【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微电子制造业中的刻蚀工艺，尤其是一种等离子刻蚀用内聚焦环。
技术介绍
在等离子刻蚀中，为提高刻蚀的均一性，通常会在载片台周边安装一个内聚焦环。请参阅图6所示，载片台1具有突出部11，其上具有需要进行等离子刻蚀工艺的硅片2，突出部11四周设置有内聚焦环3，内聚焦环3呈阶梯形构造，具有底边31及内侧边32，底边31与内侧边32形成直角。硅片2部分承接于上述内聚焦环3的底边31上，而与内侧边32具有一定的距离。在硅片2刻蚀时会产生大量的生成物，这些生成物一部分被真空泵抽走，一部分会淀积在内聚焦环表面，特别在内聚焦环3内侧的直角处更容易淀积大量的生成物，形成淀积层4。同时由于在刻蚀时会产生大的热量，导致腔体内温度包括载片台1和内聚焦环3的温度会发生较大的变化。当淀积层4达到一定厚度之后随着温度的变化，淀积层4发生脱落的可能性增大，若脱落物掉在载片台1表面，作业时就会发生硅片2背面冷却用氦气压力控制异常的报警。从而影响硅片2的正常刻蚀程序。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种等离子刻蚀用内聚焦环，其能够防止该等离子刻蚀用内聚焦环上的淀积物非正常脱落，影响刻蚀的正常进行。为完成以上技术问题，本专利技术采用以下技术方案，一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于夹角为非直角。本专利技术也可以采用以下技术方案，一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于在夹角处设置有淀积槽。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是由于在内聚焦环的夹角...
【技术保护点】
一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于：夹角为非直角。
【技术特征摘要】
1.一种等离子刻蚀用内聚焦环，设置于载片台的四周，包括底边及侧边，底边及内侧边形成一夹角，其特征在于夹角为非直角。2.如权利要求1所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于所述夹角为钝角。3.如权利要求2所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于所述夹角为130度。4.如权利要求1所述的等离子刻蚀用内聚焦环，其特征在于所述夹角为锐角。5.如权利要求4...
【专利技术属性】
技术研发人员：王健，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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