本发明专利技术公开了一种具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法,提供有一板材以及一形成有一接着树脂层的金属箔;该金属箔层合于该板材,以使该接着树脂层黏接该板材;接着,形成一贯通口,其贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔;在移除该金属箔之后,该接着树脂层的另一接着面将显露在该板材上,以供贴附于一载板,形成一晶穴。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体封装的制造,特别是有关于一种。
技术介绍
公知在半导体封装与半导体模组领域中,一包含有基板的芯片载体设计有一晶穴(die-cavity),用以容置一芯片,该晶穴包含有一晶穴侧壁及一芯片接合区,为了易于控制晶穴侧壁的高度与芯片接合区的平坦度,该晶穴侧壁与该芯片接合区分别先制作在两不同基板,再以黏胶层将具有该晶穴侧壁的基板与具有该芯片接合区的基板相互黏着组合,以构成一具有晶穴的堆叠基板组合件。如美国专利第6,506,626号与美国专利公开编号第2001/0046725号所揭示,该具有芯片接合区的基板为一球格阵列封装的板材,而该具有晶穴侧壁的基板为一金属加劲环(metal stiffener)或一间隔电路板,两基板能组配成具有晶穴的基板组合件,以供制作晶穴朝上的半导体封装构造或模组。再如美国专利6,639,304号与美国专利第6,501,168号所揭示,该具有芯片接合区的基板为一散热金属片(metal plate或metal core),而该具有晶穴侧壁的基板为一具有开孔或一窗口的板材,以供制作晶穴朝下的半导体封装构造或模组。常见用于黏着上述两基板的黏胶层为压克力膜(acrylate film)、液胶(liquidadhesive)或预浸材(prepreg),其中例如压克力膜或预浸材(prepreg)的黏性胶片需要预先冲压或铣切出一窗口,再将该具有窗口的黏性胶片黏贴对位至该具有芯片接合区的基板,但由于该黏性胶片具有黏性,因此在制程中会有黏着于治具或黏着粉尘等问题,而造成制程上处理困扰或不易黏着,其中,压克力膜对湿气相当敏感,通常只能到达JEDEC第四级抗湿性,另,预浸材在铣切或冲压的成孔过程中相当容易被损伤且会形成大量树脂薄片(resin flake)或尘埃粒子。此外,当以液态黏胶层黏着上述两基板,公知该液态黏胶层先以网版印刷(screen printing)形成在该具有晶穴侧壁的基板或是具有芯片接合区的基板,为了不在压合黏着时造成该液态黏胶层流动至该晶穴侧壁,该液态黏胶层必须具有相当高黏度与适当的表面张力。若该液态黏胶层包含有溶剂,通常该液态黏胶层在印刷后需要预烤或干燥,再施压结合两基板并升温加以固化。制程中的条件控制相当严苛,稍有不慎,该液态黏胶层将被挤迫至该晶穴侧壁或该芯片接合区,导致污染基板焊垫并影响芯片在晶穴内的平坦结合。美国专利第6,195,264号揭示有一种基板的晶穴形成方法,将一光感性物质(photoimageable material)的黏胶层介设在一金属加劲环与一电路板之间,在压合后构成一具有晶穴的基板,该光感性物质被曝光显影已使得在晶穴内不会残留该光感性物质的黏胶层,该黏胶层应被要求同时具备良好易于曝光处理的光感性、热固性、黏着性与导热性,故此一特殊性能的材料取得不容易且成本甚高。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种,首先提供一板材并提供一形成有一接着树脂层的金属箔,将两者加以层合,以使得该接着树脂层黏黏接该板材,再形成一贯通口,该贯通口贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔,该贯通口使该板材具有一晶穴侧壁,再移除该金属箔,以显露该接着树脂层在该板材上,可再黏着至一载板,以形成一晶穴,该接着树脂层不会溢流至该晶穴内并且无碎片(flaking)发生而能减少对该晶穴的污染,亦有具有低温黏着该板材与该载板的功效。本专利技术的次一目的在于提供一种,利用一金属箔作为一接着树脂层的承载件,在层合步骤与贯通口形成步骤中可以降低对治具的污染并能转变黏接至一板材,再以该具有黏性的板材贴附至一载板,以得到一深度准确且无黏着剂残留的晶穴,以达到高品质的半导体封装。依本专利技术的,分别提供一板材以及一金属箔,该板材的一表面定义有至少一用以形成晶穴侧壁的区域,该金属箔的一表面形成有一接着树脂层,该接着树脂层具有一第一接着面以及一第二接着面,该第一接着面贴附于该金属箔,该第二接着面呈显露。之后,将该板材与该金属箔加以层合,使得该接着树脂层的该第二接着面黏接该板材。之后,在对应于该形成晶穴侧壁的区域形成一贯通口,该贯通口可以铣切(routing)或冲压(punching)等方式形成,该贯通口贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔,使得该板材具有一在该贯通口内的晶穴侧壁。之后,移除该金属箔,以显露该接着树脂层的该第一接着面。之后,将该板材贴附至一载板,使得该接着树脂层的该第一接着面黏接该载板。之后,可将一芯片设置于该载板上且位于该板材的贯通口内。故能低成本地制作晶穴朝上或晶穴朝下的半导体封装构造。附图说明图1A至1J是依据本专利技术的第一具体实施例,一板材在一半导体封装制程中的截面示意图;图2是依据本专利技术的第一具体实施例,一板材在层合后形成预切孔的立体示意图;图3是依据本专利技术的第一具体实施例,一板材在层合后形成贯通口的立体示意图;及图4A至4I是依据本专利技术的第二具体实施例,一板材在另一半导体封装制程中的截面示意图。附图标记说明 110板材(board)111第一表面112第二表面113用以形成晶穴侧壁的区域 114导接指 115球垫116晶穴侧壁 120金属箔 130接着树脂层131第一接着面 132第二接着面 140贯通口141预切孔 142金属覆盖层 150载板(carrier plate)151晶穴的芯片接合区 160芯片161焊垫170焊线 180封胶体 190焊球210板材 211用以形成晶穴侧壁的区域 212晶穴侧壁220金属箔 230接着树脂层 231第一接着面232第二接着面 240贯通口 250载板251晶穴的芯片接合区 260芯片270焊线280透光盖 290焊球具体实施方式参阅附图,本专利技术将列举以下的实施例说明。依据本专利技术第一具体实施例的,请参阅图1A,首先,提供一板材110以及提供一已形成有一接着树脂层130的金属箔120,该板材110具有一第一表面111及一对应的第二表面112,且该板材110定义有至少一用以形成晶穴侧壁的区域113。在本实施例中,该板材110为一种具有电路图案以适用于晶穴朝下封装的基板,常见地该板材110为包含BT树脂的印刷电路板,该第一表面111用以黏附一载板150(如图1F所示),该第二表面112形成有复数个用以连接焊线的导接指114以及复数个用以连接焊球的球垫115。通常在该板材110的该第一表面111可以不用涂施任何黏着材料。该金属箔120以易被蚀刻的金属材质为较佳,例如铜箔。并且该接着树脂层130可利用例如印刷或浸涂等方式形成在该金属箔120的其中一表面,经过适当的些许烘烤。该接着树脂层130具有一第一黏着面131以及一第二黏着面132,该第一黏着面131贴附于该金属箔120且该第二黏着面132呈显露。该接着树脂层130应具有多阶固化性质,其材质可选自于环氧基树脂、BT(Bismaleimide Triazine,双顺丁烯二酸酰亚胺)树脂与PI(Polyimide,聚酰亚胺)树脂的其中之一,亦可以是包含有玻璃纤维的预浸材(prepreg),较佳地,该接着树脂层130包含有金属粒子,例如银粒子,以增进该接着树脂层130的导热。其中,该接着树脂层130为一背胶铜箔(Resin Coated Copper foi本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法,包含:提供一板材,该板材定义有至少一用以形成晶穴侧壁的区域;提供一金属箔,该金属箔的一表面形成有一接着树脂层,该接着树脂层具有一第一接着面以及一第二接着面,该第一接着面贴附于该金属 箔,该第二接着面呈显露;层合该板材与该金属箔,使得该接着树脂层的该第二接着面黏接该板材;在对应于该形成晶穴侧壁的区域形成一贯通口,该贯通口贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔,使得该板材具有一在该贯通口内的晶穴侧壁;移 除该金属箔,以显露该接着树脂层的该第一接着面;贴附该板材与一载板,使得该接着树脂层的该第一接着面黏接该载板;及设置一芯片于该载板且位于该板材的该晶穴侧壁内。
【技术特征摘要】
US 2005-3-14 11/078,3841.一种具有层合晶穴的半导体封装构造的制造方法,包含提供一板材,该板材定义有至少一用以形成晶穴侧壁的区域;提供一金属箔,该金属箔的一表面形成有一接着树脂层,该接着树脂层具有一第一接着面以及一第二接着面,该第一接着面贴附于该金属箔,该第二接着面呈显露;层合该板材与该金属箔,使得该接着树脂层的该第二接着面黏接该板材;在对应于该形成晶穴侧壁的区域形成一贯通口,该贯通口贯穿该板材、该接着树脂层与该金属箔,使得该板材具有一在该贯通口内的晶穴侧壁;移除该金属箔,以显露该接着树脂层的该第一接着面;贴附该板材与一载板,使得该接着树脂层的该第一接着面黏接该载板;及设置一芯片于该载板且位于该板材的该晶穴侧壁内。2.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是,在移除该金属箔之前,另包含形成一金属覆盖层于该板材的该晶穴侧壁。3.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是,该接着树脂层具有多阶固化性质。4.如权利要求3所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是,在黏接该载板之后,该接着树脂层被固化5-50%。5.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是,该接着树脂层选自于环氧基树脂、BT树脂与PI树脂的其中之一。6.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是,该接着树脂层包含有金属粒子。7.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是,该金属箔是以蚀刻方式移除。8.如权利要求1所述的半导体封装构造的制造方法,其特征是...
【专利技术属性】
技术研发人员:伯恩卡艾伯特,邹镜华,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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