可自发电的纳米二极管及纳米同轴二极电缆制造技术

本发明专利技术涉及不同于宏观和微观的介观领域中纳米真空能斥力子发电技术，具体涉及一种可自发电的纳米Ｐ－Ｎ型二极管及纳米同轴二极电缆。纳米二极管主要由纳米半导体，以及两端分别接合的非纳米金属体、纳米金属块体组成；纳米同轴二极电缆主要为以非纳米金属线体为中心轴、及由里向外依次包裹纳米半导体、纳米金属体构成。它们的工作原理是非纳米金属体的电子，在纳米真空能斥力子的作用下，穿越纳米半导体、进入纳米金属体的介孔中汇流，直接产生单向电流承受负载作功，因而省却消耗有限能源，适于作中、弱电的电器设备的供电源，这是今后大规模开发真空能的基础元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空能发电，是属于不同于宏观和微观的介观领域中的真空能纳米斥力子波长与介孔固体中的电子波长发生相干共振产生的单向电流技术，具体涉及一种可自发电的纳米二极管及纳米同轴二极电缆。
技术介绍
随着人类对客观世界认识的不断加深，使20世纪80年代诞生的纳米技术在当今的科技发展中起到了不可估量的革命性作用。目前，就纳米技术的有关方面、虽然已或多或少地应用于工业生产中，但是对整个纳米体系的理论研究及其应用领域仍存在有许多未知奥秘值得人们去探索与追寻。例如人类有限能源面临着世界危机，利用纳米真空能斥力，就能为开发无限真空能源开僻新途径。量子力学的创始人普朗克先师曾经推导出一个质量常数√hC/G(h为普朗克常数、C为光速常数、G为引力常数)，但是不详其中的物理意义。我国学者黎明先生在潜科学杂志上曾发表文章认为该常数等价于公式5NAMe/16∏＝5.465×10-8KG，(NA为理想气体常数、Me为电子静止质量)。其中物理意义待定，认为引力与电磁力有统一的可能，但不知其为反引力，本申请人推导出公式C√hGC＝1.3256222×10-9M3/S，该公式的量纲表明它的物理意义代表纳米真空能斥力子的斥力。综上，本申请人从理论和实际中认为纳米真空能斥力子的波长与介孔固体中的电子波长发生相干共振后才能产生出显著的单向电流。
技术实现思路
本专利技术根据上述存在纳米真空能斥力子的纳米结构理论，和世界公认的真空能属于无限能源，以及当满足一定条件技术时，纳米二极管及纳米同轴二极电缆可组成单向直电流回路，即能达到制造真空能发电装置的目的。本专利技术技术解决方案本专利技术设计的纳米二极管构成如下它的中间体为纳米p-n型半导体，与该中间体相接的一端为非纳米金属块体，另一端为纳米金属块体，非纳米金属块体端为二极管的正极，而具有介孔的纳米金属块体端为二极管的负极。同理，本专利技术设计的纳米同轴二极电缆构成如下它的中心轴为非纳米金属线，属电缆正极，在该中轴金属线之外包裹有同轴的纳米p-n型半导体膜，而在该半导体膜外又包裹有具有介孔的纳米金属膜，属电缆负极，共同构成纳米同轴二极管电缆。上述的纳米二极管和纳米同轴二极电缆的最外层均包裹有抗氧化绝缘保护膜。本专利技术有益效果本专利技术属于开发无限真空能斥力转换成直流电力，可广泛应用于各种电器中，特别适于作中、弱电的电器设备的供电源，这是今后大规模开发真空能的基础元件。推广这一创新、将会给人们带来显著的经济效益。尤其是它能省却消耗有限能源，这对世界今天已陷入有限能源危机有着重要意义。附图说明图1为本专利技术纳米二极管(含实施例一)的结构示意2为本专利技术纳米同轴二极电缆(含实施例二)的结构示意3为本专利技术钠米二极管与纳米同轴二极电缆并用构成发电回路(实施例三)的示意图。具体实施例方式实施例一，如图1所示，取纳米硅(Si)作为中间体1，中间体1的一端与非纳米铬(Cr)金属块体2相结合，该端为二极管的正极，另一端与纳米铬(Cr)金属块体3相结合，该端为二极管的负极，以上三者即构成纳米二极管。因现有技术对纳米硅(Si)，纳米铬(Cr)块体的制作工艺已经比较成熟、此处不再赘述。又为了防止纳米二极管的氧化，除了包裹绝缘层(如环氧树脂层)4外，在绝缘层外、即该二极管的最外层再采用真空度约为5×10-3Pa条件下蒸镀锑(Sb)膜5加以保护。该二极管发电原理是作为正极的铬块电子流，按P-N结流向纳米铬(Cr)介孔中汇集，形成单向电子流。该二极管无须其它电源供给，它的输出电压最低为60毫伏、输出电流最低为0.5微安。实际使用时可串，并联任意组合。这种纳米二极管可用作检波二极管，或电子钟、中型计算器以及其它中，小功率电器的电源，以及作真空能发电教学演示器材所用。实施例二，如图2所示，中轴线取金属铬(Cr)线6为正极，以纳米硅(Si)膜7作同轴包裹，又将纳米铬(Cr)膜8再同轴包裹其外作为负极，而在纳米铬膜外再以绝缘材料9包裹，即构成纳米同轴二极电缆。该纳米同轴二极电缆发电的原理同上例，它具有导电、兼发电双重功能。实施例三，如图3所示，以纳米二极管10、纳米同轴二极电缆11、负载R(约5兆欧姆)组合构成电流回路，并可串、并联任意组合适应不同电、磁需要。这种纳米二极管、缆回路可维持输送电流密度达1000安培/cm2以上。上述实施例中的纳米半导体物质可以为硅或锗等，非纳米金属、纳米金属可以为其它良导电性金属或合金等，它们也均可以采用现有工艺制作成纳米二极管、纳米同轴二极电缆，并可以根据需要制备出系列规格的纳米二级管和纳米同轴二极电缆的各种组合结构。本文档来自技高网...

【技术保护点】
可自发电的纳米二极管，其特征在于：它有中间体（１）为纳米半导体，与该中间体相接的一端为非纳米金属块体（２），另一端为纳米金属块体（３）。

【技术特征摘要】
1.可自发电的纳米二极管，其特征在于它有中间体(1)为纳米半导体，与该中间体相接的一端为非纳米金属块体(2)，另一端为纳米金属块体(3)。2.可自发电的纳米同轴二极电缆，其特征在于它的中心轴为非纳米金属线体(6)，在该中心轴线体之外同轴包裹纳米半导体膜(7)，而该膜(7)之外又同轴包裹有纳米金属膜(8)。3.根据权利要求1或2所述的可...

【专利技术属性】
技术研发人员：林勋，
申请(专利权)人：林勋，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]