修整装置和研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供修整装置和研磨装置。修整装置包括：修整器，设置于研磨装置，所述研磨装置使研磨垫接触基板状的工件并利用所述工件与所述研磨垫的相对移动来研磨所述工件，并且所述修整器具有与所述研磨垫的研磨面相对滑动来修整所述研磨垫的修整面；修整器驱动构件，使所述修整器旋转；高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的高压水；以及高压水喷嘴，朝向旋转的所述修整面喷射所述高压水。所述修整面喷射所述高压水。所述修整面喷射所述高压水。

【技术实现步骤摘要】
修整装置和研磨装置
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请基于2020年07月16日向日本特许厅提交的日本专利申请第2020
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121966号，因此将所述日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。


[0003]本申请的一个方式涉及修整装置以及具备所述修整装置的研磨装置。

技术介绍

[0004]以往，在对半导体晶片等的表面进行研磨的研磨装置中，使用修整装置。修整装置为了稳定地维持研磨垫的研磨特性而对研磨垫的表面进行修整。这种修整装置使用金刚石、尼龙刷或者高压水进行研磨垫的堵塞去除和研磨垫的修锐。
[0005]例如，在日本专利公开公报特开2005
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271101号中，公开了对用于化学机械研磨(CMP)的研磨垫进行修整的修整装置。该文献公开的修整装置具备在表面电沉积有金刚石磨粒的修整板，以及配置在修整板的内周侧且在表面植设有刷的刷板。
[0006]刷板的中心部穿设有贯通孔。清洗液供给配管插入所述贯通孔的内部。而且，所述修整装置具备清洗液供给机构。清洗液供给机构在对清洗用的液体进行加压的状态下，将其供给到清洗液供给配管。由清洗液供给机构加压过的清洗液从贯通孔朝向研磨垫吐出。
[0007]此外，例如在日本专利公开公报特开2002
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187059号中，公开了对半导体晶片的研磨装置的研磨垫进行修整的修整机构。所述修整机构具备电沉积有金刚石磨粒的修整器。此外，该文献公开了喷嘴。所述喷嘴通过朝向研磨垫喷射高压水来清洗研磨面。r/>[0008]此外，例如在日本专利公开公报特开2001
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030169号中，公开了对研磨工作台的研磨加工面进行修整的修整装置。所述修整装置所具备的清洗器通过向低压水中吐出高压水来产生空蚀，利用所述空蚀破坏力所产生的冲击波来清洗研磨面。
[0009]可是，在上述的现有技术的修整装置中，为了能够提高修整的效果来提高研磨装置的研磨性能，存在需要改进的部分。
[0010]具体而言，如现有技术的研磨装置那样通过对研磨垫喷射高压水来清洗研磨面的结构下，尽管得到从研磨面洗去研磨屑等的效果，但是难以清洗修整装置的修整面。
[0011]即，按照现有技术的研磨装置，在向研磨垫喷射高压水时，难以将附着于修整器的修整面的包含金属和树脂等的聚合物的研磨屑等除去。因此，按照现有技术的研磨装置，研磨屑等附着于修整面，修整性能降低，其结果，研磨性能降低。

技术实现思路

[0012]本申请的一个目的是提供以下的修整装置和研磨装置。即，这些修整装置和研磨装置能够长时间地获得优异的修整性能以及良好地维持研磨性能。因此，可以提高研磨加工的生产性。
[0013]本申请的一个方式的修整装置(本修整装置)包括：修整器，设置于研磨装置，所述
研磨装置使研磨垫接触基板状的工件并利用所述工件与所述研磨垫的相对移动来研磨所述工件，并且所述修整器具有与所述研磨垫的研磨面相对滑动来修整所述研磨垫的修整面；修整器驱动构件，使所述修整器旋转；高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的高压水；以及高压水喷嘴，朝向旋转的所述修整面喷射所述高压水。
[0014]此外，本申请的一个方式的研磨装置包括：研磨台，以使研磨垫的研磨面朝向上方的方式保持所述研磨垫并使所述研磨垫旋转；研磨头，以使基板状的工件的被研磨面与所述研磨面相对的方式保持所述工件，并旋转按压所述工件；金刚石修整器，具备电沉积有金刚石磨粒的修整面，所述修整面与所述研磨面相对滑动来修整所述研磨垫；水槽，设置在离开所述研磨台的位置；修整器驱动构件，使所述金刚石修整器旋转；修整器输送构件，使所述金刚石修整器在滑动方向上相对移动，并且从所述研磨台的上方朝向所述水槽的上方相对移动；高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的高压水；以及高压水喷嘴，朝向被输送至所述水槽的上方并旋转的所述修整面喷射所述高压水。
[0015]此外，本申请的另一方式的研磨装置包括：研磨台，以使基板状的工件的被研磨面朝向上方的方式保持所述工件并使所述工件旋转；研磨头，以使研磨垫的研磨面与所述被研磨面相对的方式保持所述研磨垫，并旋转按压所述研磨垫；水槽，设置在离开所述研磨台的位置；金刚石修整器，设置在所述水槽的上方，并具备电沉积有金刚石磨粒的修整面；修整器驱动构件，使所述金刚石修整器旋转；研磨头输送构件，使研磨头从所述研磨台的上方的研磨位置相对移动至修整位置，所述修整位置位于所述水槽的上方，并且是所述研磨面与所述修整面相对滑动来进行修整的位置；第一高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的第一高压水；第二高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的第二高压水；第一高压水喷嘴，朝向在所述水槽的上方旋转的所述修整面喷射所述第一高压水；以及第二高压水喷嘴，朝向被输送至所述水槽的上方并旋转的所述研磨面喷射所述第二高压水。
[0016]本修整装置具备用于供给加压到1～15MPa的高压水的高压水产生装置，以及朝向旋转的修整器的修整面喷射高压水的高压水喷嘴。利用这种结构，可以有效地对修整研磨垫的修整器的修整面进行清洗。
[0017]具体而言，抑制了对修整器的构成材料造成损伤，并且可以由高压水来除去因修整研磨垫而附着于修整器的修整面的包含金属等的聚合物以及其他的研磨垫渣滓等。
[0018]由此，本修整装置可以长时间地维持优异的修整性能。其结果，按照具备本修整装置的研磨装置，可以长时间得到稳定的优异研磨特性。因此，可以抑制研磨屑等的附着导致的研磨性能降低，所以能够缩短研磨加工的时间。
[0019]此外，本修整装置也可以还具有水槽，所述水槽设置在离开所述研磨装置的研磨台的位置，所述研磨台支撑所述工件或所述研磨垫。而且，也可以是所述高压水喷嘴设置成在所述水槽的上方朝向所述修整面喷射所述高压水。由此，利用高压水的喷射，可以使从修整面除去的包含金属和树脂等的研磨屑等汇聚到水槽并流出。因此，可以抑制被除去的研磨屑等再次附着于工件或者研磨垫。
[0020]此外，本修整装置也可以具有多个所述修整器。而且，也可以是在由至少一个所述修整器修整所述研磨垫时，通过向至少一个其他的所述修整器喷射所述高压水，来清洗该其他的所述修整器。由此，可以同时进行研磨垫的修整和修整器的清洗。因此，能够连续且长时间地执行稳定的研磨加工。
[0021]例如，特别是在研磨厚膜的工件以及包含碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等高脆性材料的工件的情况下，长时间实施研磨。对此，通过采用本修整装置，即使研磨这种工件的情况下，也可以连续且稳定地实施高性能的研磨。因此，按照本修整装置，可以减少研磨性能的降低导致的研磨时间延迟，因此能得到缩短生产时间和提高生产性的优异效果。
[0022]此外，本修整装置也可以还包括：第二高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的第二高压水；以及第二高压水喷嘴，朝向旋转的所述研磨垫的所述研磨面喷射所述第二高压水。由此，通过向研磨垫的研磨面喷射第二高压水，从而可以进一步提高修整性能。因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种修整装置，其特征在于，包括：修整器，设置于研磨装置，所述研磨装置使研磨垫接触基板状的工件并利用所述工件与所述研磨垫的相对移动来研磨所述工件，并且所述修整器具有与所述研磨垫的研磨面相对滑动来修整所述研磨垫的修整面；修整器驱动构件，使所述修整器旋转；高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的高压水；以及高压水喷嘴，朝向旋转的所述修整面喷射所述高压水。2.根据权利要求1所述的修整装置，其特征在于，还具有水槽，所述水槽设置在离开所述研磨装置的研磨台的位置，所述研磨台支撑所述工件或所述研磨垫，所述高压水喷嘴设置成在所述水槽的上方朝向所述修整面喷射所述高压水。3.根据权利要求1或2所述的修整装置，其特征在于，具有多个所述修整器，在由至少一个所述修整器修整所述研磨垫时，通过向至少一个其他的所述修整器喷射所述高压水，来清洗该其他的所述修整器。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的修整装置，其特征在于，还包括：第二高压水产生装置，供给加压到1～15MPa的第二高压水；以及第二高压水喷嘴，朝向旋转的所述研磨垫的所述研磨面喷射所述第二高压水。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的修整装置，其特征在于，所述修整器是电沉积有金刚石磨粒的金刚石修整器。6.根据权利要求1至5中任意一项所述的修整装置，其特征在于，所述修整器由合成树脂形成。7.一种研磨装置，其特征在于，包括：研磨台，以使研磨垫的研磨面朝向上方的方式保持所述研磨垫并使所述研磨垫旋转；研磨头，以使基板状的工件...

【专利技术属性】
技术研发人员：三井贵彦，山本荣一，
申请(专利权)人：株式会社冈本工作机械制作所，
类型：发明
国别省市：