本公开提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。本公开的阵列基板，包括：基底；多条栅线、多条数据线和多个像素单元，均设置在基底上；多条栅线和多条数据线交叉设置，并限定出多个像素单元；多个像素单元中的每个均包括显示电极；其中，显示电极包括至少一个电极部；每个电极部包括主链电极和多条支链电极，且多条支链电极均与主链电极电连接；黑矩阵层，设置在像素单元背离基底的一侧；黑矩阵层包括多个开口部和遮光部；一个开口部在基底上的正投影覆盖一个显示电极的支链电极在基底上的正投影；遮光部在基底上的正投影覆盖栅线、数据线和主链电极在基底上的正投影。影。影。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
[0001]本公开属于显示
，具体涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
[0002]随着显示技术的发展，显示屏、电视、手机等电子设备的分辨率越来越高，与分辨率提高对应的是像素数量的增多，像素数量的增多会带来各种各样需要攻克的技术难题。
[0003]现有的8K产品中，由于8K产品的像素密度(Pixelsper inch，PPI)高，像素小，整体开口率较低，因此，如何在保证像素透过率的基础上，同时大幅提升对比度成为本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
[0004]本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板、显示面板和显示装置。
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种阵列基板，其特征在于，包括：
[0006]基底；
[0007]多条栅线、多条数据线和多个像素单元，均设置在所述基底上；所述多条栅线和多条数据线交叉设置，并限定出所述多个像素单元；所述多个像素单元中的每个均包括显示电极；其中，所述显示电极包括至少一个电极部；每个所述电极部包括主链电极和多条支链电极，且所述多条支链电极均与所述主链电极电连接；
[0008]黑矩阵层，设置在所述像素单元背离所述基底的一侧；所述黑矩阵层包括多个开口部和遮光部；一个所述开口部在所述基底上的正投影覆盖一个所述显示电极的支链电极在所述基底上的正投影；所述遮光部在所述基底上的正投影覆盖所述栅线、所述数据线和所述主链电极在所述基底上的正投影。
[0009]可选地，每个所述显示电极中的所述电极部的数量为多个，且相邻设置的所述电极部中的主链电极位于支链电极的不同侧。
[0010]可选地，相邻设置的所述电极部中的主链电极通过连接电极电连接。
[0011]可选地，所述连接电极位于相邻设置的所述电极部之间，且与所述支链电极的延伸方向相同。
[0012]可选地，所述连接电极的延伸方向与所述支链电极的延伸方向平行。
[0013]可选地，所述连接电极与所述主链电极的夹角大于或等于90度。
[0014]可选地，所述支链电极的延伸方向与栅线之间的夹角的范围为7度至20度。
[0015]可选地，所述像素单元在所述基底上呈阵列排布，所述每个像素单元包括多个亚像素，每个像素单元中各个亚像素所对应的黑矩阵层的开口形状不同，相邻像素单元的各个亚像素所对应的黑矩阵的开口的形状均不相同，具有相同所述开口形状的像素单元间隔设置。
[0016]可选地，所述主链电极的宽度大于或等于2.3微米且小于或等于3微米，每个所述
支链电极的宽度大于或等于1.3微米且小于或等于2.2微米。
[0017]可选地，所述遮光部包括主体部和凸出部，所述一个凸出部在所述基底上的正投影覆盖所述一个所述主链电极在所述基底上的正投影，所述凸出部的宽度范围为13～25微米。
[0018]第二方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板包括：
[0019]基底；
[0020]多条栅线、多条数据线和多个像素单元，均设置在所述基底上；所述多条栅线和多条数据线交叉设置，并限定出所述多个像素单元；所述多个像素单元中的每个均包括显示电极；其中，所述显示电极包括至少一个电极部；每个所述电极部包括主链电极和多条支链电极，且所述多条支链电极均与所述主链电极电连接；
[0021]所述彩膜基板包括：
[0022]黑矩阵层，设置在所述像素单元背离所述基底的一侧；所述黑矩阵层包括多个开口部和遮光部；一个所述开口部在所述基底上的正投影覆盖一个所述显示电极的支链电极在所述基底上的正投影；所述遮光部在所述基底上的正投影覆盖所述栅线、所述数据线和所述主链电极在所述基底上的正投影。
[0023]可选地，每个所述显示电极中的所述电极部的数量为多个，且相邻设置的所述电极部中的主链电极位于支链电极的不同侧。
[0024]可选地，相邻设置的所述电极部中的主链电极通过连接电极电连接。
[0025]可选地，所述连接电极位于相邻设置的所述电极部之间，且与所述支链电极的延伸方向相同。
[0026]可选地，所述连接电极的延伸方向与所述支链电极的延伸方向平行。
[0027]可选地，所述连接电极与所述主链电极的夹角大于或等于90度。
[0028]可选地，所述支链电极延伸方向与栅线之间的夹角的范围均为7度至20度。
[0029]可选地，所述像素单元在所述基底上呈阵列排布，所述每个像素单元包括多个亚像素，每个像素单元中各个亚像素所对应的黑矩阵层的开口形状不同，相邻像素单元的各个亚像素所对应的黑矩阵的开口的形状均不相同，具有相同所述开口形状的像素单元间隔设置。
[0030]可选地，所述主链电极的宽度大于或等于2.3微米且小于或等于3微米，每个所述支链电极的宽度大于或等于1.3微米且小于或等于2.2微米。
[0031]可选地，所述遮光部包括主体部和凸出部，所述一个凸出部在所述基底上的正投影覆盖所述一个所述主链电极在所述基底上的正投影，所述凸出部的宽度范围为13～25微米。
[0032]可选地，显示面板还包括色阻结构，所述色阻结构设置在所述黑矩阵的开口部处。
[0033]第三方面，本公开实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板或上述的显示面板。
附图说明
[0034]图1为一种示例性的阵列基板的结构示意图；
[0035]图2为图1所示的阵列基板的光效示意图；
[0036]图3为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0037]图4为本公开实施例提供的另一种阵列基板的黑矩阵层的结构示意图；
[0038]图5为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
[0039]为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开作进一步详细描述。
[0040]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0041]现有技术中，薄膜晶体管液晶显示面板(thin film transistor
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liquid crystal display，TFT本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底；多条栅线、多条数据线和多个像素单元，均设置在所述基底上；所述多条栅线和多条数据线交叉设置，并限定出所述多个像素单元；所述多个像素单元中的每个均包括显示电极；其中，所述显示电极包括至少一个电极部；每个所述电极部包括主链电极和多条支链电极，且所述多条支链电极均与所述主链电极电连接；黑矩阵层，设置在所述像素单元背离所述基底的一侧；所述黑矩阵层包括多个开口部和遮光部；一个所述开口部在所述基底上的正投影覆盖一个所述显示电极的支链电极在所述基底上的正投影；所述遮光部在所述基底上的正投影覆盖所述栅线、所述数据线和所述主链电极在所述基底上的正投影。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述显示电极中的所述电极部的数量为多个，且相邻设置的所述电极部中的主链电极位于支链电极的不同侧。3.根据权利要求2所述的阵列基板，相邻设置的所述电极部中的主链电极通过连接电极电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述连接电极位于相邻设置的所述电极部之间，且与所述支链电极的延伸方向相同。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述连接电极的延伸方向与所述支链电极的延伸方向平行。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述连接电极与所述主链电极的夹角大于或等于90度。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述支链电极的延伸方向与栅线之间的夹角的范围为7度至20度。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元在所述基底上呈阵列排布，所述每个像素单元包括多个亚像素，每个像素单元中各个亚像素所对应的黑矩阵层的开口形状不同，相邻像素单元的各个亚像素所对应的黑矩阵的开口的形状均不相同，具有相同所述开口形状的像素单元间隔设置。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主链电极的宽度大于或等于2.3微米且小于或等于3微米，每个所述支链电极的宽度大于或等于1.3微米且小于或等于2.2微米。10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光部包括主体部和凸出部，所述一个凸出部在所述基底上的正投影覆盖所述一个所述主链电极在所述基底上的正投影，所述凸出部的宽度范围为13～25微米。11.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板包括：基底；多条栅线、多条数据线和多个像素单元，均设置在所述基底上；所述多条栅线和多条数据线交叉设置，并限定出所述多个像素单元；所述多个像素单元中...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓光，黄晓宇，胡杨，郭远辉，张维，石侠，陈创，韩杰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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