含有苯并杂环结构的化合物、电致发光器件和显示装置制造方法及图纸

一种含有苯并杂环结构的化合物、电致发光器件和显示装置，所述含有苯并杂环结构的化合物的结构通式为式I；其中，各个基团和取代基的含义与说明书中相同。本公开实施例提供的含有苯并杂环结构的化合物的折射率较高，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的含有苯并杂环结构的化合物的对紫外光的吸收较强，但不吸收器件自身的光，作为光取出材料时可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤；此外，本公开实施例提供的含有苯并杂环结构的化合物的热稳定性好，采用蒸镀工艺形成光取出层时具有较好的稳定性，可以避免由于材料不稳定在蒸镀中产生杂质而造成器件寿命缩短的问题。成器件寿命缩短的问题。成器件寿命缩短的问题。成器件寿命缩短的问题。

【技术实现步骤摘要】
含有苯并杂环结构的化合物、电致发光器件和显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种含有苯并杂环结构的化合物、电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率要求越来越高，功耗要求数值越来越低。因此需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。
[0003]目前使用的OLED器件，多采用顶发射器件结构。顶发射器件结构采用反射的阳极和透明阴极通过微腔效应来加强出光效率。而在此器件中，一个非常重要的功能层是光取出层(又叫覆盖层，Capping Layer,CPL)。光取出层通常具有较高的折射率，设置在阴极上层，形成高、低折射率的搭配，从而实现更好的出光效果。
[0004]但目前CPL材料的折射率一般都在2.0@460nm左右，对于提高出光，提高器件效率的作用仍然有限。而且，目前的CPL材料对于外界环境的紫外光吸收较小，难以避免器件免遭紫外光对内部器件的损伤。

技术实现思路

[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
[0006]本公开实施例提供一种含有苯并杂环结构的化合物，所述含有苯并杂环结构的化合物的结构通式为：
>[0007][0008]其中，Z1、Z2、Z3中至少一个为N，其他的为C(H)；
[0009]R1、R2各自独立地为取代或未取代的Ar2、取代或未取代的式II所示的基团、取代或未取代的式III所示的基团、取代或未取代的式IV所示的基团中的任意一种，并且R1、R2不同时为Ar2；这里，取代的Ar2、取代的式II所示的基团、取代的式III所示的基团、取代的
式IV所示的基团是指被Ar3所取代；
[0010][0011]X1、X2各自独立地为C(H)、CR3、N中的任意一种，Y为O、S、N(H)、NR4、CR5R6中的任意一种；这里，R3、R4、R5、R6各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C60的烷基、取代或未取代的C3至C30的环烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C60的芳基、取代或未取代的C5至C60的杂芳基；这里，取代的C1至C60的烷基、取代的C3至C30的环烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C60的芳基、取代的C5至C60的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C60的烷基、C3至C30的环烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C60的芳基、C5至C60的杂芳基；
[0012]Ar1、Ar2、Ar3各自独立地为氢、腈基、C2至C30的烷基、C3至C30的环烷基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的芳基、取代基R8取代的C5至C60的杂芳基、未取代的C5至C60的杂芳基中的任意一种，并且Ar2不为氢、腈基、C2至C30的烷基，Ar3不为氢；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为腈基、C2至C30的烷基、未取代的C6至C60的芳基、取代基R9取代的C6至C60的芳基、未取代的C5至C60的杂芳基和取代基R10取代的C5至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R9、R10各自独立地为腈基、C6至C60的芳基中的任意一个或多个；
[0013]L1、L2、L3各自独立地为单键、取代或未取代的C6至C60的亚芳基、取代或未取代的C2至C60的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C60的亚芳基、取代的C2至C60的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C60的芳基、C2至C60的杂芳基；
[0014]m、n各自独立地为0、1或2，并且m+n＝2。
[0015]本公开实施例还提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括光取出层，所述光取出层的材料可以包括如上所述的含有苯并杂环结构的化合物。
[0016]本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的电致发光器件。
[0017]本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
[0018]附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的
实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
[0019]图1为本公开示例性实施例的电致发光器件的结构示意图；
[0020]图2为本公开示例性实施例的化合物1
’
与对比例1化合物在不同波长处的折射率变化曲线；
[0021]图3为本公开示例性实施例的化合物1
’
与对比例1化合物在不同波长处的吸光系数变化曲线。
[0022]附图中的标记符号的含义为：
[0023]100
‑
阴极；200
‑
空穴注入层；300
‑
空穴传输层；400
‑
电子阻挡层；500
‑
发光层；600
‑
空穴阻挡层；700
‑
电子传输层；800
‑
电子注入层；900
‑
阴极；1000
‑
光取出层。
具体实施方式
[0024]本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0025]在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
[0026]本公开实施例提供一种含有苯并杂环结构的化合物，所述含有苯并杂环结构的化合物的结构通式为：
[0027][0028]其中，Z1、Z2、Z3中至少一个为N，其他的为C(H)；
[0029]R1、R2各自独立地为取代或未取代的Ar2、取代或未取代的式II所示的基团、取代或未取代的式III所示的基团本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，所述含有苯并杂环结构的化合物的结构通式为：其中，Z1、Z2、Z3中至少一个为N，其他的为C(H)；R1、R2各自独立地为取代或未取代的Ar2、取代或未取代的式II所示的基团、取代或未取代的式III所示的基团、取代或未取代的式IV所示的基团中的任意一种，并且R1、R2不同时为Ar2；这里，取代的Ar2、取代的式II所示的基团、取代的式III所示的基团、取代的式IV所示的基团是指被Ar3所取代；X1、X2各自独立地为C(H)、CR3、N中的任意一种，Y为O、S、N(H)、NR4、CR5R6中的任意一种；这里，R3、R4、R5、R6各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C60的烷基、取代或未取代的C3至C30的环烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C60的芳基、取代或未取代的C5至C60的杂芳基；这里，取代的C1至C60的烷基、取代的C3至C30的环烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C60的芳基、取代的C5至C60的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C60的烷基、C3至C30的环烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C60的芳基、C5至C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3各自独立地为氢、腈基、C2至C30的烷基、C3至C30的环烷基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的芳基、取代基R8取代的C5至C60的杂芳基、未取代的C5至C60的杂芳基中的任意一种，并且Ar2不为氢、腈基、C2至C30的烷基，Ar3不为氢；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为腈基、C2至C30的烷基、未取代的C6至C60的芳基、取代基R9取代的C6至C60的芳基、未取代的C5至C60的杂芳基和取代基R10取代的C5至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R9、R10各自独立地为腈基、C6至C60的芳基中的任意一个或多个；L1、L2、L3各自独立地为单键、取代或未取代的C6至C60的亚芳基、取代或未取代的C2至
C60的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C60的亚芳基、取代的C2至C60的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C60的芳基、C2至C60的杂芳基；m、n各自独立地为0、1或2，并且m+n＝2。2.根据权利要求1所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，Z1、Z2、Z3均为N；或者，Z1、Z2、Z3中有两个为N，另一个为C(H)。3.根据权利要求1所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，R1、R2各自独立地为下述基团中的任意一种：
4.根据权利要求1所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，L1、L2、L3各自独立地为单键、亚苯基、亚萘基中的任意一种。5.根据权利要求1所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，R1为取代或未取代的式II所示的基团，R2为Ar2；或者R1、R2各自独立地为取代或未取代的式III所示的基团、取代或未取代的式IV所示的基团中的任意一种。6.根据权利要求5所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，R1为取代或未取代的式II所示的基团，R2为取代或未取代的Ar2，m为1，n为1；Z1、Z2、Z3中至少一个为N，其他的为C(H)；R3为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C60的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C60的芳基、取代或未取代的C5至C60的杂芳基；这里，取代的C1至C60的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C60的芳基、取代的C5至C60的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：氢、重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C60的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C60的芳基、C5至C60的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3各自独立地为取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的芳基、取代基R8取代的C5至C60的杂芳基、未取代的C5至C60的杂芳基中的任意一种；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C2至C30的烷基、未取代的C6至C60的芳基、取代基R9取代的C6至C60的芳基、未取代的C5至C60的杂芳基和取代基R10取代的C5至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R9、R10各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；L1、L2、L3各自独立地为单键、取代或未取代的C6至C60的亚芳基、取代或未取代的C2至C60的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C60的亚芳基、取代的C2至C60的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C60的芳基、C2至C60的杂芳基。7.根据权利要求6所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，X1、X2均为N；或者，X1、X2中有一个为N，另一个为C(H)。
8.根据权利要求7所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，Z1、Z2、Z3均为N；或者，Z1、Z3为N，Z2为C(H)；或者，Z1、Z2为N，Z3为C(H)。9.根据权利要求5所述的含有苯并杂环结构的化合物，其特征在于，R1、R2各自独立地为取代或未取代的式III所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，梁丙炎，陈雪芹，张东旭，王丹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：