有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约２０至３５℃的温度沉积ＩＴＯ层；蚀刻ＩＴＯ层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法，且特别地涉及一种。
技术介绍
包括有机半导体的电场效应晶体管已经积极地作为用于下一代显示装置的驱动器件来研究。有机半导体可以分为诸如低聚噻吩、并五苯、苯二甲蓝染料、以及C6O的低分子化合物；以及诸如聚噻吩和聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)的高分子化合物。低分子化合物半导体具有范围在约0.05至1.5msV的高迁移率和出色的开/关电流比。然而，就为了避免由有机溶剂导致的溶剂致平面内膨胀而需要通过使用圆点掩模(shadow mask)和真空沉积形成低分子半导体图案而言，用于制造包括低分子半导体化合物的有机薄膜晶体管(TFT)的传统工艺非常复杂。另外，有机半导体易于通过后续工艺步骤而改变其特性或受损，由此降低了有机TFT的特性。因此，有机半导体不得不在形成用于向有机TFT传输信号的信号线之后形成。信号线的材料要考虑与有机半导体的接触来确定。这种材料的示例包括金(Au)、钼(Mo)、镍(Ni)及其合金。尽管金具有低电阻率且表现出与有机半导体的稳定接触，但其与绝缘体的接触特性差。另外，尽管Mo和Ni具有较大功函数，其易于在其表面形成氧化物，这降低了TFT的电流特性。目前，提出将氧化铟锡(ITO)作为用于有机TFT的信号线的材料，其没有表面氧化且表现出与有机半导体良好的接触。然而，ITO与绝缘体接触差，特别是与有机绝缘体，因此尤其在大型显示装置中难以采用ITO信号线。
技术实现思路
提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约20至35℃的温度沉积ITO层；蚀刻ITO层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。沉积ITO层可以包括在20至35℃的温度溅镀ITO层从而形成溅镀的ITO层。溅镀的ITO层可以包括非晶ITO层且可以具有基本均匀的薄膜质量。栅绝缘层可以包括有机绝缘体。该方法还可以包括退火数据线和漏极电极。退火可以在高于约180℃的温度执行1至3个小时。退火后的数据线和退火后的漏极电极可以包括准晶体(quasi-crystalline)ITO。蚀刻ITO层可以包括优选以Cr蚀刻剂湿法蚀刻ITO层，该Cr蚀刻剂可以包括HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O。蚀刻剂中HNO3、(NH4)2Ce(NO3)6、以及H2O的比例分别可以等于约3-6w％、约8-14w％、以及约80-90w％的重量百分比。该方法还可以包括在有机半导体、数据线、以及漏极电极上形成钝化层，钝化层具有暴露至少部分漏极电极的接触孔；以及在钝化层上形成像素电极，像素电极通过接触孔连接于漏极电极。提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括形成在基板上的栅极线；形成在栅极线上的有机绝缘层；形成在有机绝缘层上并包括ITO层的数据线和漏极电极；形成在数据线、漏极电极、以及有机绝缘层上的有机半导体；形成在有机半导体上的钝化层；以及连接于漏极电极的像素电极。ITO层可以处于从ITO层的底至顶基本均匀分布的准晶体相。ITO层可以具有倾斜的边缘轮廓。有机半导体可以包括并五苯(pentacene)。附图说明通过参照附图详细介绍本专利技术的实施例将使本专利技术变得更加明显易懂，附图中图1为根据本专利技术实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；图2为沿线II-II’截取的图1所示的TFT阵列面板的截面图； 图3、5、8、10和12为根据本专利技术实施例的制造方法的中间步骤中图1和2所示TFT阵列面板的布局图；图4为沿线IV-IV’截取的图3所示的TFT阵列面板的截面图；图6为沿线VI-VI’截取的图5所示的TFT阵列面板的截面图；图7为示出使用Cr蚀刻剂蚀刻ITO层之后各层截面的照片；图9为沿线IX-IX’截取的图8所示的TFT阵列面板的截面图；图11为沿线XI-XI’截取的图10所示的TFT阵列面板的截面图；以及图13为沿线XIII-XIII’截取的图12所示的TFT阵列面板的截面图。具体实施例方式以下，将参照附图更加全面地介绍本专利技术，附图中示出了本专利技术的优选实施例。然而，本专利技术可以通过多种不同形式实施且不应限制于在此提出的实施例。附图中，为清晰起见放大了层的厚度和区域。相同的附图标记始终表示相同的元件。应理解，在称诸如层、区域或基板的元件在另一元件“上”时，其可以直接在该另一元件上或存在中间的元件。相反，在称一元件“直接”在另一元件“上”时，则没有中间的元件存在。根据本专利技术实施例的TFT阵列面板将参照图1和2介绍。图1为根据本专利技术实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图，而图2为沿线II-II’截取的图1所示的TFT阵列面板的截面图。在诸如透明玻璃、硅树脂或塑料的绝缘基板110上形成多根栅极线121。栅极线121传输栅极信号并基本沿横向方向延伸。每根栅极线121包括向上突出的多个栅极电极124和用于与另一层或外部驱动电路接触的具有大的面积的端部129。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在可连接到基板110的柔性印刷电路(FPC)膜上、直接安装在基板110上、或者集成在基板110上。栅极线121可以延伸而与集成在基板110上的驱动电路连接。栅极线121优选由诸如Al和Al合金的含Al金属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属、诸如Au和Au合金的含Au金属、诸如Cu和Cu合金的含Cu金属、诸如Mo和Mo合金的含Mo金属、Cr、Ti或Ta形成。然而，其可以具有包括物理特性不同的两导电膜(未示出)的多层结构。两膜中之一优选由包括含Al金属、含Ag金属、以及含Cu金属的低电阻率金属制成，用以降低信号延迟或电压降。另一膜优选由诸如含Mo金属、Cr、Ta或Ti的材料制成，其具有与诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其它材料良好的物理、化学和电接触特性。两膜的较好组合示例为下Cr膜和上Al(合金)膜、以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。然而，栅极线121可以由各种材料或导体制成。栅极线121的侧面相对于基板表面倾斜，且其倾斜角度范围为约30至80度。栅绝缘层140形成在栅极线121上。栅绝缘层140优选由无机绝缘体或有机绝缘体制成。无机绝缘体的示例包括可具有用十八烷基三氯硅烷(OTS)处理过的表面的氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)。有机绝缘体的示例包括马来酰亚胺苯乙烯(maleimide styrene)、聚乙烯基苯酚(polyvinylphenolPVP)、以及改性氰乙基普鲁兰(cyanoethyl pullulan)(m-CEP)。优选栅绝缘层140具有与有机半导体良好的接触特性和较小的粗糙度。多根数据线171和多个漏极电极175形成在栅绝缘层140上。数据线171传输数据信号并基本沿纵向方向延伸从而与栅极线121交叉。每根数据线171包括朝向栅极电极124突出的多个源极电极173和具有用于与另一层或外部驱动电路接触的的的面积的端部179。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在可连接到基板110的柔性印刷电路(FPC)膜上、直接安装在基板110上、或者集成在基板110上。数据线171可以延伸到与集成在基板110上的驱动电路连接。漏极电极175与数据线17本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约２０至３５℃的温度沉积ＩＴＯ层；蚀刻ＩＴＯ层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。

【技术特征摘要】
KR 2004-11-16 93561/041.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括在基板上形成栅极线；在栅极线上形成栅绝缘层；在约20至35℃的温度沉积ITO层；蚀刻ITO层从而在栅绝缘层上形成数据线和漏极电极；以及在数据线、漏极电极、以及栅绝缘层上形成有机半导体。2.如权利要求1所述的方法，其中沉积ITO层包括在约20至35℃的温度溅镀所述ITO层从而形成溅镀的ITO层。3.如权利要求2所述的方法，其中所述溅镀的ITO层包括非晶ITO层。4.如权利要求3所述的方法，其中所述溅镀的ITO层具有基本均匀的薄膜质量。5.如权利要求1所述的方法，其中栅绝缘层包括有机绝缘体。6.如权利要求1所述的方法，还包括退火所述数据线和所述漏极电极。7.如权利要求6所述的方法，其中退火在高于约180℃的温度进行。8.如权利要求7所述的方法，其中退火进行约1至3个小时。9.如权利要求6所述的方法，其中所述退火后的数据线和所述退火后的漏极电极包括准晶体ITO。10.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻ITO层包括以蚀刻剂湿法蚀刻ITO层。11.如权利要求10所述的方法，其中该蚀刻剂包括Cr蚀刻剂。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳旻成，徐宗铉，洪雯杓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]