封装芯片的测试方法、系统、计算机设备和存储介质技术方案

本申请涉及一种封装芯片的测试方法、系统、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取目标芯片；在崩应后测试过程中，测试所述目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间；比较各个所述存储单元的所述第一数据保持时间和预设参考时间；若所述第一数据保持时间均不小于预设参考时间，则判定所述目标芯片为合格芯片。本申请通过在崩应后测试过程中测试目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间，在第一数据保持时间均不小于预设参考时间时，判定所述目标芯片为合格芯片，继续进行后续的测试，在崩应测试过程中即可筛选出符合要求的产品，与现有技术相比，降低了测试成本，提高了测试效率。效率。效率。

【技术实现步骤摘要】
封装芯片的测试方法、系统、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及集成电路老化测试领域，特别是涉及一种封装芯片的测试方法、测试系统、一种计算机设备及一种计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]包括芯片在内的电子产品生产出来后在出厂之前需要进行崩应测试即老化测试(BI：Burn In)，以筛选出在正常使用过程中会早期失效的电子产品，避免把这些会早期失效的电子产品交付给客户。因此，崩应测试是电子产品在出厂之前的一个必不可少的处理。
[0003]崩应测试之后进行成品测试，筛选出不合格的产品，对于存储芯片来说，经过崩应测试，存储芯片的数据保持时间会出现一定程度的劣化，在成品测试中还需要加入测试存储芯片的数据保持时间的步骤，存储芯片的数据保持时间符合规格判定为合格产品，否则判定为次级产品或失效产品。次级产品或失效产品在经过层层测试后，在成品测试时才被筛选出来，不利于产品良率的提高和生产成本的降低。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种封装芯片的测试方法，测试系统、计算机设备及计算机可读存储介质。
[0005]一种封装芯片的测试方法，包括：
[0006]获取目标芯片；
[0007]在崩应后测试过程中，测试所述目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间；
[0008]比较各个所述存储单元的所述第一数据保持时间和预设参考时间；
[0009]若所述第一数据保持时间均不小于预设参考时间，则判定所述目标芯片为合格芯片。
[0010]在其中一个实施例中，获取目标芯片之后还包括：
[0011]在崩应前测试过程中，测试所述目标芯片上各个存储单元的第二数据保持时间；
[0012]测试所述目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间之后还包括：
[0013]根据所述第一数据保持时间、第二数据保持时间，获取所述存储单元的数据保持时间的劣化情况。
[0014]在其中一个实施例中，所述方法还包括：
[0015]若所述第一数据保持时间小于所述预设参考时间，则判定所述存储单元为异常存储单元；
[0016]对所述异常存储单元进行修复；
[0017]测试所述异常存储单元的第三数据保持时间；
[0018]若所述第三数据保持时间小于所述预设参考时间，则判定所述目标芯片为失效芯片。
[0019]在其中一个实施例中，所述若所述第一数据保持时间小于所述预设参考时间，则
判定所述存储单元为异常存储单元的步骤包括：
[0020]若所述第一数据保持时间小于预设修复时间，则判定所述目标芯片为失效芯片；
[0021]其中，所述预设修复时间小于所述预设参考时间。
[0022]在其中一个实施例中，所述对所述异常存储单元进行修复的步骤包括：
[0023]当目标芯片具有闲置的冗余存储单元，且所述闲置的冗余存储单元的数量不小于所述异常存储单元的数量时，使用冗余存储单元替换所述异常存储单元，其中，所述异常存储单元和所述冗余存储单元一一对应；
[0024]通过所述冗余存储单元的熔丝调整所述第三数据保持时间。
[0025]上述封装芯片的测试方法，包括获取目标芯片；在崩应后测试过程中，测试所述目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间；比较各个所述存储单元的所述第一数据保持时间和预设参考时间；若所述第一数据保持时间均不小于预设参考时间，则判定所述目标芯片为合格芯片。本申请通过在崩应后测试过程中测试目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间，在第一数据保持时间均不小于预设参考时间时，判定所述目标芯片为合格芯片，继续进行后续的测试；本申请在崩应测试过程中即可筛选出符合要求的产品，与现有技术相比，降低了测试成本，提高了测试效率。
[0026]一种封装芯片的测试系统，用于测试目标芯片，所述系统包括：
[0027]测试模块，用于测试所述目标芯片上各个存储单元的数据保持时间；
[0028]控制模块，与所述测试模块连接，用于在崩应后测试过程中，控制所述测试模块对各个所述存储单元的数据保持时间进行测试，得到第一数据保持时间；
[0029]设置模块，用于设置所述存储单元的预设参考时间；
[0030]计算模块，分别与所述测试模块、所述设置模块和所述控制模块连接，用于比较各个所述存储单元的所述第一数据保持时间和所述预设参考时间，并将比较结果发送给所述控制模块，所述控制模块用于在所述第一数据保持时间均不小于所述预设参考时间时，判定所述目标芯片为合格芯片。
[0031]在其中一个实施例中，所述控制模块还用于在崩应前测试过程中，控制所述测试模块对各个所述存储单元的数据保持时间进行测试，得到第二数据保持时间；
[0032]所述计算模块还用于比较所述第一数据保持时间和所述第二数据保持时间，并将比较结果发送给所述控制模块，所述控制模块用于根据所述比较结果获取所述存储单元的数据保持时间的劣化情况。
[0033]在其中一个实施例中，所述设置模块还用于设置所述存储单元的预设修复时间；
[0034]所述比较模块还用于比较所述第一数据保持时间和所述预设修复时间，并将比较结果发送给所述控制模块，所述控制模块还用于在所述第一数据保持时间小于所述预设修复时间时，判定所述目标芯片为失效芯片；
[0035]其中，所述预设修复时间小于所述预设参考时间。
[0036]一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的测试方法的步骤。
[0037]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
[0038]上述封装芯片的测试系统、计算机设备及计算机可读存储介质，通过在崩应后测
试过程中测试目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间，在第一数据保持时间均不小于预设参考时间时，判定所述目标芯片为合格芯片，继续进行后续的测试；本申请在崩应测试过程中即可筛选出符合要求的产品，与现有技术相比，降低了测试成本，提高了测试效率。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1为示例性的对目标芯片崩应测试的温度曲线图；
[0041]图2为一个实施例中封装芯片的测试方法的流程示意图；
[0042]图3为另一个实施例中封装芯片的测试方法的流程示意图；
[0043]图4为一个实施例中对所述异常存储单元进行修复的步骤的流程示意图；
[0044]图5为一个实施例中封装芯片的测试系统的结构框图。
具体实施方式
[0045]为了便于理解本申请，下面将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装芯片的测试方法，其特征在于，包括：获取目标芯片；在崩应后测试过程中，测试所述目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间；比较各个所述存储单元的所述第一数据保持时间和预设参考时间；若所述第一数据保持时间均不小于预设参考时间，则判定所述目标芯片为合格芯片。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述获取目标芯片之后还包括：在崩应前测试过程中，测试所述目标芯片上各个存储单元的第二数据保持时间；所述测试所述目标芯片上各个存储单元的第一数据保持时间之后还包括：根据所述第一数据保持时间、第二数据保持时间，获取所述存储单元的数据保持时间的劣化情况。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述第一数据保持时间小于所述预设参考时间，则判定所述存储单元为异常存储单元；对所述异常存储单元进行修复；测试所述异常存储单元的第三数据保持时间；若所述第三数据保持时间小于所述预设参考时间，则判定所述目标芯片为失效芯片。4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述若所述第一数据保持时间小于所述预设参考时间，则判定所述存储单元为异常存储单元的步骤包括：若所述第一数据保持时间小于预设修复时间，则判定所述目标芯片为失效芯片；其中，所述预设修复时间小于所述预设参考时间。5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述对所述异常存储单元进行修复的步骤包括：当目标芯片具有闲置的冗余存储单元，且所述闲置的冗余存储单元的数量不小于所述异常存储单元的数量时，使用冗余存储单元替换所述异常存储单元，其中，所述异常存储单元和所述冗余存储单元一一对应；通过所述冗余存储单元的熔丝调整所述第三数据保持时间。6.一种封装芯片的测试系统，其特征在于，用于测试目标芯片，所述系统包...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：