一种半导体热电器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体热电器件，其包括第一基板和第二基板及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的若干对半导体热电偶；所述半导体热电器件利用绝缘密封膜将各个半导体电热偶和金属连接件外露的外表面区域完全包裹覆盖，使得所述半导体热电器件与外界接触的表面区域完全实现绝缘和密封，进而保证所述半导体热电器件在使用过程中不会受到凝结水或雾状水颗粒的影响，使用寿命更长；所述绝缘密封膜的结构简单，且加工方式灵活多样、快捷且高效，大大提高了所述半导体热电器件的加工效率和生产质量。工效率和生产质量。工效率和生产质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体热电器件


[0001]本技术涉及半导体元器件领域，特别是一种半导体热电器件。

技术介绍

[0002]随着半导体制冷技术被越来越多的人了解与认知，半导体在终端产品的应用也越来越广泛。半导体制冷技术具有体积小，结构紧凑，无振动，环保，静音，控温精准，方便安装等特点，目前半导体终端应用产品有冰箱、酒柜、化妆箱、冰淇淋机、除湿机、啤酒机、冷暖床垫等产品。
[0003]半导体热电器件通常有一端为制冷端面，另一端为制热端面，制冷端面与制热端面之间设有电偶对，半导体热电器件工作之后，在制冷端面上会附着有凝结水或雾状水颗粒，凝结水或雾状水颗粒会进入制冷端面余制热端面之间的电偶对区域，导致电偶对区域潮湿，使得半导体热电器件发生热短路，进而导致半导体热电器件的制冷效率降低，降低半导体热电器件的寿命。
[0004]为了防止凝结水或雾状水颗粒进入到电偶对区域，造成芯片热短路，传统的做法是，在半导体热电器件的四周设置密封料，即在制冷端面与制热端面之间的四周设置密封料，使得在电偶对区域形成密封空间，进而实现防止凝结水或雾状水颗粒进入到电偶对区域。然而上述传统的方式中，设置密封料的操作过程繁琐，人工制备成本高，若涂覆的密封料过多，则存在热传导的问题，导致制冷效率降低，且密封料填充后影响半导体热电器件的美观；若涂覆的密封料过少，则存在密封性差，无法完全密封的问题，导致凝结水或雾状水颗粒依然会进入到电偶对区域。

技术实现思路

[0005]针对上述缺陷，本技术的目的在于提出一种半导体热电器件，其电偶的表面和外露的导电结构的表面均包裹设有绝缘密封膜，所述绝缘密封膜结构简单，能对半导体热电器件起到全面的保护作用，又能是的所述半导体电器件的生产更加高效。
[0006]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0007]一种半导体热电器件，包括第一基板和第二基板及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的电偶对组件层，所述电偶对组件层由若干对电偶组件排列而成，所述电偶组件包括串联电连接的一个P型的半导体热电偶和一个N型的半导体热电偶，半导体热电器件还设有绝缘密封膜，所述绝缘密封膜将所述电偶对组件层中各个所述半导体热电偶的外表面和用于将所述半导体热电偶导电连接的金属连接件的外表面包裹密封。
[0008]优选地，所述绝缘密封膜为紧贴设置在各个所述半导体电热偶的外表面和金属连接件的外表面的绝缘材料层。
[0009]优选地，所述绝缘密封膜的厚度范围为0.002
‑
0.005微米。
[0010]优选地，所述半导体热电器件还设有第一导线和第二导线，所述第一导线和所述第二导线用于为所述各个电偶组件提供直流电流。
[0011]优选地，所述第一基板和所述第二基板设有所述金属连接件，所述第一导线和所述第二导线分别与对应位置的金属连接件电连接。
[0012]优选地，所述金属连接件为金属导线；所述金属导线外部设有绝缘层，所述绝缘密封膜将所述金属导线除绝缘层以外的外露的导电表面区域包裹密封。
[0013]优选地，所述金属连接件为设置在所述第一基板的靠近所述第二基板的一表面和所述第二基板的靠近所述第一基板的一表面的导电层结构；对应位置的所述电偶组件与所述导电层结构紧贴，所述绝缘密封膜将所述导电层结构的其他外露的导电表面区域包裹密封。
[0014]优选地，所述第一基板的上方和/或所述第二基板的下方还设有附加半导体层结构；所述附加半导体层结构包括：附加基板和附加电偶对组件层；所述附加电偶对组件层由若干对电偶组件排列而成，所述电偶组件包括串联电连接的一个P型的半导体热电偶和一个N型的半导体热电偶；所述附加基板正对设置于所述第一基板的上方或正对设置于所述第二基板的下方，所述附加电偶对组件层设置于所述第一基板和所述附加基板之间或设置于所述第二基板与所述附加基板之间；所述第一导线和所述第二导线分别与附加电偶对组件层电连接；所述附加半导体层结构还设有所述绝缘密封膜，所述绝缘密封膜将所述附加电偶对组件层中各个所述半导体热电偶的外表面和用于将所述半导体热电偶导电连接的金属连接件的外表面包裹密封。
[0015]优选地，所述附加半导体层结构的上方或下方还设有拓展半导体层结构，所述拓展半导体层结构包括：拓展基板和拓展电偶对组件层；所述拓展电偶对组件层由若干对电偶组件排列而成，所述电偶组件包括串联电连接的一个P型的半导体热电偶和一个N型的半导体热电偶；所述拓展基板正对设置于所述附加基板，所述拓展电偶对组件层设置于所述拓展基板与所述附加基板之间；所述拓展半导体层结构至少有一层，多层所述拓展半导体层结构沿上下方向依次叠置设置；所述第一导线和所述第二导线分别与拓展电偶对组件层电连接；所述拓展半导体层结构还设有所述绝缘密封膜，所述绝缘密封膜将所述拓展电偶对组件层中各个所述半导体热电偶的外表面和用于将所述半导体热电偶导电连接的金属连接件的外表面包裹密封。
[0016]优选地，所述第一基板、第二基板、附加基板和拓展基板为：陶瓷板、铜板、铝板或双面金属化的基板。
[0017]本技术的实施例的有益效果：
[0018]在所述半导体热电器件中所述电偶组件与基板组装固定后，所述金属连接件会按照要求将不同种类的半导体电热偶按照要求电连接；所述半导体热电器件利用所述绝缘密封膜将各个半导体电热偶和金属连接件外露的外表面区域完全包裹覆盖，使得所述半导体热电器件与外界接触的表面区域完全实现绝缘和密封，进而保证所述半导体热电器件在使用过程中不会受到凝结水或雾状水颗粒的影响，使用寿命更长；所述绝缘密封膜的结构简单，且加工方式可灵活选择，快捷且精准度高，大大提高了所述半导体热电器件的加工效率和生产质量。
附图说明
[0019]图1是本技术的一个实施例中所述半导体热电器件未设置所述绝缘密封膜时
的结构示意图；
[0020]图2是本技术的一个实施例中所述半导体热电器件未设置所述绝缘密封膜时的截面结构示意图；
[0021]图3是本技术的一个实施例的结构示意图；
[0022]图4是本技术的一个实施例的截面结构示意图；
[0023]图5是本技术的一个实施例的截面结构示意图；
[0024]图6是本技术的另一个实施例的截面结构示意图；
[0025]图7是本技术的一个实施例中采用电泳工艺设置所述绝缘密封膜的工艺流程示意图。
[0026]其中：第一基板1，第二基板2，附加基板3，拓展基板4，电偶对组件层11，附加电偶对组件层21，拓展电偶对组件层31，半导体热电偶101，金属连接件102，第一导线103，第二导线104，绝缘密封膜200。
具体实施方式
[0027]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0028]本申请的一个实施例，如图3
‑
6所示，一种半导体热电器件，包括第一基板1和第二基板2及设置在所述第一基板1和所述第二基板2之间的电偶对组件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体热电器件，包括第一基板和第二基板及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的电偶对组件层，所述电偶对组件层由若干对电偶组件排列而成，所述电偶组件包括串联电连接的一个P型的半导体热电偶和一个N型的半导体热电偶，其特征在于，半导体热电器件还设有绝缘密封膜，所述绝缘密封膜将所述电偶对组件层中各个所述半导体热电偶的外表面和用于将所述半导体热电偶导电连接的金属连接件的外表面包裹密封。2.根据权利要求1所述的一种半导体热电器件，其特征在于，所述绝缘密封膜为紧贴设置在各个半导体电热偶的外表面和金属连接件的外表面的绝缘材料层。3.根据权利要求1所述的一种半导体热电器件，其特征在于，所述绝缘密封膜的厚度范围为0.002
‑
0.005微米。4.根据权利要求1所述的一种半导体热电器件，其特征在于，所述半导体热电器件还设有第一导线和第二导线，所述第一导线和所述第二导线用于为所述各个电偶组件提供直流电流。5.根据权利要求4所述的一种半导体热电器件，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板设有所述金属连接件，所述第一导线和所述第二导线分别与对应位置的金属连接件电连接。6.根据权利要求1或5所述的一种半导体热电器件，其特征在于，所述金属连接件为金属导线；所述金属导线外部设有绝缘层，所述绝缘密封膜将所述金属导线除绝缘层以外的外露的导电表面区域包裹密封。7.根据权利要求1或5所述的一种半导体热电器件，其特征在于，所述金属连接件为设置在所述第一基板的靠近所述第二基板的一表面和所述第二基板的靠近所述第一基板的一表面的导电层结构；对应位置的所述电偶组件与所述导电层结构紧贴，所述绝缘密封膜将所述导电层结构的其他外露的导电表面区域包裹密封。8.根据权利要求4所述的一种半导体热电器件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：余炜新，曹卫强，刘富林，
申请(专利权)人：广东富信科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：