所公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、等离子体生成部、第1电源及第2电源。基板支承器具有下部电极，并且设置于腔室内。第1电源构成为产生电偏置，并且与下部电极电连接。第2电源构成为：在从第1电源输出至下部电极的电偏置在其周期内具有该电偏置的平均电位以上的电位的整个期间中的一部分的第1期间内，向部件施加正的电压。部件配置成暴露于在腔室内生成的等离子体中。第1电源构成为在第1期间之后的第2期间内将具有正的电位的电偏置输出至下部电极。输出至下部电极。输出至下部电极。
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置及等离子体处理方法
[0001]本专利技术的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。
技术介绍
[0002]在等离子体处理中，使用从等离子体供给的离子来对基板进行处理。通常，供给至基板的离子为正离子，但是有时除了正离子以外还将负离子供给至基板。在日本特开2012
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9544号公报(以下，称为“专利文献1”)中公开有除了正离子以外还将负离子供给至基板的技术。
[0003]在专利文献1的技术中，当供给等离子体高频功率的脉冲波和偏置高频功率的脉冲波这两者时，正离子从等离子体被供给至基板。当停止这些脉冲波时，在等离子体中生成负离子。当停止等离子体高频功率的脉冲波而供给偏置高频功率的脉冲波时，负离子被从等离子体供给至基板。
技术实现思路
[0004]在一示例性实施方式中，提供一种将等离子体中的负离子有效地供给至基板的技术。
[0005]在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、等离子体生成部、第1电源及第2电源。基板支承器具有下部电极，并且设置于腔室内。等离子体生成部构成为在腔室内由气体生成等离子体。第1电源构成为产生电偏置，并且与下部电极电连接。第2电源构成为向暴露于在腔室内生成的等离子体中的部件施加正的电压。第2电源构成为：在从第1电源输出至下部电极的电偏置在其周期内具有该电偏置的平均电位以上的电位的整个期间中的一部分的第1期间内，向部件施加正的电压。第1电源构成为在第1期间之后的第2期间内将具有正的电位的电偏置输出至下部电极。
[0006]根据一示例性实施方式，能够将等离子体中的负离子有效地供给至基板。
附图说明
[0007]图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
[0008]图2是与一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置相关的时序图。
[0009]图3是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的电构成的图。
[0010]图4是与一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置相关的另一时序图。
[0011]图5是概略地表示另一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的电构成的图。
[0012]图6是与另一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置相关的时序图。
[0013]图7中，图7(a)、图7(b)及图7(c)分别是概略地表示又一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
具体实施方式
[0014]以下，对各种示例性实施方式进行说明。
[0015]在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、等离子体生成部、第1电源及第2电源。基板支承器具有下部电极，并且设置于腔室内。等离子体生成部构成为在腔室内由气体生成等离子体。第1电源构成为产生电偏置，并且与下部电极电连接。第2电源构成为向暴露于在腔室内生成的等离子体中的部件施加正的电压。第2电源构成为：在从第1电源输出至下部电极的电偏置在其周期内具有该电偏置的平均电位以上的电位的整个期间中的一部分的第1期间内，向部件施加正的电压。第1电源构成为在第1期间之后的第2期间内将具有正的电位的电偏置输出至下部电极。
[0016]若当等离子体存在于腔室内时具有正的电位的电偏置被施加到下部电极，则等离子体中的电子比等离子体中的离子更快地到达基板支承器。其结果，下部电极的电位被中和，用于将负离子引入基板支承器的电场的强度变小。另一方面，在上述实施方式中，等离子体中的电子被引入暴露于等离子体中的部件之后，具有正的电位的电偏置被施加到下部电极，因此等离子体中的负离子被有效地供给至基板支承器上的基板。
[0017]在一示例性实施方式中，等离子体生成部可以构成为如下：至少在从第1期间的开始时刻至第2期间的开始时刻与结束时刻之间的时刻为止的期间内，停止用于在腔室内生成等离子体的高频功率的供给或者降低该高频功率的功率电平。
[0018]在一示例性实施方式中，第1期间内的部件的电位可以高于第1期间内的下部电极的电位。
[0019]在一示例性实施方式中，第1电源可以构成为在第2期间内将具有比第1期间内的电偏置的电位高的正的电位的电偏置输出至下部电极。
[0020]在一示例性实施方式中，等离子体处理装置可以为电容耦合型等离子体处理装置。
[0021]在一示例性实施方式中，等离子体处理装置还可以具备上部电极，所述上部电极设置于基板支承器的上方。上述部件可以为上部电极。
[0022]在一示例性实施方式中，第1电源可以构成为周期性地输出脉冲状的直流电压或任意电压波形作为电偏置。
[0023]在一示例性实施方式中，第1电源可以构成为输出高频功率作为电偏置。
[0024]在另一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理方法。等离子体处理方法包括工序(a)，所述工序(a)在等离子体处理装置的腔室内由气体生成等离子体。等离子体处理装置具备设置于腔室内的基板支承器。第1电源与基板支承器内的下部电极电连接。等离子体处理方法还包括工序(b)，所述工序(b)在从第1电源输出至下部电极的电偏置在其周期内具有该电偏置的平均电位以上的电位的整个期间中的一部分的第1期间内，从第2电源向暴露于等离子体中的部件施加正的电压。等离子体处理方法还包括工序(c)，所述工序(c)在第1期间之后的第2期间内，从第1电源向下部电极输出具有正的电位的电偏置。
[0025]在一示例性实施方式中，至少在从第1期间的开始时刻至第2期间的开始时刻与结束时刻之间的时刻为止的期间内，可以停止用于在腔室内生成等离子体的高频功率的供给或者降低该高频功率的功率电平。
[0026]以下，参考附图对各种示例性实施方式进行详细说明。另外，在各附图中，对相同
或相当的部分标注相同的符号。
[0027]图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置1为电容耦合型等离子体处理装置。等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其内部设置有内部空间10s。腔室10的中心轴线为沿铅垂方向延伸的轴线AX。
[0028]在一实施方式中，腔室10可以包括腔室主体12。腔室主体12呈大致圆筒形状。内部空间10s设置于腔室主体12中。腔室主体12例如由铝构成。腔室主体12被电接地。在腔室主体12的内壁面上设置有具有耐腐蚀性的膜。具有耐腐蚀性的膜可以为由氧化铝、氧化钇之类的陶瓷形成的膜。
[0029]腔室主体12的侧壁设置有通道12p。当在内部空间10s与腔室10的外部之间搬运基板W时，基板W通过通道12p。通道12p能够通过闸阀12g来开闭。闸阀12g沿腔室主体12的侧壁设置。
[0030]等离子体处理装置1还具备基板支承器16。基板支承器16构成为在腔室10内支承基板W。基板W可以呈大致圆盘形状。基板支承器16可以通过支承体15来支承。支承体15从腔室主体12的底部向上方延伸。支承体15本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其具备：腔室；基板支承器，具有下部电极，并且设置于所述腔室内；等离子体生成部，构成为在所述腔室内由气体生成等离子体；第1电源，构成为产生电偏置，并且与所述下部电极电连接；及第2电源，构成为向暴露于在所述腔室内生成的等离子体中的部件施加正的电压，所述第2电源构成为：在从所述第1电源输出至所述下部电极的所述电偏置在其周期内具有该电偏置的平均电位以上的电位的整个期间中的一部分的第1期间内，向所述部件施加所述正的电压，所述第1电源构成为在所述第1期间之后的第2期间内将具有正的电位的所述电偏置输出至所述下部电极。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述等离子体生成部构成为：至少在从所述第1期间的开始时刻至所述第2期间的开始时刻与结束时刻之间的时刻为止的期间内，停止用于在所述腔室内生成等离子体的高频功率的供给或者降低该高频功率的功率电平。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，所述第1期间内的所述部件的电位高于该第1期间内的所述下部电极的电位。4.根据权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，所述第1电源构成为在所述第2期间内将具有比所述第1期间内的所述电偏置的电位高的正的电位的所述电偏置输出至所述下部电极。5.根据权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：舆水地盐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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