非易失性存储装置以及非易失性存储装置的数据写入方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供可以降低功耗，并防止非易失性存储元件毁损的非易失性存储装置及其数据写入方法。各存储单元（３００）包括非易失性存储元件（３１０）和字线开关ＷＬＳ，各字线连接排列在行方向Ｘ的存储单元（３００）的字线开关ＷＬＳ的栅电极，各位线连接排列在列方向Ｙ的存储单元（３００）的字线开关ＷＬＳ，各第一控制栅极线ＣＧ１１连接各存储单元块内的Ｍ个存储单元（３００）的非易失性存储元件（３１０）的控制栅电极，当对期望的存储单元（３００）进行数据写入时，将字线写入电压施加在与期望的存储单元（３００）对应的字线上，使存储单元（３００）的字线开关ＷＬＳ为ＯＮ，并且将位线写入电压施加在连接到存储单元（３００）的位线上，向配置在存储单元块中的第一控制栅极线ＣＧ１１施加控制栅极线写入电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在非易失性存储装置中，施加在非易失性存储元件的干扰电压的对策之一是字线和位线的层次化(参考专利文献1特开平8-222649号公报)。例如，在位线由主位线和副位线组成的非易失性存储装置中，主位线与多条副位线连接，通过控制设置在各条副位线的选择开关，提供给主位线的电压被提供给与期望的存储晶体管连接的副位线。这样，电压不会提供给没有连接期望的存储晶体管的副位线，因此，具有抑制干扰电压的效果。但是，除了期望的存储晶体管之外还向存储晶体管的控制栅施加无用的电压，功耗大。
技术实现思路
鉴于上述的技术问题，本专利技术的目的在于，提供一种降低功耗和非易失性存储元件的毁损的。本专利技术涉及一种非易失性存储装置，其特征在于，包括多个存储单元块，其在行方向上排列N(N为大于等于2的整数)个、在列方向上排列L(L为大于等于2的整数)个，各个存储单元块具有M(M为大于等于2的整数)个存储单元；多条字线；多条第一控制栅极线；以及多条位线；所述多个存储单元的每个包括非易失性存储元件、字线开关，所述非易失性存储元件的一端与所述字线开关的一端连接；所述多条字线的每条，共同连接所述多个存储单元中的排列在行方向上的N个存储单元块中的存储单元的所述字线开关的栅电极；所述多条位线的每条，共同连接所述多个存储单元中的排列在列方向上的L个存储单元的所述字线开关的另一端；所述多条第一控制栅极线的每条配置在各个存储单元块中，以便共同连接各个存储单元块内的所述M个存储单元的所述非易失性存储元件的控制栅电极；在被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入的时候，向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的字线施加字线写入电压，使所述被选择的存储单元块的存储单元的所述字线开关成为ON；向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的位线施加位线写入电压；向配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线施加控制栅极线写入电压。根据本专利技术，可以向配置在被选择的存储单元块中的第一控制栅极线施加控制栅极线写入电压，而不会向配置在除了被选择的存储单元块之外的存储单元块中的第一控制栅极线施加控制栅极线写入电压。因此，可以降低数据写入时的功耗。另外，本专利技术还涉及一种非易失性存储装置，其特征在于，包括Y译码器，其输出多个位线选择信号；M×N个位线开关，通过所述多个位线选择信号的每个被ON/OFF控制，在行方向上排列的N个存储单元块的每个连接有M条位线，与所述M条位线对应的M个位线开关的每个的一端连接在所述M条位线的每个，另一端连接在M条数据总线的各条信号线，在所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入的时候，向所述数据总线的各条信号线提供所述位线写入电压或位线非选择电压，所述Y译码器将所述位线选择信号设置为激活，使连接在对应于所述被选择的存储单元块的所述M条位线的位线开关成为ON，所述位线选择信号用于控制与连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的位线连接的位线开关，通过将施加在所述数据总线的各条信号线的电压提供给对应于所述被选择的存储单元块的所述M条位线的每条，向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的位线施加所述位线写入电压或所述位线非选择电压。根据本专利技术，可以向对应于被选择的存储单元块的位线施加位线写入电压，而不会向对应于除了被选择的存储单元块之外的存储单元块的位线施加位线写入电压。因此，在数据写入时，可以防止除了被选择的存储单元块之外的存储单元块的存储单元的毁损。另外，本专利技术还涉及一种非易失性存储装置，其特征在于，包括多条第二控制栅极线，配置在所述多个存储单元块的每个的第一控制栅极线的一端连接在第一控制栅极开关的一端，所述多条第二控制栅极线的每条，将连接在排列在列方向上的L个存储单元块的每个的所述第一控制栅极开关的另一端共同连接，所述第一控制栅极开关的ON/OFF由字线控制，在所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入的时候，向第二控制栅极线施加所述控制栅极线写入电压，所述第二控制栅极线与所述第一控制栅极开关连接，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，在所述多条第二控制栅极线中，向未与所述第一控制栅极开关连接的第二控制栅极线施加控制栅极线非选择电压，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，向连接在所述被选择的存储单元块的字线施加所述字线写入电压，使所述第一控制栅极开关成为ON，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，向配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线提供所述控制栅极线写入电压。根据本专利技术，可以向第二控制栅极线施加控制栅极线写入电压，该第二控制栅极线与配置在被选择的存储单元块中的第一控制栅极开关连接，而向其它第二控制栅极线施加控制栅极线非选择电压，因此，可以不向配置在与被选择的存储单元块不同的列中的存储单元块的第一控制栅极线提供控制栅极线写入电压。因此，可以降低数据写入时的功耗。另外，本专利技术还涉及一种非易失性存储装置，其特征在于，基于所述位线选择信号，向所述多条第二控制栅极线的每条提供所述控制栅极写入电压，在所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入的时候，基于被设置为激活的所述位线选择信号，向第二控制栅极线施加所述控制栅极线写入电压，所述第二控制栅极线与所述第一控制栅极开关连接，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，在所述多个第二控制栅极线中，基于被设置为未激活的所述位线选择信号，向未与所述第一控制栅极开关连接的第二控制栅极线施加控制栅极线非选择电压，所述第一控制栅极开关对应于所述被选择的存储单元块。根据本专利技术，基于被设置为未激活的位线选择信号，向第二控制栅极线施加控制栅极线写入电压或控制栅极线非选择电压。另外，本专利技术还涉及一种非易失性存储装置，其特征在于，在所述多条第一控制栅极线的每条上连接由字线ON/OFF控制的第二控制栅极开关的一端，所述第二控制栅极开关的另一端被接地，在所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入的时候，所述第二控制栅极开关被设置为OFF，所述第二控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，在所述多条字线中，向未连接配置在所述被选择的存储单元块的字线施加字线非选择电压，所述第二控制栅极开关被设置为ON，所述第二控制栅极开关与配置在存储单元块中的第一控制栅极线连接，所述存储单元块与施加了所述字线非选择电压的字线连接，在所述多个存储单元块中，配置在与所述被选择的存储单元块的行不同的行的存储单元块内的第一控制栅极线被接地。根据本专利技术，在被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入的时候，配置在与被选择的存储单元块的行不同的行的存储单元块内的第一控制栅极线被接地。因此，可以防止配置在与被选择的存储单元块的行不同的行的存储单元块中的存储单元的毁损。另外，本专利技术涉及一种非易失性存储装置的数据写入方法，所述非易失性存储装置包括多个存储单元块，其在行方向上排列N(N为大于等于2的整数)个、在列方向上排列L(L为大于等于2的整数)个，各个存储单元块具有M(M为大于等于2的整数)个存储单元；多条字线，其共同连接非易失性存储元件的一端与字线开关的一端连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：多个存储单元块，其中，Ｎ个存储单元块设置在行方向上，Ｌ个存储单元块设置在列方向上，每个存储单元块均具有Ｍ个存储单元，其中，Ｎ为大于等于２的整数，Ｌ为大于等于２的整数，Ｍ为大于等于２的整数； 多条字线；多条第一控制栅极线；以及多条位线；其中，所述多个存储单元的每个均包括非易失性存储元件、字线开关，所述非易失性存储元件的一端与所述字线开关的一端连接；其中，所述多条字线的每条，共同连接所述多个存储 单元中的排列在行方向上的Ｎ个存储单元块中的存储单元的所述字线开关的栅电极；其中，所述多条位线的每条，共同连接所述多个存储单元中的排列在列方向上的Ｌ个存储单元的所述字线开关的另一端；其中，所述多条第一控制栅极线的每条均配置在各 个存储单元块中，以便共同连接各个存储单元块内的所述Ｍ个存储单元的所述非易失性存储元件的控制栅电极；其中，当被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入时，向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的字线施加字线写入电压，使所述被 选择的存储单元块的存储单元的所述字线开关成为ＯＮ；向连接至所述被选择的存储单元块的存储单元的位线施加位线写入电压；以及向配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线施加控制栅极线写入电压。...

【技术特征摘要】
JP 2004-7-30 2004-2241301.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括多个存储单元块，其中，N个存储单元块设置在行方向上，L个存储单元块设置在列方向上，每个存储单元块均具有M个存储单元，其中，N为大于等于2的整数，L为大于等于2的整数，M为大于等于2的整数；多条字线；多条第一控制栅极线；以及多条位线；其中，所述多个存储单元的每个均包括非易失性存储元件、字线开关，所述非易失性存储元件的一端与所述字线开关的一端连接；其中，所述多条字线的每条，共同连接所述多个存储单元中的排列在行方向上的N个存储单元块中的存储单元的所述字线开关的栅电极；其中，所述多条位线的每条，共同连接所述多个存储单元中的排列在列方向上的L个存储单元的所述字线开关的另一端；其中，所述多条第一控制栅极线的每条均配置在各个存储单元块中，以便共同连接各个存储单元块内的所述M个存储单元的所述非易失性存储元件的控制栅电极；其中，当被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入时，向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的字线施加字线写入电压，使所述被选择的存储单元块的存储单元的所述字线开关成为ON；向连接至所述被选择的存储单元块的存储单元的位线施加位线写入电压；以及向配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线施加控制栅极线写入电压。2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，包括Y译码器，其输出多个位线选择信号；以及M×N个位线开关，通过所述多个位线选择信号的每个被ON/OFF控制，其中，在行方向上排列的N个存储单元块的每个连接有M条位线，其中，与所述M条位线对应的M个位线开关的每个的一端连接在所述M条位线的每个，另一端连接在M条数据总线的各条信号线，其中，当所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入时，向所述数据总线的各条信号线提供所述位线写入电压或位线非选择电压，所述Y译码器将所述位线选择信号设置为激活，使连接在对应于所述被选择的存储单元块的所述M条位线的位线开关成为ON，所述位线选择信号用于控制与连接至所述被选择的存储单元块的存储单元的位线连接的位线开关，通过将施加在所述数据总线的各条信号线的电压提供给对应于所述被选择的存储单元块的所述M条位线的每条，向连接在所述被选择的存储单元块的存储单元的位线施加所述位线写入电压或所述位线非选择电压。3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，包括多条第二控制栅极线，其中，配置在所述多个存储单元块的每个的第一控制栅极线的一端连接至第一控制栅极开关的一端，其中，所述多条第二控制栅极线的每条，将连接在排列在列方向上的L个存储单元块的每个的所述第一控制栅极开关的另一端共同连接，所述第一控制栅极开关的ON/OFF由字线控制，以及其中，当所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入时，向第二控制栅极线施加所述控制栅极线写入电压，所述第二控制栅极线与所述第一控制栅极开关连接，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，在所述多条第二控制栅极线中，向未与所述第一控制栅极开关连接的第二控制栅极线施加控制栅极线非选择电压，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，向连接在所述被选择的存储单元块的字线施加所述字线写入电压，使所述第一控制栅极开关成为ON，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，向配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线提供所述控制栅极线写入电压。4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其特征在于，基于所述位线选择信号，向所述多条第二控制栅极线的每条提供所述控制栅极写入电压，其中，当所述被选择的存储单元块的存储单元中进行数据写入时，基于被设置为激活的所述位线选择信号，向第二控制栅极线施加所述控制栅极线写入电压，所述第二控制栅极线与所述第一控制栅极开关连接，所述第一控制栅极开关与配置在所述被选择的存储单元块中的第一控制栅极线连接，以及在所述多个第二控制栅极线中，基于被设置为未激活的所述位线选择信号，向未与所述第一控制栅极开关连接的第二控制栅极线施加控制栅极线非选择电压，所述第一控制栅极开关对应于所述被选择的存储单元块。5.根据权利要求1至4所述的非易失性存储装置，其特征在于，在所述多条第一控制栅极线的每条上连接由字线ON/OFF控制的第二控制栅极开关的一端，所述第二控制栅极开关的另一端被接地，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：小平觉，小林等，前村公博，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]