使用静电卡盘的基板保持机构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种基板保持机构，其具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成、并具有比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面，在设置在所述静电吸附板上的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面及所述侧面的第二保护部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种例如在半导体基板上实施CVD或蚀刻等处理的基板处理装置及其制造方法。特别是本专利技术涉及一种在该基板处理装置中使用为了保持基板而使用的静电卡盘的基板保持机构及其制造方法。
技术介绍
用于半导体设备制造的工序由多个工序所组成。例如，作为用于在半导体晶片(以下称为晶片)上形成电路结构的主要工序有清洗晶片的清洗工序，形成金属膜及绝缘膜的成膜工序，用光致抗蚀剂形成电线结构的影印石版工序，蚀刻形成保护层结构的晶片的蚀刻工序，注入其它杂质的工序等。例如，在上述蚀刻工序中使用等离子体的情况或在成膜工序中通过CVD装置进行处理的情况下，将晶片搬入真空室内，处理在该真空室内进行。在CVD装置或蚀刻装置中，为了在真空室内保持被处理基板，使用静电卡盘。作为静电卡盘，一般使用在卡盘本体和晶片之间设置有静电吸附片的卡盘。上述卡盘本体由用于施加高频电压的导体构成，另一方面，上述静电吸附片，例如可以是作为绝缘层的2张聚酰亚胺片之间夹杂铜等导电片的东西，并具有柔软性(例如，参照日本特开平5-200640号公报)。此外，作为静电卡盘，已知有在静电吸附片上例如通过喷镀，形成用于保护静电吸附片的陶瓷保护膜的结构。但是在这样的结构中，由于在基板处理中晶片被吸附/保持在陶瓷膜上，所以容易产生陶瓷膜的剥落，剥落的陶瓷粘在晶片等问题。因此，最近使用不是喷镀，而是使用粘结剂在静电吸附片上接合板状烧结陶瓷板而设置的结构。但是，在用粘结剂将板状烧结的陶瓷板接合于静电吸附片的目前结构的CVD装置或蚀刻装置中，例如在使用氧系或氟系等离子体的情况下，会产生通过等离子体上述粘结剂腐蚀的问题。如果产生这样的腐蚀，则聚酰亚胺等静电吸附片或陶瓷板剥落，产生粒子。此外，通过粘结剂腐蚀，使静电卡盘的寿命缩短。
技术实现思路
因此，本专利技术主要目的在于，解决上述问题，提供一种新的有用的基板保持机构及其制造方法及具有该基板保持机构的基板处理装置。本专利技术的更具体些的课题为，提供一种在具有用粘结剂将陶瓷板固定于静电吸附片的结构的基板保持机构中，在防止上述粘结剂的腐蚀、谋求长寿命化的同时，提供一种可以减轻起尘的基板保持机构及其制造方法，及具有该基板保持机构的基板处理装置。本专利技术的另一课题是提供一种基板处理装置，其具有具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持基板的栽置台，所述突起部以围绕上述表面预定区域的方式连续形成，病愈具有高度大于上述表面的上面；在上述表面上，在由上述突起部围绕的区域内设置的、以静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面，并且设置在上述静电吸附板上，同时其一部分与上述上面相对的、保护上述静电吸附板的第一保护部件；至少设置在上述静电吸附板和上述第一保护部件之间的、接合上述静电吸附板和上述第一保护部件的粘结剂层，至少以上述粘合剂层不被隐藏起来的方式覆盖上述外周面和上述侧面的第二保护部件。根据本专利技术，吸附板被装载于在载置台表面突起部上被围成的区域内，并用粘结剂将第一保护部件接合在该吸附板上。此外，以覆盖上述突起的外周面和上述第一保护部件的侧面的方式设置第二保护部件。由此，上述粘结剂层被保护于等离子体或腐蚀性环境外，防止了上述粘结剂层的腐蚀。其结果为，能够抑制起尘，而且谋求基板处理装置的长寿命化。特别是通过设置突起部保护上述粘结剂层，而且通过用第二保护层覆盖突起部的外周面和第一保护部件的侧面，进而可靠地保护上述粘结剂层。本专利技术中上述第二保护部件，不必覆盖该外周面的全部和该侧面的全部，由于其至少以上述第一保护部件和上述突起部的相对的部分隐藏起来的方式覆盖第二保护部件，所以很充分。在本专利技术的一个实施方式中，上述第二保护部件是通过喷镀形成的保护膜。通过使用喷镀，能够容易地形成上述第二保护部件。在粘结剂层外露的地方用喷镀形成第二保护部件的情况下，虽然存在因该喷镀热使粘结剂层碳化的危险，但根据本专利技术，由于设置有上述突起部，所以即使用喷镀在上述突起部的外周面形成第二保护部件，也不会发生粘结剂层碳化等问题。在本专利技术的另一实施方式中，上述载置台和上述第一保护部件的热膨胀率被设定得大体相同。在热膨胀系数不同的情况下，在通过喷镀形成第二保护部件时，若载置台及第一保护部件中的任意一个比另一个膨胀大一些，则第二保护部件有破损的危险。通过使膨胀系数大体相同，能够避免这样的问题。优选上述第一保护部选由陶瓷所构成，上述载置台优选由含有铝、钛、钼或钨的陶瓷构成。在本专利技术的另一实施方式中，虽然在上述第一保护部件和上述突起部之间产生间隙，但上述间隙被设定成10μm～30μm的大小，上述突起部的上面的宽度被设定成为50μm～150μm的大小。即，在上述间隙的大小为10μm～30μm的情况下，为了使突起部的高宽比为5以上，上述突起部的上面的宽度优选为50μm～150μm。通过使上述高宽比为5以上，在上述间隙为10μm～30μm的情况下，即使通过喷镀形成上述第二保护部件，该喷镀的喷流也不会到达位于突起部内部的粘结剂层。在本专利技术的前一实施方式中，贯通上述第一保护部件、上述吸附板及上述载置台而形成第一沟槽，在上述第一沟槽内设置有用于相对该第一沟槽能够升降、进行基板的交接的销。而且，在上述第一沟槽内，以使上述粘结剂层隐藏的方式设置的第三保护部件。通常，在该载置台上形成贯通至上述第一保护部件的第一通孔，且在该第一通孔内插通基板交接用的销。在本专利技术中，为了避免在该第一通孔内粘结剂外露，至少用第三保护部件覆盖该露出部分。由此，即使等离子体侵入通孔，也能够保护粘结剂层。这里的所谓“相对的”可以指销的升降，也可以指载置台的升降。在本专利技术的另一形式中，使用通过喷镀形成的保护膜作为上述第三保护部件。通过喷镀，可以容易地形成该第三保护部件。在本专利技术的另一形式中，上述第一保护部件和上述静电吸附板各自具有由上述第一通孔形成的第一孔与第二孔，将上述第二孔的大小设定为小于上述第一孔的大小。由此，在通过喷镀形成上述第三保护部件时，防止例如从含有静电吸附板的吸附片和第一保护部件间的间隙，流入因喷镀产生喷流，粘结剂层碳化的问题。在本专利技术的另一形式中，形成贯通上述第一保护部件、上述吸附板及上述载置台的第二通孔，还设置有至少在上述第二通孔内流动向上述基板进行热传导用气体的气体供给部，和设置于上述第二通孔内的、以使上述粘结剂层隐藏的方式设置的第四保护部件。通常，在载置台上形成贯通至上述第一保护部件的第二通孔，并在该第二通孔内，例如流入用于从载置台向基板进行热传导的气体。在本专利技术中，为了避免该第二通孔内粘结剂层的外露，至少使用第一保护部件覆盖该露出部分。由此，即使等离子体进入第一通孔，也可以保护上述粘结剂层。在载置台上设置的第二通孔，可以不必贯通至该载置台的下面，也可以向载置台的侧面贯通。在本专利技术的另一形式中，上述第四保护部件是由通过喷镀形成的保护膜构成。由此，可以容易地形成第四保护部件。在本专利技术的另一形式中，上述第一保护部件和上述吸附板分别具有通过上述第二通孔形成的第三孔与第四孔，且上述第四孔的大小小于第三孔的大小。由此，在通过喷镀形成上述第四保护部件时，能够回避例如从包含吸附板的吸附片和第一保护部件之间，流入因喷镀产生的喷流，粘结剂层碳化的问题。本专利技术的另一基板处理装置具备具有第一侧面，载置基板的载置台；在上述表面上设置的，用于通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板保持机构，其特征在于，具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面上预定区域而连续形成、并具有由比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起 部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面的，并在所述静电吸附板上设置的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和 所述第一保护部件的粘结剂层；至少以隐藏所述粘结剂层的方式覆盖所述外周面和所述侧面的第二保护部件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-3-19 075171/20031.一种基板保持机构，其特征在于，具备具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面上预定区域而连续形成、并具有由比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面的，并在所述静电吸附板上设置的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；至少以隐藏所述粘结剂层的方式覆盖所述外周面和所述侧面的第二保护部件。2.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，所述第二保护部件是通过喷镀形成的膜。3.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，所述载置台和所述第一保护部件的热膨胀系数大体相同。4.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，所述第一保护部件由陶瓷构成，所述载置台为陶瓷含有铝、钛、钼或钨。5.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，在所述第一保护部件和所述突起部之间设置间隙，所述间隙具有10μm～30μm的大小，所述突起部的上面的宽度是50μm～150μm。6.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，具备贯通所述第一保护部件、所述吸附板及所述载置台的第一通孔；在所述第一通孔内，对于该第一通孔可相对升降地设置的用于进行基板的交接的销；在所述第一通孔内设置的，以使所述粘结剂层隐藏的方式设置的第三保护部件。7.如权利要求6所述的基板保持机构，其特征在于，所述第三保护部件是通过喷镀形成的膜。8.如权利要求7所述的基板保持机构，其特征在于，所述第一保护部件和所述吸附板分别具有构成所述第一通孔的第一孔和第二孔，所述第二孔的大小大于所述第一孔的大小。9.如权利要求1所述的基板保持机构，其特征在于，还具备贯通所述第一保护部件、所述吸附板及所述载置台的第二通孔；至少通过所述第二通孔，流动向所述基板进行热传导的气体的气体供给部；在所述第二通孔设置的，以使所述粘结剂层隐藏的方式设置的第四保护部件。10.如权利要求9所述的基板保持机构，其特征在于，所述第四保护部件是通过喷镀形成的膜。11.如权利要求10所述的基板保持机构，其特征在于，所述第一保护部件和所述吸附板分别具有构成所述第二通孔的第三孔与第四孔，所述第四孔的大小大于所述第三孔的大小。12.一种基板保持机构，其特征在于，具备具有第一侧面，用于保持被处理基板的载置台；在所述表面上设置的，用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有第二侧面，在所述静电吸附板上设置的保护该静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的第一粘结剂层；以使所述第一粘结剂层隐藏的方式设置的第二粘结剂层。13.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，所述第二粘结剂层含有硅。14.如权利要求12所述的基板保持机构，其特征在于，所述第二粘结剂层以覆盖所述第一侧面和所述第二侧面的方式...

【专利技术属性】
技术研发人员：野泽俊久，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]