显示装置与电子设备制造方法及图纸

本公开提供了一种显示装置与电子设备。一种显示装置，其中驱动电路设置有：驱动晶体管，其控制发光部分；视频信号写入晶体管，其控制视频信号的写入；以及电容元件。驱动晶体管具有连接至电流源线的一个源极

【技术实现步骤摘要】
显示装置与电子设备
[0001]本公开为国际申请号为PCT/JP2017/009691、申请日为2017年3月10日、专利技术名称为“显示装置与电子设备”的PCT国际申请的中国国家阶段的分案申请，其全部内容结合于此作为参考。


[0002]本公开涉及一种显示装置与电子设备。

技术介绍

[0003]近年来，使用有机电致发光设备(在下文中，有时简单缩写为“有机EL设备”)的有机电致发光显示装置(在下文中，有时简单缩写为“有机EL显示装置”)引起关注。有机EL显示装置属于自发光类型，并且具有低功耗的特性，而且，甚至对于高清高速视频信号具有足够的响应率。因此，真实地促进了对有机EL显示装置的实际应用和产品商业化的发展(例如，参考专利文献1和2等)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：特开2013
‑
44890号公报
[0007]专利文献2：特开2012
‑
255874号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术要解决的问题
[0009]通过促进驱动电路的微型化能实现有机EL显示装置的更高清晰度。因此，在促进驱动电路的微型化时，希望在不劣化屏幕的显示性能的情况下使得驱动电路微型化。
[0010]鉴于上述问题，本公开提出了一种新型并且改进的显示装置和电子设备，并且能实现屏幕的显示性能的提高与更高的清晰度。
[0011]问题的解决方案
[0012]根据本公开，提供一种显示装置，包括：多个发光设备，各自包括发光单元和用于驱动发光单元的驱动电路。驱动电路包括：驱动晶体管，被配置为控制发光单元；视频信号写入晶体管，被配置为控制视频信号的写入；以及电容元件。在驱动晶体管中，一个源极/漏极区域连接至电流源线，另一源极/漏极区域连接至发光单元及电容元件的第一节点，并且栅电极连接至电容元件的第二节点。在视频信号写入晶体管中，一个源极/漏极区域连接至数据线，另一源极/漏极区域连接至驱动晶体管的栅电极，并且栅电极连接至扫描线。驱动晶体管与视频信号写入晶体管的载流子迁移率不同。
[0013]此外，根据本公开，提供一种电子设备，包括：显示装置。
[0014]本专利技术的效果
[0015]如上所述，根据本公开，可以提供一种新的并且改进的显示装置和电子设备，并且能实现屏幕的显示性能的提高与更高的清晰度。
[0016]应注意，前文描述的效果没有必要的限制。利用或替代上述效果，可以实现在本说明书中描述的任意一种效果或从本说明书中掌握的其他效果。
附图说明
[0017][图1]是示出驱动晶体管和视频信号写入晶体管的横截面实施例的说明图。
[0018][图2]是示出根据本公开的实施方式的有机EL显示装置的配置例的说明图。
[0019][图3]是示出像素阵列部分11的每个像素15的配置例的说明图。
[0020][图4]是作为时序图的示出像素15的操作例的说明图。
[0021][图5]是示出形成在像素15中的视频信号写入晶体管Tsig与驱动晶体管Tdrv的横截面的配置例的说明图。
[0022][图6]是示出形成在像素15中的视频信号写入晶体管Tsig与驱动晶体管Tdrv的横截面的另一配置例的说明图。
[0023][图7]是示出像素15的横截面实例的说明图。
[0024][图8]是示出像素15的横截面实例的说明图。
[0025][图9]是示出驱动晶体管Tdrv的电压电流特性的实施例的说明图。
[0026][图10]是示出像素15的另一横截面实例的说明图。
具体实施方式
[0027]在下文中，将参考所附附图详细描述本公开的优选实施方式。应注意，在本说明书和所附附图中，以相同的参考标号表示具有大致相同功能和结构的结构元件，并且省去了这些结构元件的重复性说明。
[0028]应注意，将按照下列顺序给出描述。
[0029]1.本公开的实施方式
[0030]1.1.概况
[0031]1.2.显示装置与像素的配置例
[0032]1.3.像素的操作例
[0033]1.4.横截面实例
[0034]2.结论
[0035]<1.本公开的实施方式>
[0036][1.1.概况][0037]首先，在详细描述本公开的实施方式之前，将描述本公开的实施方式的概况。
[0038]如上所述，近年来，使用有机EL设备的有机电致发光显示装置(在下文中，有时简单缩写为“有机EL显示装置”)引起了关注。有机EL显示装置属于自发光类型，并且具有低功耗的特性，而且，甚至对于高清高速视频信号，具有足够的响应率。因此，真实地促进了有机EL显示装置的实际应用与产品商业化的发展。
[0039]作为驱动有机EL显示装置的像素的一个驱动电路，对于一个像素，存在包括两个晶体管(包括用于驱动有机EL设备的驱动晶体管和用于写入视频信号的视频信号写入晶体管)的2Tr驱动电路。
[0040]当通过硅半导体过程在硅晶片上形成有机EL显示装置的驱动电路时，微型化变得
更容易。当驱动电路能被微型化时，能够实现有机EL显示装置的更高清晰度。另一方面，在使用n沟道型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管作为驱动晶体管并且安装p型阱来稳定驱动晶体管的操作的情况下，当有机EL设备发射光时，驱动晶体管的源极电势也上升。当驱动晶体管的源极电势上升时，p型阱与驱动晶体管的电势也上升。当p型阱与驱动晶体管的电势也上升时，驱动晶体管的电流由于所谓的衬底偏置效应而减小。当驱动晶体管的电流减小时，有机EL设备的亮度下降。
[0041]鉴于上述内容，上述所述专利文献1公开了一种在位于掩埋的n型阱(形成在p型硅衬底中)内的p型阱中形成驱动晶体管，并且电连接驱动晶体管的源极与p型阱，用于抑制衬底偏置效应的技术。在该技术中，使抑制衬底偏置效应成为可能，因此，必须电隔离邻近的驱动电路之间的驱动晶体管的p型阱。
[0042]图1是示出驱动晶体管与视频信号写入晶体管的横截面实例的说明图。图1示出了在位于掩埋的n型阱(形成在p型硅衬底中)内的p型阱中形成驱动晶体管的实例。如图1中示出的，当n型阱形成在驱动晶体管的p型阱之间，用于电隔离邻近的驱动电路之间的驱动电路的p型阱时，驱动电路的微型化则变得困难。
[0043]当驱动电路被微型化时，必须减小用于确保形成n型阱区域的空间的驱动晶体管的尺寸。然而，例如，当栅极长度减小时，驱动晶体管的特性变化增加。驱动晶体管的特性变化的增加导致设置在相应的驱动电路中的有机EL设备的亮度变化增加，并且削弱了屏幕的均匀性。相应地，当在位于掩埋的n型阱(形成在p型硅衬底中)内的p型阱中形成驱动晶体管时，则变得难以实现驱动电路的微型化与屏幕的均匀性的增强。
[0044]此外，存在一种使用形成在单晶硅晶片(晶圆，wafer)上的MOS晶体管作为驱动晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：多个发光设备，每个所述发光设备包括发光单元和用于驱动所述发光单元的驱动电路；其中，所述驱动电路包括驱动晶体管，被配置为控制所述发光单元；视频信号写入晶体管，被配置为控制视频信号的写入；以及电容元件；在所述驱动晶体管中，一个源极/漏极区域连接至电流源线，另一源极/漏极区域连接至所述发光单元及所述电容元件的第一节点，并且栅电极连接至所述电容元件的第二节点；在所述视频信号写入晶体管中，一个源极/漏极区域连接至数据线，另一源极/漏极区域连接至所述驱动晶体管的所述栅电极及所述电容元件的所述第二节点，并且栅电极连接至扫描线；并且所述驱动晶体管与所述视频信号写入晶体管的载流子迁移率不同。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动晶体管的载流子迁移率低于所述视频信号写入晶体管的载流子迁移率。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述视频信号写...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎崇，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：