磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法技术

本发明专利技术公开了一种磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法，包括硼、磷扩散步骤，硼、磷扩散采用下述步骤：取带有多条平行凹槽的源片，在源片每条凹槽的左右两半分别涂上ＳｉＯ↓［２］／Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＯ↓［２］／Ｐ↓［２］Ｏ↓［５］玻璃体，２００～６００℃烤干，然后将硅片插在每条凹槽中央，在９５０～１１００℃下进行扩散处理。本发明专利技术工艺简单，易操作，生产成本低，适合规模化生产，并可有效保持硅片的少数载流子寿命，具有较高的充电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造高效硅太阳电池的方法。
技术介绍
以硼背场或以硼背场为基础的PERT结构的高效硅太阳能电池已经在生产中获得应用，但在制造P-N结磷扩散的前后工序增加硼扩散过程需要复杂的掩蔽工艺，通常是首先在硅表面生成600nm的SiO2层，随后将正面用胶保护，蚀去背面SiO2层，除去保护胶清洗干净后对背面扩硼，在1050℃下形成1μm左右的硼扩散层，然后再在高温下生长600nm的SiO2，用胶保护背面(扩硼面)，除去正面SiO2，除胶清洗后再对正面扩散0.3～0.5μm磷层，除去背面氧化层后，对两面进行金属化(丝网印刷)，制成硼背场高效电池。这样的工艺复杂，制造成本高，不利于规模化生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种工艺简单，易操作，适合规模化生产的。本专利技术的技术解决方案是一种，包括硼、磷扩散步骤，其特征是硼、磷扩散采用下述步骤取带有多条平行凹槽的源片，在源片每条凹槽的左右两半分别涂上SiO2/B2O3、SiO2/P2O5玻璃体，200～600℃烤干，然后将硅片插在每条凹槽中央，在950～1100℃下进行扩散处理。扩散处理的时间为10～60分钟。扩散处理时，用氮气保护。氮气流量为20～30升/分钟。扩散处理后，用胶或胶带保护硼扩面，对磷扩面进行阳极氧化剥离处理，剥离处理时，当扩散方块电阻增至40～50Ω/□时结束。硅片与源片的外形尺寸相同。本专利技术工艺简单，易操作，生产成本低，适合规模化生产，并可有效保持硅片的少数载流子寿命，具有较高的充电转换效率；带凹槽的源片可有效防止源片与硅片间粘结，源片与硅片紧贴可有效防止磷与硼的交叉掺杂，保持效率。下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。附图说明图1是本专利技术一个实施例中源片的结构示图。图2是源片与硅片结合状态图。具体实施例方式一种，包括硼、磷扩散步骤，硼、磷扩散采用下述步骤取带有多条平行凹槽1的源片2，在源片2每条凹槽的左右两半用APCVD法(即常压化学气相淀积法)或施涂法分别涂上SiO2/B2O3、SiO2/P2O5玻璃体，200～600℃烤干(例200℃、300℃、400℃、500℃、600℃)，然后将与外形尺寸与源片相同的硅片3插在每条凹槽中央，使硅片3与源片2垂直，在950～1100℃(例950℃、1000℃、1050℃、1100℃)下进行扩散处理10～60分钟(例10分钟、30分钟、60分钟)，扩散处理时，用氮气保护，氮气流量为20～30升/分钟。扩散处理后，用胶或胶带保护硼扩面，对磷扩面进行阳极氧化剥离处理，剥离处理时，当扩散方块电阻增至40～50Ω/□时结束。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法，包括硼、磷扩散步骤，其特征是：硼、磷扩散采用下述步骤：取带有多条平行凹槽的源片，在源片每条凹槽的左右两半分别涂上ＳｉＯ↓［２］／Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＯ↓［２］／Ｐ↓［２］Ｏ↓［５］玻璃体，２００～６００℃烤干，然后将硅片插在每条凹槽中央，在９５０～１１００℃下进行扩散处理。

【技术特征摘要】
1.一种磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法，包括硼、磷扩散步骤，其特征是硼、磷扩散采用下述步骤取带有多条平行凹槽的源片，在源片每条凹槽的左右两半分别涂上SiO2/B2O3、SiO2/P2O5玻璃体，200～600℃烤干，然后将硅片插在每条凹槽中央，在950～1100℃下进行扩散处理。2.根据权利要求1所述的磷硼同时扩散制造高效硅太阳电池的方法，其特征是扩散处理的时间为10～60分钟。3.根据权利要求1或2所述的磷硼同时扩散制造高效硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁永健，王玉亭，王汉飞，赵亮，
申请(专利权)人：江苏林洋新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]