基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

一种基板处理装置和基板处理方法，在使基板旋转的同时，向基板供给处理液而对基板实施规定处理，能防止处理液向基板中央部的附着，同时使基板周边部的处理宽度均匀而进行处理。与基板（Ｗ）上表面对向配置其平面尺寸（Ｄ１）是大于或等于基板尺寸（Ｄ２）的大小的气体氛围遮断板（９）。在气体氛围遮断板周边部形成可插入喷嘴（６）的、在上下方向上贯通的贯通孔（９ｅ），通过用喷嘴驱动机构（６７）驱动喷嘴，能使喷嘴插入到贯通孔中，并定位在与基板上表面周边部（ＴＲ）相对向的对向位置（Ｐ１）和从气体氛围遮断板（９）离开的退避位置（Ｐ２）。从被定位在对向位置（Ｐ１）的喷嘴（６）向基板（Ｗ）上表面周边部（ＴＲ）供给处理液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及向半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子体显示用玻璃基板、光磁盘用基板等的各种基板供给处理液，对该基板实施清洗处理等处理的。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中，有时在半导体晶片等基板的表面和周端面(有时还有背面)的全部区域中形成铜薄膜等金属薄膜后，进行蚀刻去除该金属薄膜的不要部分的处理。例如，配线形成用的铜薄膜，由于可以形成在基板表面的器件形成区域，所以不要在基板表面的周边部、背面和周端面形成的铜薄膜。不仅如此，还会引起这样的问题，即，周边部、背面和周端面的铜或铜离子污染基板处理装置所具备的基板运送机械手的手部，进一步该污染向由该手部保持的其他基板转移。由于同样的理由，有时通过较薄地蚀刻在基板周边部形成的金属薄膜以外的膜(氧化膜或氮化膜)，进行去除该表面金属污染物的处理。作为能对基板周边部和周端面的薄膜选择性蚀刻等而进行处理的装置，例如有这样的基板处理装置，该基板处理装置具有水平保持基板并使之旋转的旋转卡盘、在该旋转卡盘的上方限制基板上表面的空间的遮断板、向基板下表面供给蚀刻液等处理液的喷嘴(参照专利文献1)。通过用该专利文献1记载的基板处理装置，向基板下表面供给的处理液，因离心力而从中心部向周边部，向基板下表面传播，蔓延到基板的周端面直至基板的上表面周边部。这时，遮断板接近基板上表面配置，向该遮断板和基板之间供给氮气等惰性气体。而且，通过适当调整该惰性气体的流量、基板的旋转速度和处理液的供给量，能选择性蚀刻处理基板的上表面周边部的规定宽度的区域。另外，蚀刻去除基板的上表面周边部的不要物，然后，对基板上下表面用纯水进行冲洗处理后，使旋转卡盘高速旋转，进行甩掉基板上下表面的水滴的干燥处理(旋转干燥处理)。专利文献1为日本专利申请特开2004-6672号公报(第6页～第8页及图1)。但是，在向基板下表面供给处理液并使处理液蔓延到上表面周边部的处理方式中，蚀刻液向基板上表面的蔓延量少，或者不能正确进行蔓延量的控制。因此，有蚀刻宽度精度不高，在基板的上表面周边部的各部蚀刻宽度不均匀这样的问题。因此，为了使基板的上表面周边部的蚀刻宽度均匀，考虑不使处理液从基板下表面蔓延到上表面周边部，而直接向基板上表面周边部供给处理液。这样，在直接向基板上表面周边部供给处理液时，能自由、高精度控制蚀刻宽度。但是，在这种情况下，由于为了向基板的上表面周边部供给处理液，而将供给处理液的喷嘴等与基板的上表面周边部相对向配置，所以必须使遮断板比基板的外形小。这样，若遮断板的外形比基板外形小，则基板上表面和遮断板之间的空间变小，产生如下问题来自外部的蚀刻液的气体氛围或飞散的雾状处理液侵入并腐蚀基板表面(上表面)中央部上形成的器件形成区域(非处理区域)。而且，由于在使纯水干燥时的旋转干燥处理中，不能充分管理基板的上表面周边部和遮断板之间的气体氛围，所以发生外部气体氛围的卷入。因此，在基板表面残留水迹等损伤，产生成为基板干燥不良的原因这种问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种在使基板旋转的同时向基板供给处理液而对该基板实施规定处理的，在防止处理液对基板中央部的附着的同时，使基板周边部的处理宽度均匀而进行处理。本专利技术的基板处理装置，是在使基板旋转的同时，向基板供给处理液而实施规定的处理的基板处理装置，为了达到上述目的，其特征是，具有保持基板的基板保持装置；使由基板保持装置所保持的基板旋转的旋转装置；向旋转的基板的上表面周边部供给处理液的喷嘴；遮断构件，其与基板的上表面相对向设置，同时在其周边部具有喷嘴可插入的、在上下方向上贯通的贯通孔；喷嘴驱动机构，其通过驱动喷嘴，使喷嘴定位在将喷嘴插入到贯通孔中而与基板的上表面周边部相对向的对向位置和从遮断构件离开的退避位置，从被定位在上述对向位置的上述喷嘴向上述基板的上表面周边部供给处理液。另外，本专利技术的基板处理方法，是在使基板旋转的同时，向基板供给处理液而实施规定的处理的基板处理方法，为了达到上述目的，具有与上述基板的上表面相对向配置遮断构件的工序，该遮断构件在其周边部具有在上下方向上贯通的贯通孔；通过驱动喷嘴，使喷嘴从离开遮断构件的退避位置插入到贯通孔中，并定位在与基板的上表面周边部相对向的对向位置的工序；从被定位于对向位置的喷嘴向旋转的基板的上表面周边部供给处理液的工序。在这样构成的专利技术中，由于遮断构件与上述基板上表面相对向配置，所以能可靠地将基板上表面从基板周围的外部气体氛围遮断。遮断构件由于在其周边部有在喷嘴可插入的、在上下方向上贯通的贯通孔，所以能将喷嘴插入到该贯通孔中，与基板上表面周边部相对向配置。因此，在使由基板保持装置保持的基板旋转的同时，从喷嘴供给处理液，从而能直接将处理液供给到基板上表面周边部的全周上。因而，通过遮断构件掩盖基板上表面，能防止向基板上表面中央部(非处理区域)附着处理液，同时使从基板直径方向上的周端面起的处理宽度均匀而进行处理。而且，通过改变贯通孔的位置构成遮断构件，能使从基板直径方向的周端面起的处理宽度自由，例如与使处理液从基板下表面蔓延到上表面周边部的情况相比较，也能使处理宽度变大。另外，由于喷嘴能插入到遮断构件的贯通孔中，在基板处理中不会因处理液飞散而在喷嘴附着大量的处理液。因此，能防止在喷嘴移动时处理液从喷嘴落下，附着在基板或基板周边构件上，造成坏的影响。其结果，喷嘴不需要清洗，能提高装置的生产率。这里，当还具有在喷嘴定位于退避位置的状态下从贯通孔喷出气体的气体喷出装置时，在喷嘴被定位在从遮断构件离开的退避位置时，由于通过气体喷出装置从贯通孔喷出气体，也不会使处理液进入到贯通孔，向着基板弹回处理液。因此，能抑制贯通孔引起的处理液的弹回，防止腐蚀基板的上表面中央部(非处理区域)。这里，若在喷嘴被定位在退避位置的状态下，旋转装置使遮断构件与基板一起旋转，则在甩掉附着在遮断构件上的处理液的同时，能防止在基板和遮断构件之间产生伴随着旋转的多余气流，能进行更良好的基板处理。另外，基板保持装置也可以具有围绕垂直轴旋转自如地设置的旋转构件；在旋转构件上朝向上方设置的、与基板的下表面接触并使该基板从旋转构件离开而支承该基板的至少3个或3个以上的支承构件；气体供给部，其通过从在遮断构件与基板上表面相对向的对向面上设置的气体喷出口向对向面和基板上表面之间形成的空间供给气体，从而将基板按压在支承构件上。若采用该构成，基板通过与其下表面接触的至少3个或3个以上的支承构件以离开的方式支承着，同时用从气体供给部向基板上表面供给的气体将基板按压在支承构件上，由旋转构件保持。而且，通过旋转装置使旋转构件旋转，通过在支承构件和基板之间产生的摩擦力将被按压在支承构件上的基板支承在支承构件上，同时和旋转构件一起旋转。这样，通过在旋转构件上保持基板，能不要与基板的外周端部接触并保持基板的保持构件(例如卡盘销等)，所以，因基板的旋转而沿着基板表面向着直径方向外侧的处理液不直接碰及保持构件并向基板表面弹回。另外，由于没有扰乱基板外周端部附近的气流的因素，能减轻雾状处理液向着基板表面侧的卷入。因此，能有效防止处理液向基板的上表面中央部的附着。这里，气体喷出装置也可以通过从设置于贯通孔的内壁的气体导入口向贯通孔内导入从气体供给部供给的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，在使基板旋转的同时，向上述基板供给处理液而实施规定的处理，其特征是，具有：保持上述基板的基板保持装置；使由上述基板保持装置所保持的基板旋转的旋转装置；向旋转的上述基板的上表面周边部供给上述处理液的喷嘴；遮断构件，其与上述基板的上表面相对向设置，同时在其周边部具有上述喷嘴可插入的、在上下方向上贯通的贯通孔；喷嘴驱动机构，其通过驱动上述喷嘴，使上述喷嘴定位在将上述喷嘴插入到上述贯通孔中而与上述基板的上表面周边部相对向的对向位置和从上述遮断构件离开的退避位置，从被定位在上述对向位置的上述喷嘴向上述基板的上表面周边部供给处理液。

【技术特征摘要】
JP 2004-7-30 2004-2234121.一种基板处理装置，在使基板旋转的同时，向上述基板供给处理液而实施规定的处理，其特征是，具有保持上述基板的基板保持装置；使由上述基板保持装置所保持的基板旋转的旋转装置；向旋转的上述基板的上表面周边部供给上述处理液的喷嘴；遮断构件，其与上述基板的上表面相对向设置，同时在其周边部具有上述喷嘴可插入的、在上下方向上贯通的贯通孔；喷嘴驱动机构，其通过驱动上述喷嘴，使上述喷嘴定位在将上述喷嘴插入到上述贯通孔中而与上述基板的上表面周边部相对向的对向位置和从上述遮断构件离开的退避位置，从被定位在上述对向位置的上述喷嘴向上述基板的上表面周边部供给处理液。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征是，还具有气体喷出装置，该气体喷出装置在上述喷嘴被定位于上述退避位置的状态下，从上述贯通孔喷出气体。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征是，在上述喷嘴被定位于上述退避位置的状态下，上述旋转装置使上述遮断构件和上述基板一起旋转。4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征是，上述基板保持装置具有围绕垂直轴旋转自如地设置的旋转构件；在上述旋转构件上朝向上方设置的、与上述基板的下表面接触并使该基板从上述旋转构件离开而支承该基板的至少3个或3个以上的支承构件；气体供给部，其通...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫胜彦，
申请(专利权)人：大日本网目版制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]