薄膜晶体管基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种ＴＦＴ基板，其包括底部基板、形成在底部基板之上的栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线包括栅极线和栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层之上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线、源电极和漏电极。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上，由于氧化抑制层的存在，降低了用于开启ＴＦＴ的开电流（“Ｉ↓［ｏｎ］”）并增大了用于关闭ＴＦＴ的闭电流（“Ｉ↓［ｏｆｆ］”）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管基板以及具有该薄膜晶体管基板的显示装置。更具体地，本专利技术涉及一种具有相对较低阻抗的布线结构的薄膜晶体管基板以及一种具有该薄膜晶体管基板的显示装置。
技术介绍
通常，薄膜晶体管(“TFT”)基板用于控制液晶显示装置(“LCD”)或有机发光显示装置(“OLED”)中的像素。TFT基板包括用于传输扫描信号的扫描线(或栅极线)以及用于传输图像信号的数据线(或有源线)。TFT基板进一步包括TFT，电连接至扫描线和数据线；像素电极，电连接至TFT；栅极绝缘层，使栅极线电绝缘；以及保护层，使TFT和数据线电绝缘。TFT包括栅电极、活性层(activation layer)、源电极、数据电极、栅极绝缘层和保护层。栅电极自扫描线处延伸。活性层对应于通道(channel)。源电极和漏电极经由形成数据线的金属层而形成。TFT对应于开关元件，其向像素电极施加图像信号，该图像信号基于由扫描线提供的扫描信号。随着显示装置体积的增大和分辨能力的提高，扫描线和数据线变得越来越长、越来越窄，从而电阻率和寄生电容增大，由此分别导致扫描信号和图像信号的失真。结果，用于传统显示装置的铝(AL)被与铝相比电阻率更低的银(Ag)所替代。但是，银与玻璃基板或硅层之间的粘附度相对较弱，所以银质布线会轻易与玻璃基板或硅层相脱离，由此导致故障发生。此外，用于蚀刻栅极绝缘层的腐蚀性溶液会轻易将银损坏。为了解决上述难题，最近开发出具有三层结构(包括设置在两层铟氧化物之间的银层)的布线。但是，铟氧化物层中的氧与TFT的活性层中的硅会发生反应形成氧化硅(“SiO2”)。氧化硅的形成增加了开启TFT所需的开电流(on-current，导通电流)(“Ion”)，降低了关闭TFT所需的闭电流(off-current，关闭电流)(“Loff”)。因此，氧化硅的形成使得驱动TFT变得更加困难。
技术实现思路
本专利技术提供了一种具有相对较低电阻的布线结构的TFT基板。本专利技术还提供了用于制造上述TFT基板的方法。在根据本专利技术的示例性实施例中，TFT基板包括底部基板、栅极布线、栅极绝缘层、活性层、氧化抑制层(oxidation-blocking layer)、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线形成在底部基板上。栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线和电连接至栅极线的栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层上。氧化抑制层形成在活性层之上。数据布线包括数据线，沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸；源电极，电连接至数据线；以及漏电极，其与源电极相分离。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上。保护层覆盖数据布线并且具有接触孔以露出部分漏电极。形成在保护层之上的像素电极通过接触孔被电连接至漏电极。在根据本专利技术的另一示例性实施例中，TFT基板包括底部基板、栅极布线、栅极绝缘层、活性层、硅化物层、数据布线、保护层以及像素电极。栅极布线形成在底部基板上。栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线和电连接至栅极线的栅电极。栅极绝缘层形成在底部基板之上以覆盖栅极布线。活性层形成在栅极绝缘层上。硅化物层形成在活性层之上。数据布线包括数据线，沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸；源电极，电连接至数据线；以及漏电极，其与源电极相分离。源电极和漏电极设置在氧化抑制层之上。数据布线包括第一数据布线层，其具有铟氧化物；第二数据布线层，形成在第一数据布线层之上；第三数据布线层，形成在第二数据布线层之上。例如，第二数据布线层可由银制成，而第三数据布线层可由铟氧化物制成。保护层覆盖数据布线并且具有露出部分漏电极的接触孔。像素电极形成在保护层之上并通过接触孔电连接至漏电极。根据另外的示例性实施例，用于制造薄膜晶体管基板的方法包括在底部基板之上形成栅极布线。栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线和电连接至栅极线的栅电极。在底部基板之上形成栅极绝缘层以覆盖栅极布线。在栅极绝缘层之上形成活性层。在活性层之上形成氧化抑制层。然后形成包括数据线、源电极和漏电极的数据布线。数据布线沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸，源电极电连接至数据线，并且漏电极与源电极相分离。源电极和漏电极置于氧化抑制层之上。根据本专利技术，栅极布线和数据布线具有三层结构，该三层结构具有第一氧化铟锡层，形成在第一氧化铟锡层之上的银层，形成在银层之上的第二氧化铟锡层，由此降低了栅极布线和数据布线的电阻抗。因此，在欧姆接触层与数据布线之间形成了包含硅化物的氧化抑制层，以致用于开启TFT的开电流(Ion)被减小，而用于关闭TFT的闭电流(Ioff)被增大。附图说明参照附图及下面的详细描述，本专利技术的上述优点和其他优点将变得更加显而易见。附图中图1是说明根据本专利技术的TFT基板的示例性实施例的平面布局图。图2是沿图1中所示I-I’线截取的横截面图；以及图3至图10是说明图2所示的示例性TFT基板制造工艺的各种平面图和横截面图，其中，图3是底部基板上栅极布线的平面图，栅极布线包括栅极线和栅电极；图4是图3所示的在底部基板上的栅极布线的部分横截面图。图5是在图4上形成栅极绝缘层的横截面图；图6是在图3上形成活性层的平面图；图7是图6的横截面图；图8是图7的横截面图，在活性层和栅极绝缘层上形成初始金属层(primitive metal layer)； 图9是图6的平面图，在栅极绝缘层和氧化抑制层上形成数据布线；以及图10是图9中所示的四个TFT其中一个的横截面图。具体实施例方式应该理解，在不违背本专利技术的原则的前提下，以下所描述的本专利技术的示例性实施例可以有各种变化和更改，并且本专利技术的保护范围并不限于以下这些特定的示例性实施例。提供这些实施例，是为了使披露内容更加彻底和完整，并且通过非限定性的实施例可以向本领域的技术人员充分地传递本专利技术的思想。所有附图中，相同的附图标号指相同的元件。附图中，为了清楚起见，可以扩大特定的线、层、组件、元件或结构元件的厚度。文中所用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并非意在限定本专利技术。文中所用的单数形式，例如“一个”和“所述”也包括复数形式，除非上下文明确指出其它意思。可以更进一步理解，当在本说明书中使用了词语“包括”和/或“包括了”时，其指明所陈述的元件结构、标号(integers)、步骤、操作方法、元件和/或组成部分的存在，但并不排除出现或附加一个或多个其它的元件结构、标号、步骤、操作方法、元件、组成部分和/或其组合。文中所用的词语“和/或”包括一个或者多个相关列出项的任何以及全部组合。除非另外规定，文中所用的所有词语(包括技术性的和科学性的词语)的意义均与本专利技术所属领域的普通技术人员通常所理解的意义相同。可以更进一步地理解的是，诸如在日常词典中有定义的词语的含义应该被解释为与其在本说明书的上下文和相关领域中的含义一致的意思，并且除非本文中有明确规定，不应给以想当然地或者过于严格的解释。为了简洁和/或清楚起见，众所周知的功能和结构将不再给以详细描述。需要理解的是，当提到一个元件“位于”、“附着至”、“连接至”、“耦合”、“接触”另一元件时，其可直接位于、附着至、连接至、耦合、接触另一元件，或者也可存在其他元件或中间元件。相反，当提到一个元件“直接位于”、“直接附着至”、“直接连接至”、“直接耦合”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管（ＴＦＴ）基板，其包括：底部基板；栅极布线，形成在所述底部基板之上，所述栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线以及电连接至所述栅极线的栅电极；栅极绝缘层，形成在所述底部基板之上，以覆盖所述栅极布线； 活性层，形成在所述栅极绝缘层之上；氧化抑制层，形成在所述活性层之上；数据布线，其包括：数据线，沿与所述第一方向基本垂直的第二方向延伸；源电极，电连接至所述数据线；以及漏电极，与所述源电极分离，所述源电极和所述漏电极设置在所述 氧化抑制层之上；保护层，覆盖所述数据布线，所述保护层具有露出部分所述漏电极的接触孔；以及像素电极，形成在所述保护层之上，并通过所述接触孔电连接至所述漏电极。

【技术特征摘要】
KR 2005-3-9 10-2005-00196781.一种薄膜晶体管(TFT)基板，其包括底部基板；栅极布线，形成在所述底部基板之上，所述栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线以及电连接至所述栅极线的栅电极；栅极绝缘层，形成在所述底部基板之上，以覆盖所述栅极布线；活性层，形成在所述栅极绝缘层之上；氧化抑制层，形成在所述活性层之上；数据布线，其包括数据线，沿与所述第一方向基本垂直的第二方向延伸；源电极，电连接至所述数据线；以及漏电极，与所述源电极分离，所述源电极和所述漏电极设置在所述氧化抑制层之上；保护层，覆盖所述数据布线，所述保护层具有露出部分所述漏电极的接触孔；以及像素电极，形成在所述保护层之上，并通过所述接触孔电连接至所述漏电极。2.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述氧化抑制层包含金属硅化物。3.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述金属硅化物选自由以下材料组成的组硅化钛、硅化铬、硅化钼、硅化镍、硅化钽、硅化钴、硅化镁、硅化钒和硅化钨。4.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述氧化抑制层的厚度在约10埃至约5000埃(“”)。5.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述数据布线包括第一数据布线层，其包含铟氧化物；第二数据布线层，形成在所述第一数据布线层之上，所述第二数据布线层包含银；以及第三数据布线层，形成在所述第二数据布线层之上，所述第三数据布线层包含铟氧化物。6.根据权利要求5所述的TFT基板，其中所述第一数据布线层和所述第三数据布线层包含氧化铟锡(ITO)。7.根据权利要求5所述的TFT基板，其中所述第一数据布线层和所述第三数据布线层包含氧化铟锌(IZO)。8.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述栅极布线包括第一栅极布线层，其包含铟氧化物；第二栅极布线层，形成在所述第一栅极布线层上，所述第二栅极布线层包含银；以及第三栅极布线层，形成在所述第二栅极布线层之上，所述第三栅极布线层包含铟氧化物。9.根据权利要求8所述的TFT基板，其中所述第一栅极布线层和所述第三数据布线层包含氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)。10.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述活性层包括半导体层，其包含非晶硅(a-Si)；以及欧姆接触层，其包含重掺杂n型杂质的非晶硅(n+a-Si)。11.一种薄膜晶体管(TFT)基板，其包括底部基板；栅极布线，形成在所述底部基板之上，所述栅极布线包括沿第一方向延伸的栅极线和电连接至所述栅极线的栅电极；栅极绝缘层，形成在所述底部基板之上，以覆盖所述栅极布线；活性层，形成在所述栅极绝缘层之上；硅化物层，形成在所述活性层之上；数据布线，其包括沿与所述第一方向基本垂直的第二方向延伸的数据线、电连接至所述数据线的源电极以及与所述源电极相分离的漏电极，所述源电极和所述漏电极置于所述氧化抑制层之上，所述数据布线具有包含铟氧化物的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵良浩，郑敞午，吴旼锡，李制勋，赵范锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]