【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及改进的反馈控制器,该改进的反馈控制器是为制造半导体装置设计的。具体地,本专利技术的反馈控制器包括检测错误数据点和防止影响反馈控制器操作的特征。
技术介绍
在半导体产业存在着不断提高集成电路装置,如微处理器,存储器装置等的质量,可靠性和产量,同时降低制造这类装置制造成本的的驱动力。这样的驱动力,部分是由于用户要求更低成本的更快,更高质量计算机和电子装置的推动。这些要求导致半导体装置制造方面的不断改进。在制造半导体装置中,用反馈控制器确保高质量和低成本是公知的做法。示于图1中的反馈控制器系统100的一个例子包括,彼此耦合的工具103和反馈控制器107。工具103可以是一个半导体制造工具或任何半导体制造工具的组合,如化学机械平面化(CMP)工具,沉积装置、蚀刻装置等。具体地,工具103接收晶片作为输入101并按照一个控制参数集合109,如从控制器107接收的菜单处理它们。处理的晶片被称作输出105。工艺的例子是沉积新的膜层,蚀刻层,等。一旦工具103加工晶片,一个或更多计量站对被加工的晶片进行测量,计量站没有在图1中示出。测量和控制器107通信。然后控制器107比较测量和先前计算的预测值。基于该比较,控制器107对控制参数109作出调整。例如,如果当测量和预测值比较时,新沉积的层的厚度在所需范围之外,控制器107调整一个或多个控制参数109,如气流量,加工时间长度,等,以在一个晶片上沉积更薄的膜。然后工具103接收另一个晶片并用调整的控制参数加工该晶片。反馈控制器的性能部分依赖于接收来自计量站的精确测量。当接收到不精确或错误的测量时,反馈控制器 ...
【技术保护点】
一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的方法,其包括:(a)接收关于所述工具的输出的多个数据点,所述多个数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点;(b)基于下列项确定所述当前数据点是否是异常值:(b-1)比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示;以及(b-2)是否所述至少一个先前数据点是异常值;以及(c)如果所述当前数据点被确定为异常值,在计算所述反馈控制机理的反馈值中忽略所述当前数据点。
【技术特征摘要】
US 2002-8-1 60/399,6951.一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的方法,其包括(a)接收关于所述工具的输出的多个数据点,所述多个数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点;(b)基于下列项确定所述当前数据点是否是异常值(b-1)比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示;以及(b-2)是否所述至少一个先前数据点是异常值;以及(c)如果所述当前数据点被确定为异常值,在计算所述反馈控制机理的反馈值中忽略所述当前数据点。2.如权利要求1所述的方法,其中(b)进一步包括仅当所述至少一个先前数据点不是异常值时,确定所述当前数据点为异常值。3.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括(d)如果所述当前数据点被确定为不是异常值,用所述当前数据点和所述至少一个先前数据点计算所述反馈控制机理的所述反馈值。4.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括(d)如果所述至少一个先前数据点是异常值,且所述当前数据点是异常值,为所述至少一个先前数据点计算先前反馈值,并然后基于所述先前反馈值和当前数据点计算所述反馈值。5.如权利要求1或2所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示是所述至少一个先前数据点的加权移动平均值。6.如权利要求1或2所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示是所述至少一个先前数据点的指数加权移动平均值。7.如权利要求1或2所述的方法,其中(b-1)的所述统计表示被表达为Sk=β(Fk-Δk)2+(1-β)Sk-1其中,β是系数Fk是所述当前数据点和为晶片k预测的值之间的差;以及Δk是次数k的反馈值。8.如权利要求7所述的方法,其中所述Δk的值是如下计算的如果|Fk-Δk|≤KnskΔk+1=λkFk+(1-λk)Δk否则Δk+1=Δk其中,λk是系数;Kn是异常值系数;以及sk=Sk.]]>9.如权利要求7所述的方法,进一步包括当所述当前数据点被确定为不是异常值时,更新Sk为Sk=β(Fk-Δk)2+(1-β)Sk-1。10.如权利要求7所述的方法,进一步包括当所述当前数据点被确定为异常值时,更新Sk为Sk=Sk-1。11.如权利要求6所述的方法,进一步包括更新Sk为Sk-1=β(Fk-1-Δk-1)2+(1-β)Sk-1;且然后当所述当前数据点被确定为不是异常值且先前数据点没有被确定为异常值时,更新Sk为Sk=β(Fk-Δk)2+(1-β)Sk-1。12.如权利要求1或2所述的方法,进一步包括用至少一个计量站对所述工具的输出做多个测量;和基于所述多个测量计算所述当前数据点。13.如权利要求12所述的方法,进一步包括基于关于所述多个测量的统计信息计算区间;识别落入所述区间的所述多个测量的子集;以及从所述多个测量的所述子集识别所述当前数据点。14.如权利要求13所述的方法,其中所述统计信息关于所述多个测量的中值和标准偏差中的至少一个。15.如权利要求14所述的方法,进一步包括基于所述多个测量的方差和标度的方差中的一个计算所述标准偏差。16.一种用反馈控制机理控制半导体制造工具的系统,其包括评估器,其经配置以接收关于所述工具的输出的多个数据点,该数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点,其中所述评估器进一步经配置以基于比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示,确定是否所述当前数据点是异常值,和是否所述至少一个先前数据点是异常值,以及其中如果所述当前数据点被确定为异常值,所述评估器进一步经配置以在计算所述反馈控制机理的反馈值中,忽略所述当前数据点。17.如权利要求16所述的系统,其中仅当所述至少一个先前数据点是异常值时,所述评估器进一步经配置以确定所述当前数据点为异常值。18.如权利要求16所述的系统,其中如果所述当前数据点被确定为不是异常值,所述评估器进一步经配置以用所述当前数据点和所述至少一个先前数据点计算所述反馈机理的反馈值。19.如权利要求16所述的系统,其中如果所述至少一个先前数据点是异常值且所述当前数据点是异常值,所述评估器进一步经配置以为所述至少一个先前数据点计算先前反馈值,并然后基于所述先前反馈值和所述当前数据点计算所述反馈值。20.如权利要求16所述的系统,其中所述统计表示是所述至少一个先前数据点的加权移动平均值。21.如权利要求16所述的系统,其中所述统计表示是所述至少一个先前数据点的指数加权移动平均值。22.如权利要求16所述的系统,其中所述统计表示被表达为Sk=β(Fk-Δk)2+(1-β)Sk-1其中,β是系数Fk是所述当前数据点和为晶片k预测的值之间的差;以及Δk是次数k的反馈值。23.如权利要求22所述的系统,其中Δk的值是如下计算的如果|Fk-Δk|≤KnskΔk+1=λkFk+(1-λk)Δk否则Δk+1=Δk其中,λk是系数;Kn是异常值系数;以及sk=Sk.]]>24.如权利要求22所述的系统,其中所述评估器经进一步配置以便当所述当前数据点被确定为不是异常值时,更新Sk为Sk=β(Fk-Δk)2+(1-β)Sk-1。25.如权利要求22所述的系统,其中所述评估器进一步经配置以当所述当前数据点被确定为异常值时,更新Sk为Sk=Sk-1。26.如权利要求22所述的系统,其中所述评估器进一步经配置以当所述当前数据点被确定为不是异常值,且所述先前数据点没有被确定为异常值时,更新Sk为Sk-1=β(Fk-1-Δk-1)2+(1-β)Sk-1;和更新Sk为Sk=β(Fk-Δk)2+(1-β)Sk-1。27.如权利要求16所述的系统,进一步包括至少一个计量站经配置以对所述工具的所述输出做多个测量,其中所述评估器经配置以基于所述多个测量计算所述当前数据点。28.如权利要求27所述的系统,所述评估器经配置以基于关于所述多个测量的统计信息计算区间,且经配置以从所述多个测量中识别落在所述区间内的子集,以及经配置以从所述多个测量的所述子集计算所述当前数据点。29.如权利要求28所述的系统,其中所述统计信息关于所述多个测量的中值和标准偏差中的至少一个。30.如权利要求29所述的系统,所述评估器进一步经配置以基于所述多个测量的方差和标度的方差中的一个计算所述标准偏差。31.一种用反馈值控制机理控制半导体加工工具的系统,其包括(a)用于接收关于所述工具的输出的数据点的多个设备,该数据点包括当前数据点和至少一个先前数据点,其中所述至少一个先前数据点是在所述当前数据点之前接收的;(b)基于下列项确定所述当前数据点是否是异常值的设备(b-1)比较所述当前数据点和所述至少一个先前数据点的统计表示;以及(b-2)是否所述至少一个先前数据点是异常值;以及(c)如果所述当前数据点被确定为异常值,在计算所述反馈控制机理的反馈值中忽略所述当前数据点的设备。32.如权利要求31所述的方法,进一步包括仅当所述至少一个先前数据点是异常值时,确定所述当前数据点为异常值的设备。33.如权利要求31所述的系统,进一步包括(d)如果所述当前数据点被确定为不是异常值,用所述当前数据点和所述至少一个先前数据点计算所述反馈控制机理的所述反馈值的设备。34.如权利要求31所述的系统,进一步包括(e)如果所述至少一个先前数据点是异常值,且所述当前数据点是异常值,为所述至少一个先前数据点计算先前反馈值,并然后基于所述先前反馈值和当前数据点计算所述反馈值的设备...
【专利技术属性】
技术研发人员:AT施瓦姆,AP桑穆加孙达拉姆,J塞若,Y科克托夫,E安廷,
申请(专利权)人:应用材料有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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