切片粘合膜制造技术

一种置于半导体硅晶片和切片支撑带之间的切片粘合膜，该切片粘合膜包括：胶粘层１，其与切片带接触，胶粘层２，其与半导体硅晶片接触，其中胶粘层２对硅晶片的粘性比胶粘层１对切片带的粘性至少高出０．１Ｎ／ｃｍ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多层粘胶膜，它含有热塑性橡胶和热固性树脂的组合物。该膜尤其用作半导体包装的切片粘合膜。
技术介绍
将半导体晶片粘接到基材上的一种方法是将晶片粘合胶粘剂以膜的形式置于晶片和基材之间。将粘胶膜置于半导体硅晶片上，然后锯成单独的碎片或小片。在切割过程中，为了保护并支撑硅晶片，粘胶膜与一种带子接触，这种带子被称为切片带。用于这种结构的粘胶膜就被称为“切片粘合”膜。这样就在晶片被切割前构造了晶片、粘胶膜以及切片带的组合。一种将粘胶膜和切片带应用于晶片的构造方法是首先将粘胶膜施加在晶片上，然后再将切片带施加在粘胶膜上。第二种构造方法是首先将粘胶膜施加在切片带上，然后再将粘胶膜和切片带的组合施加到晶片上。在晶片被切割后，带有胶粘剂的单个晶片从切片带上移走，置于基材上进行下一步的制造程序。为了移走附带胶粘剂的晶片，胶粘剂对硅晶片的粘合力要大于对切片带的粘合力。目前得到的切片粘合膜是由单层胶粘剂组成的。为了使带有胶粘剂的晶片从切片带上脱离下来，在胶粘剂对硅片的粘性和胶粘剂对切片带的粘性之间必须存在足够的差别。在温度为环境温度至50℃、压力为70000-700000Pa的条件下，将切片粘合膜层压在半导体晶片上。层压温度高于50℃通常是获得硅和现有材料之间足够粘性所要求的，但这样的温度由于热应力的存在使得晶片产生明显的变形。高温还会引起胶粘剂对切片带的粘结太强，当将其拿起用于后续的制造步骤时导致其从硅片脱离。但是，当所用温度低于50℃时，结果常常是对硅片的粘性不足，当拿起晶片时胶粘膜留在切片带上。本专利技术通过提供一种多层膜来解决上述问题，在不引起晶片变形或防止晶片和胶粘剂从切片带上剥离的层压温度下，该多层膜对硅晶片和切片带具有不同程度的粘性。
技术实现思路
本专利技术是用于半导体硅晶片的切片粘胶膜，其置于半导体硅晶片和切片支撑带之间，所述切片支撑带包括(a)胶粘剂层1，该层与切片带相接触，和(b)胶粘剂层2，该层与半导体硅晶片相接触，其中层2与硅晶片的粘性比层1与切片带的粘性高出至少0.1N/cm。在一个实施方案中，层1胶粘剂对切片带的特征剥离强度为0.05-小于0.5N/cm；而层2胶粘剂对硅晶片的特征剥离强度为0.5N/cm或更高，只要两个粘性值至少有0.1N/cm的差别。多层膜可以满足切片粘合过程中对所用材料粘性的专门定制。适宜的切片带为聚烯烃和聚(氯乙烯)膜，如Lintec公司以商标名AdwillG-64出售的产品或Nitto Denko公司以商标名Elepholder V-8-T销售的产品。其他适宜的切片带还有由聚酯或聚酰亚胺组成的切片带。这些带子可以商购且可为用于胶粘剂的紫外光辐射活化作用或者用于压敏性活化作用的形式。在上述使用紫外光带的情况中，在紫外光辐射后，所需胶粘剂对紫外光带的特征剥离强度为0.05-小于0.5N/cm。具体实施例方式层1可以是任何的胶粘剂组合物，其对切片带的特征剥离强度为0.05-小于0.5N/cm，且该层可以层压在层2上。层2可以是任何的胶粘剂组合物，其对硅晶片的特征剥离强度为0.5N/cm或更高，且可以层压在层1上。在一些情况下，可以超过上述的范围，只要在剥离强度之间存在一个至少为0.1N/cm的差值。尽管满足上述剥离强度和层压标准的任何粘合剂都可以使用，但是适宜于层1和层2的配方中应当含有(a)热塑性橡胶，(b)热固性树脂，(c)硬化剂，(d)促进剂，以及(e)填料，其中层1的热固性树脂的软化点高于60℃，层2的热固性树脂的软化点低于60℃。在本专利技术说明书范围内，材料的软化点定义为其熔点(Tm)或玻璃化转变温度(Tg)。这样的实施方案中，典型的重量百分比范围为30-85wt％的热塑性橡胶，15-70wt％的热固性树脂，0.05-40wt％的硬化剂，0.01-10wt％的促进剂和1-80wt％的填料。在层1的另一个实施方案中，热固性树脂为一种固体环氧树脂，其软化点高于60℃，环氧当量重(WPE)为100-1000。适宜的固体环氧树脂包括ShellChemicals公司和Dainippon Ink and Chemicals公司销售的双酚A型，双酚F型，可溶可熔酚醛型或甲酚可溶酚醛型环氧树脂。在层2的另一个实施方案中，热固性树脂是环氧树脂，如双酚A环氧树脂，双酚F环氧树脂，可溶可熔酚醛环氧树脂或甲酚可溶酚醛环氧树脂，其环氧当量重(WPE)为100-1000，且软化点低于60℃。这些环氧树脂由Shell Chemicals公司和Dainippon Ink and Chemicals公司销售。在层2的另外一个实施方案中，可以使用热固性树脂的组合物，这种情况下，热固性树脂总量的至少20％的软化点应该低于60℃。除了环氧树脂组合物，其他适宜用于层2的热固性树脂包括马来酰亚胺，丙烯酸酯，乙烯基醚，以及聚丁二烯，其分子中至少有一个双键。适宜的马来酰亚胺树脂包括具有属于此类结构 的树脂，其中n为1-3，且X1为脂肪族或芳香族基团。代表性的X1包括聚丁二烯，聚碳酸酯，聚氨酯，聚醚，聚酯，简单碳水化合物，以及含有如羰基、羧基、酰胺、氨基甲酸酯、脲或醚官能团的简单碳水化合物。这些类型的树脂可以商购，例如可以购自National Starch and Chemical Company以及Dainippon Ink and Chemical，Inc。在一个实施方案中，马来酰亚胺树脂选自 ，其中C36代表36个碳原子的线形或支链(带有或不带有循环部分)； 和 适宜的丙烯酸酯树脂包括具有属于此类结构 的树脂，其中n为1-6，R1为-H或-CH3。X2为芳族或脂肪族基团。X2的例子包括聚丁二烯，聚碳酸酯，聚氨酯，聚醚，聚酯，简单的碳水化合物以及含有如羰基、羧基、酰胺、氨基甲酸酯、脲或醚官能团的简单碳水化合物。可商购的材料包括Kyoeisha化学有限公司提供的(甲基)丙烯酸丁酯，(甲基)丙烯酸异丁酯，(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯，(甲基)丙烯酸异癸酯，(甲基)丙烯酸正月桂酯，(甲基)丙烯酸烷基酯，(甲基)丙烯酸十三烷基酯，(甲基)丙烯酸正十八烷基酯，(甲基)丙烯酸环己基酯，(甲基)丙烯酸四氢糠基酯，(甲基)丙烯酸2-苯氧基乙酯，(甲基)丙烯酸异冰片基酯，二(甲基)丙烯酸1，4丁二醇酯，二(甲基)丙烯酸1，6己二醇酯，二(甲基)丙烯酸1，9-壬二醇酯，(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯，二(甲基)丙烯酸1，10-癸二醇酯，壬基酚聚丙氧基(甲基)丙烯酸酯，以及聚戊氧基四氢糠基丙烯酸酯(polypentoxylate tetrahydrofufurylacrylate)；Sartomer公司提供的聚丁二烯尿烷二甲基丙烯酸酯(CN302，NTX6513)和聚丁二烯二甲基丙烯酸酯(CN301，NTX6039，PRO6270)；Negami化学工业有限公司提供的聚碳酸酯氨基甲酸酯二丙烯酸酯(ArtResinUN9200A)；Radcure Specialities公司提供的丙烯酸酯化脂族聚氨酯低聚物(Ebecryl230，264，265，270，284，4830，4833，4834，4835，4866，4881，4883，8402，8800-20R，8803，8804)；Radcure Specialities本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种置于半导体硅晶片和切片支撑带之间的切片粘合膜，该切片粘合膜包括：　　　　（ａ）粘胶层１，其与切片支撑带接触，　　　　（ｂ）粘胶层２，其与半导体硅晶片接触，　　　　其中层２对硅晶片的粘性比层１对切片带的粘性至少高出０．１Ｎ／ｃｍ。

【技术特征摘要】
US 2004-4-1 10/8154201.一种置于半导体硅晶片和切片支撑带之间的切片粘合膜，该切片粘合膜包括(a)粘胶层1，其与切片支撑带接触，(b)粘胶层2，其与半导体硅晶片接触，其中层2对硅晶片的粘性比层1对切片带的粘性至少高出0.1N/cm。2.权利要求1所述的切片粘合膜，其中所述粘胶层1对切片带的特性剥离强度为0.05-小于0.5N/cm，而所述粘胶层2对半导体硅晶片的特性剥离强度为0.5N/cm或更高。3.权利要求1所述的切片粘合膜，其中所述胶粘层1包括(a)热塑性橡胶，(b)软化点高于60℃的热固性树脂，(c)硬化剂，(d)促进剂，以及(e)填料；其中所述胶粘层2包括(a)热塑性橡胶，(b)热固性树脂，其中至少20％的热固性树脂的软化点低于60℃，(c)硬化剂，(d)促进剂，以及(e)填料。4.权利要求3所述的切片粘合膜，其中所述胶粘层1包括(a)30-85wt％的热塑性橡胶，(b)15-70wt％的热固性树脂，其软化点高于60℃，(c)0.05-40wt％的硬...

【专利技术属性】
技术研发人员：H金，
申请(专利权)人：国家淀粉及化学投资控股公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]