]当再生酸性蚀刻液为双液型蚀刻液时，所述氯离子浓度为250～330g/L，例如，所述氯离子的浓度可以为250g/L、280g/L、300g/L、310g/L、320g/L、 330g/L等。
[0028]此外，本专利技术还提出一种酸性蚀刻液，能够用在蚀刻工艺中。所述酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾，且所述酸性蚀刻液中，氯化钾浓度为 10～80g/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种再生酸性蚀刻液，由蚀刻废液再生得到，其特征在于，所述再生酸性蚀刻液包括盐酸、氯化铵以及氯化钾。2.如权利要求1所述的再生酸性蚀刻液，其特征在于，所述氯化钾浓度为10～80g/L。3.如权利要求1所述的再生酸性蚀刻液，其特征在于，所述再生酸性蚀刻液为单液型再生酸性蚀刻液；所述再生酸性蚀刻液中，氯离子浓度为170～250g/L，所述氨氮值为20000～40000ppm。4.如权利要求1所述的再生酸性蚀刻液，其特征在于，所述再生酸性蚀刻液为双液型再生酸性蚀刻液；所述再生酸性蚀刻液中，氯离子浓度为250～330g/L。5.一种酸性蚀刻液，用在蚀刻工艺中，其特征在于，所述酸性蚀刻液包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟奇，李再强，黄文涛，梁民，
申请(专利权)人：深圳市祺鑫环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：