本发明专利技术属于MOSFET监测技术领域，尤其为一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地。本发明专利技术利用电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。可靠性更高。可靠性更高。
【技术实现步骤摘要】
一种MOSFET状态监测装置
[0001]本专利技术涉及MOSFET监测
，具体为一种MOSFET状态监测装置。
技术介绍
[0002]目前，MOS管作为一种越来越被广泛应用的开关管，具有高速度、高性能、低损耗的优点，在实际工作中，根据工作环境与所处电路的不同，MOS管会处于过温或过流的情况，会在一定程度上影响MOS管的工作效率和使用寿命。
[0003]现有的用于MOS管状态监测的方法不但需要复杂的检测电路，并且检测时间较长，效率低，造成用户时间成本增加，且可靠性较低，不能直观、快速的判断MOSFET的状态。
技术实现思路
[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种MOSFET状态监测装置，解决了现有的用于MOS管状态监测的方法不但需要复杂的检测电路，并且检测时间较长，效率低，造成用户时间成本增加，且可靠性较低，不能直观、快速的判断MOSFET的状态的问题。
[0006](二)技术方案。
[0007]本专利技术为了实现上述目的具体采用以下技术方案：
[0008]一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地，通过电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，所述采样电阻的两端与MCU检测芯片的两检测端连接，所述MCU检测芯片的两检测端分别与电容的两端连接，所述MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测。
[0009]进一步地，所述限流电阻为四分之一电阻。
[0010]进一步地，所述MOSFET状态监测装置还包括无线通信模块，所述无线通信模块与MCU检测芯片电性连接，所述无线通信模块用于将电流检测数据传输给远程监控平台。
[0011]进一步地，所述MCU检测芯片的两检测端上串放有反向设置的第一整流二级管和第二整流二极管。
[0012](三)有益效果
[0013]与现有技术相比，本专利技术提供了一种MOSFET状态监测装置，具备以下有益效果：
[0014]本专利技术，利用电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。
附图说明
[0015]图1为本专利技术的MOSFET状态监测装置原理图。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]实施例
[0018]如图1所示，本专利技术一个实施例提出的一种MOSFET状态监测装置，包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻R、电容和MCU检测芯片，MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，MOS管的源极串联采样电阻后接地，通过电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，这种测试方式具有响应速度快，更为直观的特点，电路结构简单，更为实用；采样电阻的两端与MCU检测芯片的两检测端连接，MCU检测芯片的两检测端分别与电容的两端连接，MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测，以此实现MOSFET的状态监测，集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体，结合两种方式的检测结果，可靠性更高。
[0019]在一些实施例中，限流电阻为四分之一电阻。
[0020]在一些实施例中，MOSFET状态监测装置还包括无线通信模块，无线通信模块与MCU检测芯片电性连接，无线通信模块用于将电流检测数据传输给远程监控平台，通过设置无线通信模块能够实现MOSFET状态的远程监控。
[0021]在一些实施例中，MCU检测芯片的两检测端上串放有反向设置的第一整流二级管和第二整流二极管，第一整流二级管和第二整流二极管的设置主要起到整流、稳压MCU检测电路的作用。
[0022]最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOSFET状态监测装置，其特征在于：包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片，所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压，所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接，所述MOS管的源极串联采样电阻后接地，通过电阻箱改变可变电阻的阻值，使可变电阻转化为高阻电阻，将MOS管栅极的电位升高，MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态，所述采样电阻的两端与MCU检测芯片的两检测端连接，所述MCU检测芯片的两检测端分别与电容的两端连接，所述MCU...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹有彪，王全，倪侠，徐玉豹，霍传猛，何孝鑫，黄元凯，
申请(专利权)人：富芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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