封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种封装结构，所述封装结构包括：引线框架；绝缘膜，所述绝缘膜放置在所述引线框架上；芯片，所述芯片放置在所述绝缘膜上；硅胶层，所述硅胶层包裹住所述芯片。本实用新型专利技术使用半导体封装工艺在引线框架与芯片之间设置绝缘膜，提高产品隔离耐压能力，提高了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压。了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压。了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压。

【技术实现步骤摘要】
封装结构


[0001]本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种封装结构。

技术介绍

[0002]现有技术中，多数类型的霍尔电流传感器是开环式和闭环式两种，其结构均存在中间穿孔的部分。
[0003]无论开环式或者闭环式的霍尔电流传感器，基本结构都是通过原边电流导线穿过环形磁芯中间孔这种结构，在环形磁芯中产生磁场，或者初级电流线绕圆形磁环产生磁场的方式来实现。
[0004]现有技术中霍尔电流传感器结构缺陷是：整个霍尔传感器模块三维尺寸大，原因是受限于圆形磁环的体积，加之初级电流线的直径以及外围辅助测试电路印制电路板的尺寸限制，无法将霍尔传感器模块做小。
[0005]霍尔电流传感器做成半导体集成电路，常规的SOP16封装通过普通绝缘胶来达到芯片与引线框架之间绝缘隔离电压无法承受3kV、50HZ电流通过1分钟。
[0006]常规的SOP16封装内部铜框架导线阻抗大、功耗大，无法解决过大电流工作时散热问题。由于封装内部塑封材料和芯片的膨胀率相差巨大，在通过大电流工作时，产生高温的造成内部应力会影响产品的稳定性和可靠性。

技术实现思路

[0007]本技术所要解决的技术问题是提高芯片与引线框架之间绝缘隔离电压，提供一种封装结构。
[0008]为了解决上述问题，本技术提供了一种封装结构，包括：引线框架；绝缘膜，所述绝缘膜放置在所述引线框架上；芯片，所述芯片放置在所述绝缘膜上；硅胶层，所述硅胶层包裹住所述芯片。
[0009]本技术使用半导体封装工艺在引线框架与芯片之间设置绝缘膜，提高产品隔离耐压能力，提高了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压。
附图说明
[0010]附图1所示为本技术一具体实施方式步骤示意图。
[0011]附图2A
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2G所示为本技术一具体实施方式工艺示意图。
[0012]附图3所示为本技术一具体实施方式所述将绝缘膜放置在所述引线框架上步骤示意图。
具体实施方式
[0013]下面结合附图对本技术提供的的具体实施方式做详细说明。
[0014]附图1所示为本技术一具体实施方式步骤示意图，包括：步骤S11，提供一引线
框架；步骤S12，将绝缘膜放置在所述引线框架上；步骤S13，将芯片放置在所述绝缘膜上；步骤S14，采用硅胶层包裹住所述芯片。
[0015]附图2A所示，参考步骤S11，提供一引线框架201。在本具体实施方式中，所述引线框架采用金属Cu材料。
[0016]步骤S12，将绝缘膜203放置在所述引线框架201上。在本具体实施方式中，所述绝缘膜采用DAF膜。
[0017]在本技术的一个具体实施方式中，上述结构的形成步骤进一步采用如下方法，参考附图3所示，为本技术一具体实施方式所述将绝缘膜放置在所述引线框架上步骤示意图，包括：步骤S31，将第一装片膜放置在所述引线框架上；步骤S32，将绝缘膜放置在所述第一装片膜上，使所述绝缘膜和所述第一装片膜充分粘合；步骤S33，将第二装片膜放置在所述绝缘膜上。
[0018]附图2B所示，参考步骤S31，将第一装片膜202放置在所述引线框架201上。在本具体实施方式中，所述第一装片膜202起到黏合所述引线框架201与所述绝缘膜203的作用。
[0019]附图2C所示，参考步骤S32，将绝缘膜203放置在所述第一装片膜202上，使所述绝缘膜203和所述第一装片膜202充分粘合。在本具体实施方式中，所述绝缘膜203采用DAF膜。绝缘膜203与第一装片膜202膜充分粘合后，对绝缘膜203做切割，切割后的绝缘膜203可以使用半导体工艺装片机器做黏贴，放置在引线框架201上面。
[0020]附图2D所示，参考步骤S31，将第二装片膜204放置在所述绝缘膜203上。在本具体实施方式中，所述第二装片膜204起到黏合所述绝缘膜203与下述芯片205的作用。
[0021]上述步骤实施完毕后，继续实施如下步骤。
[0022]附图2E所示，参考步骤S13，将芯片205放置在所述绝缘膜203上。
[0023]在一具体实施方式中，如附图2F所示，连接引线206，使芯片205与引线框架201电学连接。
[0024]附图2G所示，参考步骤S14，采用硅胶层207包裹住所述芯片205。在本具体实施方式中，所述硅胶层207采用电子级硅胶，利用电子级硅胶起到隔离芯片205与后续塑封料的作用。这种封装工艺保证了产品在不同温度的使用环境中几乎不受塑封料膨胀变形的影响，也减低框架外部的应力对芯片性能的影响，从而提高产品的稳定性和可靠性。
[0025]上述步骤完成后，即得到附图2G所示的一种封装结构，包括：引线框架201；绝缘膜203，所述绝缘膜203放置在所述引线框架201上；芯片205，所述芯片205放置在所述绝缘膜203上；硅胶层207，所述硅胶层207包裹住所述芯片205。在本技术的一种具体实施方式中，所述绝缘膜203的下方存在第一装片膜202；所述第一装片膜202黏合所述引线框架201与所述绝缘膜203，所述绝缘膜203的上方存在第二装片膜204，所述第二装片膜204黏合所述绝缘膜203与所述芯片205。所述引线框架201采用金属Cu材料；所述绝缘膜203采用DAF膜；所述硅胶层207采用电子级硅胶。
[0026]上述技术方案通过在引线框架和芯片之间，利用新的封装工艺，在引线框架与芯片之间设置绝缘膜，提高产品隔离耐压能力，提高了芯片与引线框架之间绝缘隔离电压，使得封装后产品的隔离电压达到5KV/50HZ/1分钟。
[0027]以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰
也应视为本技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：引线框架；绝缘膜，所述绝缘膜放置在所述引线框架上；芯片，所述芯片放置在所述绝缘膜上；硅胶层，所述硅胶层包裹住所述芯片。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘膜的下方存在第一装片膜。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘膜的上方存在第二装片膜。4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雄星，
申请(专利权)人：江苏兴宙微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：