一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶圆上形成外电极和内电极，其中，所述外电极与所述内电极对应设置；在所述外电极和所述内电极之间形成空气介质。该方法在晶圆上形成内电极、空气介质和外电极，其中，空气介质形成在外电极和内电极之间。空气介质本质上是空气。形成此结构的半导体是利用空气作为介质，能大大减小传输损耗，利用射频信号的传输，还具有节约成本，性能优质的特点。性能优质的特点。性能优质的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体技术发展的过程中，芯片在体积减小的同时功能更加丰富。有一种技术路线是将多种器件在三维尺度上堆叠，形成紧凑的结构。为了实现此结构，常常使用穿孔技术，其中，穿孔技术包括硅通孔(Through silicon via，TSV)和玻璃通孔(Trough glass via，TGV)。
[0003]在射频领域中，不同层的射频芯片通信需要采用通孔技术制造通孔，再采用设置在通孔中的特殊的传输线进行芯片之间通信。然而，在此通孔中常常采用氧化硅、有机物等材料作为介质，导致通信损耗较大的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种半导体器件的制作方法，解决了现有技术中芯片的通信损耗较大的技术问题，实现了优化半导体中通孔的结构，大大减小了半导体通信的损耗的技术效果。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种半导体器件的制作方法，包括：
[0006]在晶圆上形成外电极和内电极，其中，所述外电极与所述内电极对应设置；
[0007]在所述外电极和所述内电极之间形成空气介质。
[0008]优选的，所述在晶圆上形成外电极和内电极，包括：
[0009]在所述晶圆上形成环状盲孔；
[0010]将所述环状盲孔内的晶圆区域作为所述内电极，将所述环状盲孔外的晶圆区域作为所述外电极。
[0011]优选的，所述在晶圆上形成外电极和内电极，包括：
[0012]在所述晶圆上形成环状盲孔；
[0013]在所述环状盲孔的内壁上形成绝缘层后，将金属层生成在所述圆环状盲孔的内环侧壁上，形成所述内电极，以及将所述金属层生成在所述圆环状盲孔的外环侧壁上，形成所述外电极。
[0014]优选的，在形成所述外电极和所述内电极之后，还包括：
[0015]在所述内电极的外壁上和所述外电极的外壁上形成所述绝缘层。
[0016]优选的，所述在晶圆上形成外电极和内电极，包括：
[0017]在所述晶圆上形成环状盲孔和中空盲孔；
[0018]在所述中空盲孔的内壁上和所述环状盲孔的内壁上形成绝缘层后，将金属层填充在所述中空盲孔中，形成所述内电极，以及将所述金属层填充在所述环状盲孔中，形成所述外电极。
[0019]优选的，所述在所述外电极和所述内电极之间形成空气介质，包括：
[0020]当所述内电极和所述外电极之间存在连接晶圆区域时，刻蚀所述连接晶圆区域，形成刻蚀区域；在将牺牲层填充至所述刻蚀区域中后，抛光该晶圆，形成抛光后的晶圆；在将所述抛光后的晶圆与另一晶圆键合后，释放所述牺牲层，形成所述空气介质；
[0021]当所述内电极和所述外电极之间未存在连接晶圆区域时，将所述牺牲层填充至所述所述内电极和所述外电极之间的区域，并抛光该晶圆，形成抛光后的晶圆；在将所述抛光后的晶圆与另一晶圆键合后，释放所述牺牲层，形成所述空气介质。
[0022]优选的，所述牺牲层的材质包括：有机物或磷硅玻璃。
[0023]优选的，在形成所述空气介质之前，还包括：
[0024]对所述内电极和所述外电极分别布置电线。
[0025]优选的，所述外电极包括间断的外电极或非间断的外电极。
[0026]优选的，所述晶圆包括：硅晶圆、玻璃晶圆或碳化硅晶圆。
[0027]本专利技术实施例中的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0028]在本专利技术实施例中，在晶圆上形成内电极、空气介质和外电极，其中，外电极围绕内电极，空气介质形成在外电极和内电极之间。空气介质本质上是空气。形成此结构的半导体是利用空气作为介质，能大大减小传输损耗，利用射频信号的传输，还具有节约成本，性能优质的特点。
附图说明
[0029]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考图形表示相同的部件。在附图中：
[0030]图1示出了本专利技术实施例中的半导体的制作方法的步骤流程示意图；
[0031]图2a示出了本专利技术实施例中的方案一的半导体的俯视图；
[0032]图2b示出了本专利技术实施例中的方案一的半导体的剖面图；
[0033]图3示出了本专利技术实施例中的方案一的半导体的制作方法的示意图；
[0034]图4a示出了本专利技术实施例中的方案二的半导体的俯视图；
[0035]图4b示出了本专利技术实施例中的方案二的半导体的剖面图；
[0036]图5示出了本专利技术实施例中的方案二的半导体的制作方法的示意图；
[0037]图6a示出了本专利技术实施例中的方案三的半导体的俯视图；
[0038]图6b示出了本专利技术实施例中的方案三的半导体的剖面图；
[0039]图7示出了本专利技术实施例中的方案三的半导体的制作方法的示意图；
[0040]图8示出了本专利技术实施例中的半导体的不封闭形状的外电极的俯视图；
[0041]图9示出了本专利技术实施例中的半导体的间断的外电极的俯视图；
[0042]图10示出了本专利技术实施例中的一种半导体的俯视图；
[0043]图11示出了本专利技术实施例中的半导体的布线俯视图。
具体实施方式
[0044]下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例
所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0045]实施例一
[0046]本专利技术第一实施例提供了一种半导体器件的制作方法，如图1所示，包括：
[0047]S101，在晶圆上形成外电极和内电极，其中，外电极与内电极度对应设置；
[0048]S102，在外电极和内电极之间形成空气介质。
[0049]具体地，在晶圆上形成内电极、空气介质和外电极，其中，外电极与内电极对应设置，空气介质形成在外电极和内电极之间。空气介质本质上是空气。形成此结构的半导体是利用空气作为介质，根据公式(1)的计算，可以得出此半导体能大大减小传输损耗。
[0050][0051]其中，Z为特征阻抗，d为内径，D为外径，μ为介质磁导率，ω为角频率，σ为导体电导率，f为频率，ε
r
为介质相对介电常数，c0为电磁波在真空中的传播速度，约为3
×
108，tanδ为介质的正切角损耗。相比于常见的绝缘材料，如SiO2，SU
‑
8等，空气拥有更小的ε
r
和tanδ。因此，本实施例的半导体采用空气作为传输介质，则此半导体的传输损耗大大降低。
[0052]还需要说明的是，本实施例所用的晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在晶圆上形成外电极和内电极，其中，所述外电极与所述内电极对应设置；在所述外电极和所述内电极之间形成空气介质。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在晶圆上形成外电极和内电极，包括：在所述晶圆上形成环状盲孔；将所述环状盲孔内的晶圆区域作为所述内电极，将所述环状盲孔外的晶圆区域作为所述外电极。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在晶圆上形成外电极和内电极，包括：在所述晶圆上形成环状盲孔；在所述环状盲孔的内壁上形成绝缘层后，将金属层生成在所述圆环状盲孔的内环侧壁上，形成所述内电极，以及将所述金属层生成在所述圆环状盲孔的外环侧壁上，形成所述外电极。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在形成所述外电极和所述内电极之后，还包括：在所述内电极的外壁上和所述外电极的外壁上形成所述绝缘层。5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在晶圆上形成外电极和内电极，包括：在所述晶圆上形成环状盲孔和中空盲孔；在所述中空盲孔的内壁上和所述环状盲孔的内壁上形成绝缘层后，将金属层填充在所述中空盲孔中，形成所述内电极，以及将所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁骥，杨云春，郭鹏飞，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：