本发明专利技术公开了一种阵列基板，该阵列基板包括：像素电路，像素电路包括驱动晶体管、至少一个第一开关晶体管和至少一个补偿电容；其中，第一开关晶体管的部分沟道复用为补偿电容的一个极板。本发明专利技术实施例通过补偿电容对第一开关晶体管的栅极电压的变化量进行分压，能够减小因第一开关晶体管栅极电压跳变耦合至第一开关晶体管的沟道的电压，减小第一开关晶体管产生的漏电流，从而改善因漏电流而导致的驱动晶体管栅极电位不稳定的情况，提高像素电路所驱动的发光元件的发光稳定性，尤其是能够改善低频驱动下闪烁和抖屏的现象，提高显示效果。提高显示效果。提高显示效果。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板及显示装置
[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)显示面板因具有自发光、对比度高、厚度薄、反应速度快、可用于挠曲性面板等优点，具有广泛的应用前景。
[0003]OLED显示面板的OLED元件属于电流驱动型元件，需要设置相应的像素驱动电路为OLED元件提供驱动电流，以使OLED元件能够发光。OLED显示面板的像素驱动电路通常包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管等，开关晶体管能够将相应的信号写入至驱动晶体管的栅极，使得在发光阶段，驱动晶体管能够根据其栅极的电压产生驱动OLED元件的驱动电流。但是，开关晶体管的漏电流会引起驱动晶体管栅极电压不稳定的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以改善引晶体管的漏电流引起的驱动晶体管栅极电压不稳定的问题，提高显示效果。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：
[0006]像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管、至少一个第一开关晶体管和至少一个补偿电容；
[0007]其中，所述第一开关晶体管的部分沟道复用为所述补偿电容的一个极板。
[0008]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括：上述阵列基板。
[0009]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括：上述显示面板。
[0010]本专利技术通过在像素电路中设置与第一开关晶体管对应的补偿电容，且将第一开关晶体管的部分沟道复用为该补偿电容的一个极板，以在第一开关晶体管的栅极电压发生变化时，补偿电容能够对该栅极电压的变化量进行分压，减少第一开关晶体管的栅极与其沟道构成的寄生电容中所存储的电荷量，也即减小第一开关晶体管的沟道上的电荷量，如此能够减小因沟道上电荷引起的漏电流，从而能够降低对驱动晶体管的栅极电压的影响，在发光阶段，能够提高驱动晶体管所产生的驱动电流的准确性，进而提高该像素电路所驱动的发光元件的发光准确性，以达到提高显示效果的目的，尤其是能够改善低频驱动下的闪烁抖动的问题；同时，将第一开关晶体管的部分沟道复用为补偿电容的一个极板，此时补偿电容的另一个极板和第一开关晶体管的沟道仅能够构成电容结构，使得无论补偿电容中另一个极板上所电连接的信号如何变化都不会影响第一开关晶体管的导通或关闭状态，从而在简化像素电路结构的基础上，能够准确地控制第一开关晶体管的状态。
附图说明
[0011]图1是相关技术中一种像素电路的结构示意图；
[0012]图2是相关技术中一种阵列基板的膜层结构示意图；
[0013]图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的膜层结构示意图；
[0014]图4是本专利技术实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
[0015]图5是与图4对应的一种像素电路的驱动时序图；
[0016]图6是是本专利技术实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
[0017]图7是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0018]图8是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的膜层结构示意图；
[0019]图9是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；
[0020]图10是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0021]图11是本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的膜层结构示意图；
[0022]图12是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0023]图13是与图4对应的另一种像素电路的驱动时序图；
[0024]图14是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0025]图15是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0026]图16是与图4对应的又一种像素电路的驱动时序图；
[0027]图17是与图4对应的又一种像素电路的驱动时序图；
[0028]图18是与图4对应的又一种像素电路的驱动时序图；
[0029]图19是与图8对应的一种像素电路的驱动时序图；
[0030]图20是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0031]图21是本专利技术实施例提供的又一种像素电路的结构示意图；
[0032]图22是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在本专利技术中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本专利技术意在覆盖落入所对应权利要求(要求保护的技术方案)及其等同物范围内的本专利技术的修改和变化。需要说明的是，本专利技术实施例所提供的实施方式，在不矛盾的情况下可以相互组合。
[0034]对于有源驱动的OLED显示面板，专利技术人经过研究发现，由于晶体管的栅极与其沟道之间构成寄生电容，因此当开关晶体管的栅极电位发生变化时，由电容的耦合作用使得其沟道的电压随之发生变化，沟道电压变化越大，其漏电流越大，其对驱动晶体管的栅极电压造成的影响越大，从而影响驱动晶体管在发光阶段提供的驱动电流的大小，影响发光元件的发光稳定性，进而影响显示效果。
[0035]图1是相关技术中一种像素电路的结构示意图，如图1所示，相关技术中的像素电路10'包括七个晶体管和一个存储电容Cst，该七个晶体管分别为驱动晶体管M3'、初始化晶体管M5'、数据写入晶体管M2'、阈值补偿晶体管M4'、第一发光控制晶体管M1'、第二发光控制晶体管M6'以及复位晶体管M7'。其中，初始化晶体管M5'的第一电极与驱动晶体管M3'的栅极电连接，初始化晶体管M5'的第二电极接收初始化信号Vref'，初始化晶体管M5'的栅极
接收第一扫描信号S1'，在初始化阶段，第一扫描信号S1'为控制初始化晶体管M5'导通的使能电平，使得其能够将初始化信号端的初始化信号Vref'传输至驱动晶体管M3'的栅极，而在初始化阶段结束时，第一扫描信号S1'会由使能电平变为非使能电平，使得初始化晶体管M5'处于关闭状态；数据写入晶体管M2'的第一电极接收数据信号Vdata'，数据写入晶体管M2'的第二电极与驱动经晶体管M3'的第一电极电连接，驱动经晶体管M3'的第二电极与阈值补偿晶体管M4'的第一电极电连接，阈值补偿晶体管M4'的第二电极与阈值补偿晶体管M4'的栅极电连接，数据写入晶体管M2'的栅极和阈值补偿晶体管M4'的栅极均接收第二扫描信号S2'，在数据写入阶段，第二扫描信号S2'为控制数据写入晶体管M2'和阈值补偿晶体管M4'导通的使能电平，使得数据信号Vdata'能够通过数据写入晶体管M2'、驱动经晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管、至少一个第一开关晶体管和至少一个补偿电容；其中，所述第一开关晶体管的部分沟道复用为所述补偿电容的一个极板。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：衬底基板、位于所述衬底基板一侧的半导体层、以及位于所述半导体层相对的两侧第一金属层和第二金属层；所述第一开关晶体管包括第一栅极和第一有源层；所述第一金属层包括所述第一栅极，所述半导体层包括所述第一有源层；所述第一有源层包括第一沟道；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第一栅极至少覆盖所述第一沟道；所述补偿电容包括第一补偿电容；所述第二金属层包括所述第一补偿电容的第一极板；部分所述第一沟道复用为所述第一补偿电容的第二极板。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层还包括第一电极和第二电极；所述第一沟道位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述第一电极、所述第一沟道和所述第二电极沿第一方向依次排列；所述第一栅极在所述第一方向上的长度大于所述第一补偿电容的第一极板在所述第一方向上的长度。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开关晶体管还包括第二栅极；所述第一有源层还包括第二沟道，且所述第二沟道与所述第一沟道互不交叠；所述第二栅极位于所述第一金属层或所述第二金属层；在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，所述第二栅极至少覆盖所述第二沟道。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层还包括第一电极、第二电极和第三电极；所述第一沟道位于所述第一电极与所述第二电极之间；所述第二沟道位于所述第二电极与所述第三电极之间；其中，所述第一电极与所述驱动晶体管的栅极电连接。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述补偿电容还包括第二补偿电容；当所述第二栅极位于所述第一金属层时，所述第二补偿电容的第一极板位于所述第二金属层；或者，当所述第二栅极位于所述第二金属层时，所述第二补偿电容的第一极板位于所述第一金属层；部分所述第二沟道复用为所述第二补偿电容的第二极板。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层还包括第二电极和第三电极；所述第二沟道位于所述第二电极与所述第三电极之间，且所述第二电极、所述第二沟道和所述第三电极沿第二方向依次排列；所述第二栅极在所述第二方向上的长度大于所述第二补偿电容的第一极板在所述第二方向上的长度。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括与至少一个补偿电容一一对应的至少一个第一控制端；所述第一控制端与所述补偿电容的第一极板电连接。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，至少部分所述第一控制端的第一控制
信号为固定电压信号。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括初始化信号端和初始化模块；所述初始化模块的第一端与所述初始化信号端电连接，所述初始化模块的第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：匡建，张蒙蒙，吴员涛，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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