【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电材料
具体涉及封端的三芳基胺和咔唑类材料及其简单封端处理方法,并涉及该类材料在有机电致发光、有机场效应管、有机太阳能电池、非线性光学、生物传感和激光等领域的应用。
技术介绍
自1987年美国柯达公司Tang研究小组[Tang,C.W.;Van Slyke,S.A.Appl. Phys.Lett.1987,51,913.]和1990年英国剑桥大学[Burroughes,J.H.;Bradley,D.D.C.;Brown,A.B.;Marks,R.N.;Mackay,K.;Friend,R.H.;Bum,P.L.;Holmes,A.B.Nature 1990,347,539.]分别发表了以有机和聚合物荧光材料制成薄膜型有机电致发光器件(Organic Light-emittingDiodes)和聚合物发光二极管(Polymeric Light-emitting Diodes)以来,有机平板显示成为继液晶显示之后的又一代市场化的显示产品。与此同时其他有机电子和光电子产业,包括有机场效应管、有机太阳能电池、非线性光学、生物传感和激光等领域以及非线性光学材料也正走向市场化。有机和塑料电子产品的优点在于材料制备成本低、工艺简单、具有通用高分子的柔韧性和可塑性。因此,开发具有实用性的市场潜力新型有机光电信息材料吸引了许多国内外大学不同学科的科学家以及研究机构和公司的关注和投入。到目前为止,开发新型高度稳定的载流子传输材料和发光材料成为提高有机电子、电光以及光电器件效率和寿命关键因素。到目前为止,含9-芳基-芴基的有机光电材料表现出良好的光学和 ...
【技术保护点】
一类封端处理的三芳基胺和咔唑类化合物材料,其特征在于含有如下结构片断Ⅰ的材料:***Ⅰ式中的符号和标号具有下述含义:-*为三芳基胺和咔唑类母体材料与封端结构之间连接的位置;R↓[1]、R↓[2]、R↓[3 ]、R↓[4];R↓[5]、R↓[6]、R↓[7]、R↓[8]出现时相同或者不同,并为氢;卤素;或者为具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者具有受阻胺结构链,其中一个或者多个不相邻的碳原子可被-NR↓[19]-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CO-NR↓[19]-、-NR↓[19]-CO-NR↓[19]-、-O-CO-S-、-NR↓[19]-CO-O-、-CS-O-、-CS-NR↓[19]-、-O-CS-O-、-NR↓[19]-CS-NR↓[20]-、-O-CS-S-、-NR↓[19]-CS-O-、-CS-S-、-SiR↓[19]R↓[20]-置换,或者其中一个或者多个氢原子被氟或氰基取代;或者为具有2至40个碳原子的烯基链、炔基链、芳基链,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、Se ...
【技术特征摘要】
1.一类封端处理的三芳基胺和咔唑类化合物材料,其特征在于含有如下结构片断I的材料 式中的符号和标号具有下述含义-*为三芳基胺和咔唑类母体材料与封端结构之间连接的位置;R1、R2、R3、R4;R5、R6、R7、R8出现时相同或者不同,并为氢;卤素;或者为具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者具有受阻胺结构链,其中一个或者多个不相邻的碳原子可被-NR19-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CO-NR19-、-NR19-CO-NR19-、-O-CO-S-、-NR19-CO-O-、-CS-O-、-CS-NR19-、-O-CS-O-、-NR19-CS-NR20-、-O-CS-S-、-NR19-CS-O-、-CS-S-、-SiR19R20-置换,或者其中一个或者多个氢原子被氟或氰基取代;或者为具有2至40个碳原子的烯基链、炔基链、芳基链,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、Se、O、S、N、S(O)2所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;R19、R20出现时相同或者不同,并为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者具有受阻胺结构链以及烷氧基链;Ar1、Ar2出现时相同或者不同,并为具有2至40个碳原子的芳基,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、Se、O、S、N、S(O)2所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;其中芳基结构具体为如下结构中的一种 式中的符号和标号具有下述含义-*为螺环内的Ar1、Ar2以及螺中心碳之间连接的可能位置;D1、D2、D3出现时相同或者不同,并为CR19R20、NR19、-O-、-S-、-Se-、-S(O)2-、或-Si R19R20-;E1、E2、E3、E4、E5、E6出现时相同或者不同,并为CR19、N、SiR19;Ar3、EG1、EG2出现时相同或者不同,并为可形成单化学键的基团,包括氢、卤素、氰基、以及共轭基团;其中共轭基团结构单元,具有2至40个碳原子的烯基、炔基、芳基,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、Se、O、S、N、S(O)2所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;具体为如下结构中的一种 式中的符号和标号具有下述含义-*为结构单元之间EG1、EG2与Ar1、Ar2连接的位置区域或者为Ar3与螺原子的连接位置;大于一个的-*代表可以任意选择其中的一个-*作为其之间的连接;D1、D2、D3出现时相同或者不同,并为CR19R20、NR19、-O-、-S-、-Se-、-S(O)2-、或-Si R19R20-;E1、E2、E3、E4、E5、E6出现时相同或者不同,并为CR19、N、SiR19;AC1、AC2、AC3、AC4出现时相同或者不同,并为苯基、茚基、萘基、薁基、芴基、菲基、蒽基、芘基、萘嵌苯基、噻吩基、吡咯基、呋喃基、咪唑基、噻唑、吡啶基、吡嗪基、吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并咪唑基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、咔唑基、邻二氮杂菲基;或为其结构的烷基、氟取代、氧化衍生物。Ar4出现时相同或者不同,并为苯基、噻吩基、3,4-乙基二氧噻吩;n出现时相同或者不同,并独立为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、或10。2.根据权利要求1所述的化合物材料,其特征在于封端剂化合物具有如下结构中的一种 化合物II式中的符号和标号具有下述含义R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、Ar1、Ar2、Ar3、EG1、EG2、n出现时同上所述;T为羟基或是卤素。3.根据权利要求2所述的化合物材料,其特征在于所述含有结构片断I的材料和所述封端剂中,当Ar1、Ar2出现时相同或者不同,并选自如下结构中的一种4.根据权利要求2所述的化合物材料,其特征在于所述含结构片断I化合物材料和所述的封端剂中,EG1、EG2出现时相同或者不同,并选如下结构中的一种5.根据权利要求1所述的化合物材料,其特征在于当含结构片断I化合物材料含有一个或多个结构片断I,且n为1,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8为氢,Ar4为苯基结构时,含结构片断I化合物材料含有如下结构中的任意一种6.根据权利要求1所述的化合物材料,其特征在于当n为1,R1、R2、R2、R4;R5、R6、R7、R8、EG1、EG2为氢时,Ar4为苯基结构时,含结构片断I咔唑类化合物材料为如下结构中的任意一种 式中的符号和标号具有下述含义Ar1、Ar2、Ar3出现时同上所述;R9、R10、R11出现时相同或者不同,并为具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者具有受阻胺结构链,其中一个或者多个不相邻的碳原子可被-NR19-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CO-NR19-、-NR19-CO-NR19-、-O-CO-S-、-NR19-CO-O-、-CS-O-、-CS-NR19-、-O-CS-O-、-NR19-CS-NR20-、-O-CS-S-、-NR19-CS-O-、-CS-S-、-SiR19R20-置换,或者其中一个或者多个氢原子被氟或氰基取代;R12出现时相同或者不同,并为氢;卤素;或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者具有受阻胺结构链,其中一个或者多个不相邻的碳原子可被-NR19-、-O-、-S-、-CO-O-、-O-CO-O-、-CO-NR19-、-NR19-CO-NR19-、-O-CO-S-、-NR19-CO-O-、-CS-O-、-CS-NR19-、-O-CS-O-、-NR19-CS-NR20-、-O-CS-S-、-NR19-CS-O-、-CS-S-、-SiR19R20-置换,或者其中一个或者多个氢原子被氟或氰基取代;或具有2至40个碳原子的烯基链、炔基链、芳基链,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、Se、O、S、N、S(O)2所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;R19、R20出现时相同或者不同,并为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或者具有受阻胺结构链以及烷氧基链;Ar5出现时相同或者不同,并为具有2至40个碳原子的芳基,其中一个或多个碳原子可以被杂原子Si、Se、O、S、N、S(O)2所取代,一个或多个碳原子上的氢可被氟或氰基取代;其中芳基结构具体为如下结构中的一种 式中的符号...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄维,解令海,侯晓雅,范曲立,华育然,
申请(专利权)人:复旦大学,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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