一种用于半导体处理的反应室制造技术

本发明专利技术涉及一种用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置１、反应室上盖２、反应腔室３、静电卡盘４和真空泵６，静电卡盘４用于支撑半导体晶片５，真空泵６用于使反应室获得低气压。气体分配装置有两路气体输入，可以分别控制压力和流量。第一路气体输入Ａ远离真空泵入口，控制等离子反应室中远离真空泵一侧的气体分布，第二路气体输入Ｂ靠近真空泵入口，控制等离子反应室中靠近真空泵一侧的气体分布，通过调整气体分配装置１的参数可以使整个晶片上得到均匀的气体分布。在下抽气方式中，本发明专利技术可以补偿真空泵对等离子反应室中气体分布的影响，使反应气体在半导体晶片上得到均匀的分布，从而使半导体设备加工时具有均匀的刻蚀速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工刻蚀机的反应室，特别涉及半导体刻蚀机的具有两路气体输入的反应室。
技术介绍
在半导体处理设备(刻蚀机)中，通过向较低压力的气体加入能量而使气体电离产生等离子体，等离子体用于刻蚀半导体晶片。为了使晶片获得均匀的刻蚀速率，要求等离子体在晶片表面均匀分布，气体分配装置的作用就是均匀分配刻蚀气体。图1所示为一种等离子体处理装置。1为气体分配部分，2为等离子体反应室上盖，3为等离子体反应室，4为静电卡盘，用于支撑半导体晶片，5为半导体晶片，6为使等离子体反应室获得低气压的真空泵。气体从气体分配部分1的入口进入，气体分配部分1的出口设计为圆台形状，以使气体能够向各个方向均匀流动。这一气体分配结构存在以下问题1、以出口为中心，在圆周向有相同的气体分布，而在径向气体分布不均匀，即在半导体晶片的中心和周围气体分布不均匀。2、真空泵对等离子体反应室中的气体分布有影响。根据真空泵在反应室的位置不同分为下抽气方式和侧下抽气等方式，图1中真空泵的位置为一种常用的侧下抽气方式，真空泵在反应室的侧下位置。在反应室中，靠近真空泵入口的位置气体流动速度相对较大，而远离真空泵入口位置的气体流动速度相对较小。图1的气体分配装置不能补偿真空泵的影响。图2为另一种气体分配方式的等离子体处理装置。1为气体分配部分，2为等离子体反应室上盖，3为等离子体反应处理室，4为静电卡盘，用于支撑半导体晶片，5为半导体晶片，6为使等离子体反应室获得低气压的真空泵。气体分配部分为双区控制型，为了克服图1中气体分配部分在晶片的中心和周围气体分布不均的问题，将气体分为两路，一路控制气体在晶片中心的分布，一路控制气体在晶片周围的分布。两路气体可以单独控制压力和流量，可以使整个晶片表面得到均匀的气体分布。图2中的气体分配装置不能补偿真空泵对气体分布的影响，使得反应室中靠近和远离真空泵的位置气体分布不均匀。
技术实现思路
要解决的技术问题本专利技术的要解决的技术问题是补偿真空泵对气体分布的影响，提供一种用于半导体处理的反应室。技术方案本专利技术提供用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置、反应室上盖、反应腔室、静电卡盘和真空泵，静电卡盘用于支撑半导体晶片，真空泵用于使反应室获得低气压。为使反应腔室内的气体获得均匀分布，气体分配装置有两路气体输入，可以分别控制压力和流量。第一路气体输入远离真空泵入口，控制等离子反应室中远离真空泵一侧的气体分布，第二路气体输入靠近真空泵入口，控制等离子反应室中靠近真空泵一侧的气体分布，将晶片上方等离子体区域分为A1，A2，B1，B2四个区域，通过调整气体分配装置的参数可以使整个晶片上得到均匀的气体分布。有益效果在下抽气方式中，本专利技术可以补偿真空泵对等离子反应室中气体分布的影响，使反应气体在半导体晶片上得到均匀的分布，从而使半导体设备(刻蚀机)加工时具有均匀的刻蚀速率。附图说明图1为现有反应室结构示意图；图2为现有具有气体分配装置的反应室结构示意图；图3为本专利技术一个实施例的反应室结构示意图；图4为本专利技术控制气体分布示意图。图5为本专利技术实施例的气体分配装置示意6为本专利技术实施例的气体分配装置端面示意7为本专利技术实施例的气体分配装置I-I剖面中1、气体分配部分；2、等离子体反应室上盖；3、等离子体反应室；4、静电卡盘；5、半导体晶片；6、真空泵；A、第一路气体输入；B、第二路气体输入；A1、A2、第一路气体输入控制的气体分布范围；B1、B2、第二路气体输入控制的气体分布范围。具体实施例方式以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围，有关
的普通技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本专利技术的范畴，本专利技术的专利保护范围应由各项权利要求限定。本专利技术提供一种用于半导体处理的反应室，如图3所示。反应室包括气体分配装置1、离子体反应室上盖2、反应腔室3、静电卡盘4、和真空泵6，半导体晶片5在被加工时置于静电卡盘4上。图5、图6、图7为气体分配装置的具体结构，气体分配装置1设有第一路气体输入A和第二路气体输入B，两路气体输入可以分别控制压力和流量。第一路气体控制反应腔室中远离真空泵一侧的气体分布，第二路气体控制反应腔室中靠近真空泵一侧的气体分布。如图4所示，两路气体输入将晶片上方等离子体区域分为A1，A2，B1，B2四个区域，通过调整气体分配装置的参数可以使整个晶片上得到均匀的气体分布。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置（１），安装在反应室上盖（２）中部，其特征在于，所述气体分配装置（１）设有两路气体输入（Ａ、Ｂ），其中第一路气体输入（Ａ）远离真空泵（６）入口，第二路气体输入（Ｂ）靠近真空泵（６）入口。

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理的反应室，包括气体分配装置(1)，安装在反应室上盖(2)中部，其特征在于，所述气体分配装置(1)设有两路气体输入(A、B)，其中第一路气体输入(A)远离真...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚立强，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]