发光二极管用壳体及其发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种发光二极管用壳体及其发光二极管，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，制成用于发光二极管的壳体。该壳体的基体由气孔直径为０．１０μｍ－１．２５μｍ范围，或气孔率为１０％以上的氧化铝陶瓷材料制作，可以提高发光二极管的辉度，而且，在基体上设置导热柱，提高发光二极管的散热性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种使用氧化铝陶瓷制成的发光二极管用壳体及其发光二极管。
技术介绍
一直以来，发光二极管作为高辉度、低耗电的发光体，被大量生产并广泛使用。特别是近年以来，以提高散热特性从而延长使用寿命为目的开发而成的发光二极管，其壳体是用两片板状的氧化铝陶瓷制成的。这种发光二极管是用由氧化铝陶瓷制成板状的基体和覆盖体粘贴为一体，在基体的表面贴装发光元件，在覆盖体的略中央位置形成带曲线状反射面的开口形状。近年来有了进一步的发展，在蓝色发光二极管的开发取得进展的同时，在半导体基板制造方面，紫外线发光二极管的使用也受到关注。在这种状况下，以氧化铝陶瓷为原材料的发光二极管，愈发需要具有更高的辉度。为实现发光二极管的高辉度化，提高发光元件的发光辉度的同时，提高发光二极管用壳体上反射面的反射率也是必不可少的。上述使用目前的氧化铝陶瓷制成的发光二极管，因为氧化铝陶瓷自身的反射率低，必须在反射面上另外贴装高反射率的反射板，才能实现发光二极管的高辉度化，因而发光二极管的生产需要花费大量的劳力、时间和成本。目前使用的氧化铝陶瓷由于反射率低，不能实现发光二及管的高辉度。本专利技术者经过研究发现，虽然目前使用的发光二极管的壳体所使用的氧化铝陶瓷是经过一定温度烧结而成的广泛普及的一般陶瓷，但通过烧结温度和原料形态的变化，陶瓷的气孔直径、气孔率随之变化，反射率也相应大幅度发生变化，当氧化铝陶瓷的气孔直径、气孔率在一定范围内时，与目前的氧化铝陶瓷相比，实用上可以得到足够满意的反射效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种发光二极管用壳体及其发光二极管，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，制成用于发光二极管的壳体，该基体部分由气孔直径为0.10μm-1.25μm范围，或气孔率为10％以上的氧化铝陶瓷制成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。这种设计的发光二极管的反射率高，而且散热性好。本专利技术的技术方案之一是一种发光二极管用壳体，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，所述基体由气孔直径0.10μm-1.25μm的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。本专利技术的技术方案之二是一种发光二极管用壳体，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，所述基体由气孔率10％以上的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。本专利技术的技术方案之三是一种发光二极管用壳体，如上述技术方案一和二所述，并且导热柱位于该发光二极管的发光元件的正下方。本专利技术的技术方案之四是一种发光二极管用壳体，如上述技术方案一至三所述，并且发光二极管的发光元件以散热体为媒介贴装于上述基体上。本专利技术的技术方案之五是一种发光二极管，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，并最终制成发光二极管，所述基体由气孔直径0.10μm-1.25μm的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。本专利技术的技术方案之六是一种发光二极管，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，并最终制成发光二极管，所述基体由气孔率10％以上的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。本专利技术的技术方案之七是一种发光二极管，如上述技术方案五和六所述，并且导热柱位于该发光二极管的发光元件的正下方。本专利技术的技术方案之八是一种发光二极管，如上述技术方案五至七所述，并且发光二极管的发光元件以散热体为媒介贴装于上述基体上。本专利技术的优点是目前使用的氧化铝陶瓷，其气孔直径在0.10μm以下，气孔率在10％以下，对各波长的反射率均在90％以下，本专利技术与原有氧化铝陶瓷相比，将气孔直径、气孔率提高了一个数量级，氧化铝气孔直径达0.10μm-1.25μm，气孔率达10％以上，从而实现了氧化铝陶瓷自身的反射率大幅提高。本专利技术是指用这种具有高反射率的氧化铝陶瓷制成用于贴装发光二极管的发光元件的基体，由于发光元件就贴装在基体之上，因此发光元件产生的面向下方的光线也可以被基体很好地反射，从而提高发光二极管的辉度。同时，由于氧化铝陶瓷材料的气孔直径和气孔率的增大，热传导性下降而引起散热性低下；本专利技术通过在基体部位形成导热柱，有效地提高了发光二极管壳体和发光二极管自身的散热特性。特别是，当在发光二极管的发光元件的正下方设置导热柱时，发光元件和导热柱之间的距离很短，发光元件产生的热量可以直接传给导热柱，更提高了发光二极管的散热性。更进一步，在基体上设置散热体介质，将发光元件贴装在该散热体上，发光元件产生的热量可以通过散热体介质，良好地传导给导热柱，从而进一步提高发光二极管的散热性。附图说明下面结合实施例对本专利技术作进一步的描述图1为本专利技术所涉及的发光二极管的立体图；图2为本专利技术所涉及的发光二极管的剖视图；图3为对应波长300nm的气孔直径与反射率的关系曲线；图4为对应波长350nm的气孔直径与反射率的关系曲线；图5为对应波长400nm的气孔直径与反射率的关系曲线；图6为对应波长500nm的气孔直径与反射率的关系曲线；图7为对应波长600nm的气孔直径与反射率的关系曲线；图8为对应波长300nm的气孔率与反射率的关系曲线；图9为对应波长350nm的气孔率与反射率的关系曲线；图10为对应波长400nm的气孔率与反射率的关系曲线；图11为对应波长500nm的气孔率与反射率的关系曲线；图12为对应波长600nm的气孔率与反射率的关系曲线；图13为波长与反射率的关系曲线；图14为波长与反射率的关系曲线；图15为作为其他实施例时的发光二极管的断面图； 图16为表1。其中1，10发光二极管；2基体；3覆盖体；4，13发光二极管用壳体；5，12发光二极管的发光元件；6金线；7导热柱；8开口；9反射面；11散热体。具体实施例方式实施例本专利技术所指发光二极管1如图1和图2所示，是由2枚矩形板状的氧化铝陶瓷制成的基体2和覆盖体3贴合而成发光二极管用壳体4，在壳体4的基体2上贴装发光二极管的发光元件5而构成。在基体2的表面略中央部位，以银浆料或其他有高热传导性的浆料为媒介贴装发光元件5(浆料在图示中省略)，同时用金线将基体表面形成的电极与发光元件表面形成的电极(阴极及阳极)有线接合起来。而且，不限于这种电极间的有线接合方式，也可以在发光元件5的背面(下面)形成电极(阴极及阳极)，将该电极直接贴装在基体表面的电极上。进而，在基体2的略中央部位的贯通孔里充填金属，形成8个导热柱7。导热柱7位于发光元件5的正下方，导热柱7的上面和发光元件5的下面通过具有高热传导性的浆料贴合在一起。在覆盖体3方面，由背面向表面直径渐次扩大形成带有倾斜状的圆锥面开口8，该开口8的表面部分构成反射面9。当发光元件5发光时，射向侧面的光由覆盖体3的反射面9反射，通过开口8投射出去；射向下方的光由基体2的表面反射，也通过开口8投射出去。即基体2也起到反射面的作用。用作反射板功能的基体2和覆盖体3，其氧化铝陶瓷的气孔直径为0.10μm-1.25μm，气孔率为10％以上。据此制成的基体2和覆盖体3，与通常烧结而成的现有氧化铝陶瓷相比，氧化铝陶瓷自身的反射率提高，因而发光二极管的辉度得以提高。就氧化铝陶瓷而言，改变其烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管用壳体，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，其特征在于：所述基体由气孔直径０．１０μｍ－１．２５μｍ的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管用壳体，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，其特征在于所述基体由气孔直径0.10μm-1.25μm的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。2.一种发光二极管用壳体，在贴装发光二极管发光元件的基体上部，粘贴上带有开口状反射面的覆盖体，其特征在于所述基体由气孔率10％以上的氧化铝陶瓷构成，并且在该基体内设有用于散发热量的导热柱。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管用壳体，其特征在于所述导热柱位于该发光二极管的发光元件的正下方。4.根据权利要求1或2所述的发光二极管用壳体，其特征在于所述发光二极管的发光元件以散热体为媒介贴装于上述基体上。5.根据权利要求3所述的发光二极管用壳体，其特征在于所述发光二极管的发光元件以散热体为媒介贴装于上述基体上。6.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：光山和磨，山本济宫，工藤幸二，深江弘之，福本成男，西山研吾，成田巧，川口洋明，林稔真，
申请(专利权)人：苏州共立电子工业有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]